【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
在90E_Flash项目的栅极多晶硅刻蚀的步骤分为两个步骤:存储阵列多晶硅刻蚀 和栅极多晶硅刻蚀，分别是刻掉存储阵列区域的多晶硅和定义逻辑区域的栅极。栅极多晶 硅层光刻前会淀积一层氧化硅层作为栅极刻蚀的硬掩膜，在栅极多晶硅刻蚀完会用湿法工 艺去除该层。 由于有存储阵列区域台阶高度的问题，在存储阵列区域的边缘在刻蚀完成后多晶 硅有侧墙状的结构。硬掩膜淀积后形成了 "侧墙"结构，如图1所示，图中的椭圆虚线圈即示 出了该"侧墙"。在栅极多晶硅刻蚀后，这种侧墙结构就会在后续的硬掩膜湿法刻蚀中剥离 出来，漂移到其他区域，形成缺陷。如图2所示。剥离缺陷会影响产品的性能，降低产品的良 率。 产生剥离缺陷的原因在于： 栅极侧墙硬掩膜剥离。回刻工艺消耗顶层的硬掩膜层及多晶硅，但保留了侧墙硬 掩膜;清洗工艺使硬掩膜层漂移到其他区域。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，解决E-Flash存储 器工艺中栅极刻蚀之后容易形成剥离的缺陷。 为解决上述问题，本专利技术所述的，包含如下的步骤： 步...
【技术保护点】
一种E‑Flash栅极形成方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤一，在二氧化硅层上淀积存储阵列多晶硅以及栅极多晶硅层；再淀积一层氮化硅；步骤二，进行化学机械研磨；步骤三，移除氮化硅及二氧化硅；步骤四，淀积栅极硬掩膜；步骤五，进行栅极刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程晓华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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