本发明专利技术涉及一种自重置AMR传感器，包括传感层，其特征在于：还包括设于所述传感层一侧的短路条层，以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。本发明专利技术的AMR传感器，在传感层的一侧，设置短路条层，获得对传感层和短路条层所组成的感测层整体的良好短路效果；在传感层的另一侧设置钉扎层，则能取代传统复位电路结构，达到节省成本和功耗的目的。尤其在传感层和钉扎层之间还设置绝缘层，能够起到电隔离作用，避免传感层在电操作过程中的干扰。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁阻传感器，尤其涉及一种各向异性磁阻传感器(AMR)。
技术介绍
现有电重置AMR传感器，在感测之后的某个时域，需要借助电脉冲的方式对感测层进行磁筹方向的重置，具体是如图1所示，传感器上的导体在获得驱动电流脉冲之后，会在导体上下表面形成一个复位磁场，该磁场平行于传感器的感测层，将对感测层进行一次复位。但是该重置电流一般需要安培级，对系统功耗需求较大，且需要占用ASIC的时域，而且在复位重置时域内，器件无法响应感测量。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种非电自重置AMR传感器，来对感测层的磁筹进行自发的重置，不占用ASIC时域，且不需要电流消耗，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种节约能耗和成本的自重置AMR传感器。本专利技术的一种自重置AMR传感器，包括传感层，其特征在于:还包括设于所述传感层一侧的短路条层，以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。进一步的，所述绝缘层和钉扎层均设于所述传感层的下侧。进一步的，所述绝缘层和钉扎层均设于所述传感层的上侧。进一步的，所述绝缘层和钉扎层在平行于所述传感层的方向均与传感层保持一致的形状和尺寸。进一步的，所述钉扎层的厚度为传感层厚度的0.9-1.1倍。进一步的，所述钉扎层的厚度与传感层厚度相等。进一步的，所述短路条层为导体，所述钉扎层为永磁体。借由上述方案，本专利技术至少具有以下优点:1、本专利技术的AMR传感器，在传感层的一侧，设置短路条层，获得对传感层和短路条层所组成的感测层整体的良好短路效果;在传感层的另一侧设置钉扎层，则能取代传统复位电路结构，达到节省成本和功耗的目的。尤其在传感层和钉扎层之间还设置绝缘层，能够起到电隔离作用，避免传感层在电操作过程中的干扰。2、绝缘层和钉扎层均设于传感层的下侧，容易做到与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)的集成，工艺集成度高。3、绝缘层和钉扎层均设于传感层的上侧，利于在专用集成电路(Applicat1nSpecific Intergrated Circuits，ASIC)上兼容设计。4、钉扎层的厚度与传感层的厚度相当，尤其是钉扎层的厚度与传感层厚度相等，效果较佳。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。【附图说明】图1是现有电重置AMR传感器复位电路的重置电路示意图；图2是本专利技术自重置AMR传感器优选实施例的平面图；图3是本专利技术自重置AMR传感器优选实施例除隔离层以外部分的剖面图；其中:2、传感层，4、短路条层，6、绝缘层，8、钉扎层，9、隔离层。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。参见图2-3，本专利技术一较佳实施例所述的一种自重置AMR传感器，包括传感层2(Sensor层)，设于传感层2—侧的短路条层4(Short-Bar层)，以及设于传感层2另一侧的绝缘层6和设于绝缘层6外侧的钉扎层8。具体的，短路条层4设于传感层2上方，绝缘层6和钉扎层8均设于传感层2的下方，相邻两层之间均紧贴设置。其中，传感层2和短路条层4均为导体，构成AMR传感器的核心感测层，具体传感层2采用本行业AMR传感器通用的材料和结构，材料包括软磁材料，例如镍、铁，传感层2厚度在50A-1000A。短路条层4采用本行业TMR技术通用的制作材料和结构，制作材料包括电的优良导体，如铜，金，短路条层4厚度多在2000A-5000A。短路条层4的设置能够获得良好的对整个核心感测层的短路效果，并能直接充当连接导线。绝缘层6也即电绝缘层，其和钉扎层8(PinLayer)在平行于传感层2的方向均与传感层2保持一致的形状和尺寸。具体是绝缘层6和钉扎层8均平行于传感层2设置，且钉扎层8的厚度为传感层2厚度的0.9-1.1倍，优选钉扎层8的厚度与传感层2厚度相等。钉扎层8和绝缘层6均采用本行业通用的材料和结构即可，其中钉扎层8具体为永磁体，材料包括永磁材料，例如钴、铁。由于钉扎层8和S传感层2平行放置，钉扎层8会产生一个平行的磁场，用以对核心感测层的复位，从而达到自复位的目的。而绝缘层6至少提供钉扎层8与传感层2的电隔离，避免核心感测层在电操作过程中的干扰。此外，本实施例中，短路条层4的上方还设置有隔离层9，对形成的线路进行保护，达到与电重置部分的电性隔绝。需要说明的是，虽然本实施例中，绝缘层6和钉扎层8均设于传感层2的下方，但也不排除其它方位，例如绝缘层6和钉扎层8均设于所述感测层的上侧。因，绝缘层6和钉扎层8均设于传感层2的下方，容易做到与CMOS的集成，工艺集成度高。而绝缘层6和钉扎层8均设于所述感测层的上方，则利于在专用集成电路ASIC上兼容设计以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，并不用于限制本专利技术，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种自重置AMR传感器，包括传感层，其特征在于:还包括设于所述传感层一侧的短路条层，以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。2.根据权利要求1所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述绝缘层和钉扎层均设于所述传感层的下侧。3.根据权利要求1所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述绝缘层和钉扎层均设于所述传感层的上侧。4.根据权利要求1-3任一项所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述绝缘层和钉扎层在平行于所述传感层的方向均与传感层保持一致的形状和尺寸。5.根据权利要求4所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述钉扎层的厚度为传感层厚度的0.9-1.1倍。6.根据权利要求5所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述钉扎层的厚度与传感层厚度相等。7.根据权利要求6所述的自重置AMR传感器，其特征在于:所述短路条层为导体，所述钉扎层为永磁体。【专利摘要】本专利技术涉及一种自重置AMR传感器，包括传感层，其特征在于：还包括设于所述传感层一侧的短路条层，以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。本专利技术的AMR传感器，在传感层的一侧，设置短路条层，获得对传感层和短路条层所组成的感测层整体的良好短路效果；在传感层的另一侧设置钉扎层，则能取代传统复位电路结构，达到节省成本和功耗的目的。尤其在传感层和钉扎层之间还设置绝缘层，能够起到电隔离作用，避免传感层在电操作过程中的干扰。【IPC分类】G01R33/09【公开号】CN105548920【申请号】CN201510894412【专利技术人】张华 【申请人】苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年12月8日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种自重置AMR传感器，包括传感层，其特征在于：还包括设于所述传感层一侧的短路条层，以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张华，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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