【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压力传感器
，具体涉及一种压阻式压力传感器。
技术介绍
沿着半导体的某一轴向施加力的作用，半导体的电阻率会发生显著的变化，这种现象称为半导体的压阻效应。利用半导体的压阻效应制成的压力传感器即为压阻式压力传感器。压阻式压力传感器在军事和航空航天领域应用广泛，许多应用场合对传感器的可靠性和温度误差都有严格的要求，而应用于航天型号的产品对产品的质量和尺寸又有严格的要求。目前研制的高可靠性压力传感器中，硅-蓝宝石结构的压力传感器因具有绝佳的结构强度和温度特性而占有大量市场，但是该传感器价格昂贵，质量大且结构复杂，不利于产品的小型化趋势。本专利技术提出了一种小型化压阻式压力传感器的结构设计，既能缩小产品的尺寸和质量，还能保证产品具有优良的温度特性和结构强度。结构设计主要包括传感器的机械结构、电路板的结构设计及产品的内部装配结构设计。采用本专利技术提出的结构设计，压阻式压力传感器整机尺寸为质量小于100g，同时全温度范围总精度小于1％，可承
【技术保护点】
一种小型化压阻式压力传感器，其特征在于，包括：顶盖、外壳、引压嘴、转接件、敏感元件，顶盖与外壳固定连接，转接件与引压嘴固定连接，引压嘴上端焊接敏感元件，引压嘴和外壳焊接连接。
【技术特征摘要】
1.一种小型化压阻式压力传感器，其特征在于，包括：顶盖、外壳、引压嘴、转接件、敏感
元件，顶盖与外壳固定连接，转接件与引压嘴固定连接，引压嘴上端焊接敏感元件，引压嘴
和外壳焊接连接。
2.根据权利要求1所述的一种小型化压阻式压力传感器，其特征在于，还包括电路板，
固定在转接件上端，所述电路板基于信号调理芯片设计智能温度补偿电路。
3.根据权利要求1所述的一种小型化压阻式压力传感器，其特征在于，还包括电连接
器，通过2个螺钉固定在顶盖上，螺钉上端涂胶。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种小型化压阻式压力传感器，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艳华，陈玉玲，马佳，赵爽，史岩峰，邰爱民，
申请(专利权)人：北京强度环境研究所，中国运载火箭技术研究院，
类型：新型
国别省市：北京;11
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