电池保护电路、电池保护装置、电池组以及电池保护IC制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够以共用的电路结构应对多种不同保护特性的电池保护电路、电池保护装置、电池组以及电池保护IC。不具备CPU的对二次电池进行保护的电池保护电路，具备：非易失性存储器，其能够写入用于确定所述电池保护电路的保护特性的特性数据；以及保护动作电路，其根据从所述非易失性存储器读出的所述特性数据来进行所述二次电池的保护动作。电池保护装置具备：所述电池保护电路；能够切断所述二次电池的充电路径的充电路径切断部；以及能够切断所述二次电池的放电路径的放电路径切断部。电池组具备：所述电池保护装置以及所述二次电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池保护电路、电池保护装置、电池组以及电池保护IC。
技术介绍
已知有在不具备CPU，对二次电池进行保护的电池保护电路(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-239652号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题电池保护电路的保护特性需要根据二次电池的种类或搭载了电池保护电路的产品的种类进行定制。因此，为了应对多种不同的保护特性，而针对二次电池或产品的每个种类来开发电池保护电路的结构时，容易增大开发的准备时间、成本。因此，本专利技术的目的在于，提供能够以共用的电路结构来应对多种不同的保护特性的电池保护电路、电池保护装置、电池组以及电池保护IC。用于解决课题的手段在一个方案中，提供一种电池保护电路，其不具备CPU，对二次电池进行保护，所述电池保护电路具备：非易失性存储器，其能够写入用于确定所述电池保护电路的保护特性的特性数据；保护动作电路，其根据从所述非易失性存储器读出的所述特性数据，进行所述二次电池的保护动作。专利技术效果根据一种实施形态，能够以共用的电路结构来应对多种不同的保护特性。附图说明图1是表示电池组的一例的结构图。图2是表示电池组的一例的结构图。图3是表示电池保护电路的一例的结构图。图4是表示非易失性存储器的一例的结构图。图5是表示写入动作的一例的时序图。图6是表示读写控制电路的一例的结构图。符号说明14数据输入端子15时钟输入端子21异常检测电路22过充电检测电路27过放电检测电路32放电过电流检测电路35充电过电流检测电路38短路检测电路44逻辑电路60存储器61写入防止电路62存储单元电路63周边电路64写入电路65读出电路66移位寄存器69存储元件74双稳态多谐振荡器77保护位80读写控制电路98保护动作电路99调整器100、101电池组110、111电池保护装置120、121电池保护电路具体实施方式以下，按照附图说明本专利技术的实施方式。图1是表示电池组100的一例的结构图。电池组100以内置方式具备：能够向连接到负载连接端子5、6的未图示的外部负载供给电力的二次电池200；用于保护二次电池200的保护装置110。电池组100可以内置于外部负载中，也可以外接于外部负载。作为外部负载的具体例，列举能够携带的便携终端装置等。作为便携终端装置的具体例，列举便携式电话、智能手机、平板型计算机、游戏机、电视机、音乐和影像播放器、照相机等电子设备。二次电池200能够通过连接到负载连接端子5、6的未图示充电器进行充电。作为二次电池200的具体例，列举锂离子电池和锂聚合物电池等。保护装置110具备负载连接端子5、负载连接端子6和单元连接端子3、4，是对连接到单元连接端子3、4的二次电池200进行保护免受过电流等损害的电池保护装置的一例。单元连接端子3经由电源路径8而连接到负载连接端子5。单元连接端子4经由电源路径7而连接到负载连接端子6。单元连接端子3连接到二次电池200的正极。单元连接端子4连接到二次电池200的负极。保护装置110具备晶体管11、12。晶体管11是能够切断二次电池200的充电路径的充电路径切断部的一例，晶体管12是能够切断二次电池200的放电路径的放电路径切断部的一例。图示的情况下，晶体管11能够切断二次电池200的充电电流流过的电源路径7，晶体管12能够切断二次电池200的放电电流流过的电源路径7。晶体管11、12是能够切换电源路径7的导通/切断的开关元件，串联地插入到电源路径7中。晶体管11、12例如是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。以晶体管11的寄生二极管的正向与二次电池200的放电方向一致的方式，将晶体管11插入到电源路径7中。以晶体管12的寄生二极管的正向与二次电池200的充电方向一致的方式，将晶体管12插入到电源路径7中。还可以在晶体管11、12漏极-源极间追加二极管。保护装置110可以具备电容器10、13。电容器10与晶体管11和晶体管12的串联电路并联连接。电容器13具有与负载连接端子5连接的一端，和与负载连接端子6连接的另一端。通过具备电容器10或电容器13，能够提高对电压变动、外来噪音的容量。保护装置110具备保护电路120。保护电路120是不具备CPU(中央计算处理装置)，对二次电池200进行保护的电池保护电路的一例，例如，是从二次电池200进行供电，对二次电池200进行保护的集成电路。由于不具有CPU，因此，当然，保护电路120不具有根据保护电路120自身的CPU处理结果来保护二次电池200的功能。此外，由于不具有CPU，因此保护电路120不具有二次电池200的余量检测功能。保护电路120例如具备：电源端子91、接地端子92、充电控制端子93、放电控制端子94和电流检测端子95。电源端子91是经由电阻1而连接到单元连接端子3或电源路径8的正极侧电源端子，有时被称为VDD端子。例如，电源端子91连接在一端连接到电源路径8的电阻1的另一端和一端连接到电源路径7的电容器2的另一端的连接点上。电容器2的一端连接到单元连接端子4与晶体管12之间的电源路径7。接地端子92是与单元连接端子4和晶体管12之间的电源路径7连接的负极侧电源端子，有时被称为VSS端子。充电控制端子93是对用于禁止二次电池200的充电的信号进行输出的端子，有时被称为COUT端子。充电控制端子93连接到晶体管11的控制电极(例如，在MOSFET的情况下是栅极)。放电控制端子94是对用于禁止二次电池200的放电的信号进行输出的端子，有时被称为DOUT端子。放电控制端子94连接到晶体管12的控制电极(例如，在MOSFET的情况下是栅极)。电流检测端子95是被输入与流过二次电池200的电流对应的检测电压的端子，有时被称为V-端子。电流检测端子95经由电阻9而连接到负载连接端子6和晶体管11之间的电源路径7。保护电路120例如具备存储器60和保护动作电路98。存储器60是能够写入用于确定保护电路120的保护特性的特性数据的非易失性存储器的一例。作为存储器60的具体例，列举OTPROM(一次性可编程ROM)、EEPROM(电可擦可编程ROM)等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池保护电路，其不具备CPU，对二次电池进行保护，所述电池保护电路的特征在于，具备：非易失性存储器，其能够写入用于确定所述电池保护电路的保护特性的特性数据；以及保护动作电路，其根据从所述非易失性存储器读出的所述特性数据，进行所述二次电池的保护动作。

【技术特征摘要】
2014.10.22 JP 2014-2151091.一种电池保护电路，其不具备CPU，对二次电池进行保护，
所述电池保护电路的特征在于，
具备：
非易失性存储器，其能够写入用于确定所述电池保护电路的保护特性的特
性数据；以及
保护动作电路，其根据从所述非易失性存储器读出的所述特性数据，进行
所述二次电池的保护动作。
2.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，
具备：
电源端子；以及
调整器，其对被输入到所述电源端子的输入电压进行调整而输出恒定电
压。
3.根据权利要求2所述的电池保护电路，其特征在于，
所述非易失性存储器具备：
写入电路，其将所述特性数据写入到存储元件；以及
读出电路，其从存储元件读出所述特性数据。
4.根据权利要求2或3所述的电池保护电路，其特征在于，
所述调整器对被输入到所述电源端子的所述写入电压进行调整而输出所
述恒定电压。
5.根据权利要求2或3所述的电池保护电路，其特征在于，
具备：读写控制电路，其被供给所述恒定电压，并对所述特性数据的读写
进行控制。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电池保护电路，其特征在于，
具备：
充电控制端子，其输出用于禁止所述二次电池的充电的信号；
放电控制端子，其输出用于禁止所述二次电池的放电的信号；
电流检测端子，其输入与流过所述二次电池的电流对应的检测电压，
其中，从所述充电控制端子、所述放电控制端子和所述电流检测端子中的
至少一个端子输入的所述特性数据被写入到所述非易失性存储器中。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电池保护电路，其特征在于，
所述非易失性存储器具有：写入防止电路，其防止在所述特性数据的写入
后进行写入。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的电池保护电路，其特征在于，
所述特性数据包含以下数据中的至少一种以上的数据：
阈值电压数据，其确定用于判定是否需要所述保护动作的阈值电压；
延迟时间数据，其确定从检测所述阈值电压起直到执行所述保护动作为止
的延迟时间；以及
选项选择数据，其确定所述保护动作的选项功能。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的电池保护电路，其特征在于，其
不具有所述二次电池的余量检测功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田贵志，影山僚大，村野公一，竹下顺司，山口刚史，板垣孝俊，矢野功次，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP