曝光量测装置及其量测平台制造方法及图纸

本发明专利技术的优选实施例提供了一种曝光量测装置及其量测平台，用于量测基板上曝光图案的临界尺寸及覆盖数据。所述曝光精度量测装置包括：整体式上板，具有上表面，所述上表面用于承载基板；整体式下板，设置于所述整体式上板下方；以及多个高度调整机构，设置于所述整体式上板及所述整体式下板之间，用于支撑于所述整体式上板以及所述整体式下板之间，并可透过分别微调所述多个高度调整机构而使所述整体式上板的所述上表面平坦化。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及一种曝光量测装置及其量测平台，特别涉及一种用于量测基板上曝光图案的临界尺寸及覆盖数据的曝光量测装置及其量测平台。【
技术介绍
】光刻是半导体或液晶显示器制造技术中用来构图(Pattern)的方法之一，其中，通过光掩模将图案转移至晶片或玻璃的光刻胶上，因此，光掩模是光刻过程的常用工具。在光刻的过程中，光刻构图形成的晶片的临界尺寸(Critical Dimens1n，又称为“特征线宽”)是光刻过程中的关键工艺参数，其主要由光掩模的CD决定。在光刻的过程中，通过设置曝光条件中的曝光能量，可以控制晶片或玻璃的CD不超出特定的工艺规范。近年来，随着液晶显示器的尺寸不断增加，这也使得掩模的尺寸也演变成越来越大。因此，现行光刻机台的透镜组通常由多个透镜所组成，再将掩模图案转移到玻璃基板上。然而每个透镜本身特性的细微差距、透镜与透镜之间的重迭部分，或者透镜组长期使用所造成的精度误差，都可能影响通过各透镜的曝光光线的均匀性。所以现有技术在利用多个掩模进行曝光，也即完成多道光刻暨蚀刻工艺之后，显示面板上几个固定位置(相对于透镜重迭处)便会产生临界尺寸(critical dimens 1n，CD)不均和覆盖(overlay)不均的现象。在制作彩色滤光片工艺中，CDOL设备是测量曝光完成以后图案精确的CD和OL等数据以反映曝光的精度和图案的线宽的设备，CDOL的测量数据将直接用于曝光机的参数调整，CDOL测量的数据从本质上说是一种微观状态下的尺寸数据，基本的要求是测量数据精确，再现性高。由于CDOL设备要求能进行微观状态下的尺寸数据的准确测量，所以对放置被测量玻璃的平台的平坦度有很高的要求，在设备其它部分的配置情况相同的情况下，平台的平坦度越好则测量的数据越准确。参照图1，图1为现有CDOL设备的平台剖面示意图。现在业内普遍采用的做法是采用4-6块小的平台12拼接成一块大的平台的做法，且几块小的平台12之间无连接和高度相对调整的机构，由于平台12拼接且没有相对高度调整机构的的原因，很难保证拼接后的平台整体有较高的平坦度，往往会造成平台上放置的玻璃10变形较大，严重影响CD及OL量测数据的准确性。【
技术实现思路
】本专利技术的一个目的在于提供一种曝光量测装置，其透过整体式上板的设计，可确保平台的平坦性，并透过高度调整机构的微调，可进一步加强平台上表面的平坦化，而提高⑶及OL量测数据的准确性。本专利技术的另一个目的在于提供一种量测平台，其透过整体式上板的设计，可确保平台的平坦性，并透过高度调整机构的微调，可进一步加强平台上表面的平坦化，而提高CD及OL量测数据的准确性。为解决上述问题，本专利技术的优选实施例提供了一种曝光量测装置，用于量测基板上曝光图案的临界尺寸及覆盖数据。所述曝光精度量测装置包括:整体式上板，具有上表面，所述上表面用于承载基板;整体式下板，设置于所述整体式上板下方；以及多个高度调整机构，设置于所述整体式上板及所述整体式下板之间，用于支撑于所述整体式上板以及所述整体式下板之间，并可透过分别微调所述多个高度调整机构而使所述整体式上板的所述上表面平坦化。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，所述整体式上板具有对应所述多个高度调整机构的多个上通孔，所述整体式下板具有对应所述多个高度调整机构的多个下通孔。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，每一高度调整机构包括调整螺丝，所述调整螺丝位于所述上通孔及对应的所述下通孔中。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，每一支撑调整机构包括与所述调整螺丝对应的固定螺母及调整螺母。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，所述固定螺母位于所述上通孔，所述调整螺母位于所述下通孔。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，所述基板为彩色滤光基板。在本专利技术优选实施例的曝光量测装置中，所述基板为TFT阵列基板。同样地，为解决上述问题，本专利技术的另一优选实施例提供了一种量测平台，其用于量测基板上曝光图案的临界尺寸及覆盖数据。所述量测平台包括:整体式上板，具有上表面，所述上表面用于承载基板;整体式下板，设置于所述整体式上板下方；以及多个高度调整机构，设置于所述整体式上板及所述整体式下板之间，用于支撑于所述整体式上板以及所述整体式下板之间，并可透过分别微调所述多个高度调整机构而使所述整体式上板的所述上表面平坦化。在本专利技术优选实施例的量测平台中，所述整体式上板具有对应所述多个高度调整机构的多个上通孔，所述整体式下板具有对应所述多个高度调整机构的多个下通孔。在本专利技术优选实施例的量测平台中，每一高度调整机构包括调整螺丝，所述调整螺丝位于所述上通孔及对应的所述下通孔中。相对于现有技术，本专利技术的曝光量测装置及其量测平台透过整体式上板的设计，可确保平台的平坦性，并透过高度调整机构的微调，可进一步加强平台上表面的平坦化，而提高CD及OL量测数据的准确性。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:【【附图说明】】图1为现有⑶OL设备的平台剖面示意图；图2为本专利技术优选实施例的曝光量测装置的剖面示意图；图3为本专利技术优选实施例的量测平台的具体剖面示意图。【【具体实施方式】】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。参照图2及图3，图2为本专利技术优选实施例的曝光量测装置的剖面示意图，图3为本专利技术优选实施例的量测平台的具体剖面示意图。如图2所示，本专利技术的优选实施例提供的曝光量测装置20，用于量测基板10上曝光图案(图未示)的临界尺寸及覆盖数据，如光刻条件包CD参数和覆盖(Overlay)参数部分，其中，CD参数是指光刻条件中主要影响光刻的的CD，例如，曝光能量(dose)对晶片的CD影响很大，其属于CD参数;覆盖参数是指光刻条件中主要影响光刻过程中套刻的精准度的参数，例如，覆盖参数包括X/Y方向偏移量(tran-X，tran-Y)、X/Y膨胀系数(seal ing-X，seal ing-Y)、旋转度(rot)和/或正交性(or t)等。当然，⑶参数通常还包括曝光焦距(focus)等。本实施例的曝光量测装置20包括监测镜头30及量测平台40，其中量测平台40包括包括整体式上板42、整体式下板44、多个高度调整机构46及平台边框48。如图2及图3所示，所谓整体式上板42及整体式下板44就是并无拼接的平板，而可得较佳的平整度。所述整体式上板42具有上表面421，所述上表面421用于承载基板10。在此实施例中，所述基板10为彩色滤光(CF)基板。在其他实施例中，所述基板10为TFT阵列基板。所述整体式下板44设置于所述整体式上板42下方，用于作为量测平台40的基底。所述多个高度调整机构46设置于所述整体式上板42及所述整体式下板44之间，用于支撑于所述整体式上板42以及所述整体当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光量测装置，用于量测基板上曝光图案的临界尺寸及覆盖数据，其特征在于，所述曝光精度量测装置包括：整体式上板，具有上表面，所述上表面用于承载基板；整体式下板，设置于所述整体式上板下方；以及多个高度调整机构，设置于所述整体式上板及所述整体式下板之间，用于支撑于所述整体式上板以及所述整体式下板之间，并可透过分别微调所述多个高度调整机构而使所述整体式上板的所述上表面平坦化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祖伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42