【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微纳米材料制备领域，特别是涉及。
技术介绍
石墨烯是由碳原子紧密堆积构成的二维蜂巢状结构，因为其优异的导热、耐磨和电子输运特性，在纳米电子器件、单分子器件、电器件以及储能应用等诸多方面具有广泛的应用前景。目前有多种制备石墨烯的方法，包括碳化硅外延生长法、氧化还原法、化学气相沉积法(CVD)。其中化学气相沉积法是可控制备高质量、大面积石墨烯薄膜的一种有效方法。但是目前采用化学气相沉积法制备石墨烯，大部分是在金属衬底上生长，而在金属衬底上生长的石墨烯无法直接制作器件。因此有人将生长在金属衬底上的石墨烯转移在绝缘衬底上。然而，在绝缘衬底上生长石墨烯时，一方面，由于在转移过程中存在破坏石墨烯完整性、引入杂质离子等问题，使其制备的器件质量不高，影响其应用化;另一方面，为了同时满足器件的需要，在制备图形化石墨烯时，一般要采用掩模版或光刻的方法，不仅制作工艺繁琐，而且耗时也比较长。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供，该方法无需掩模版和光刻可以直接在绝缘衬底上生长高质量、图形化的石墨烯。特别地，本专利技术提供了，通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯...
【技术保护点】
一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法，通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯，具体步骤包括：步骤1、选取绝缘衬底并对所述绝缘衬底进行清洗；步骤2、在清洗后的绝缘衬底上分散摆放微颗粒；步骤3、把摆放微颗粒的绝缘衬底放置在热灯丝化学气相沉积系统中，生长制备出石墨烯；步骤4、去除生长制备出石墨烯的绝缘衬底上的微颗粒，以获得生长在所述绝缘衬底与所述微颗粒接触处的石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾长志，徐世聪，李无瑕，李俊杰，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。