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本发明公开了一种E-Flash栅极形成方法，包含：步骤一，在二氧化硅层上淀积存储阵列多晶硅以及栅极多晶硅层；再淀积一层氮化硅；步骤二，进行化学机械研磨；步骤三，移除氮化硅及二氧化硅；步骤四，淀积栅极硬掩膜；步骤五，进行栅极刻蚀。本发明在存储...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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