温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法，涉及微纳米材料制备领域。本发明通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯，具体步骤包括：选取绝缘衬底并对其进行清洗；在清洗后的绝缘衬底上分散摆放微颗粒；把摆放微颗粒的绝缘衬底放置在热灯丝化学气相沉积系...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。