一种磁保持继电器的驱动电路及其控制方法技术

技术编号:13200665 阅读:84 留言:0更新日期:2016-05-12 10:11
本发明专利技术涉及一种磁保持继电器的驱动电路及其控制方法,包括电阻R4、单刀双掷开关J1、三极管Q6、电阻R7、电容C2、电阻R6、三极管Q5、电阻R8、电容C1、电阻R5、电阻R9、三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻R13、MOS管Q1、电阻R1、磁保持继电器L1、MOS管Q4、电阻R15、电阻R3;通过调节电容C1的电容值、电容C2的电容值、电阻R7的电阻值和电阻R8的电阻值,可以调节通过磁保持继电器L1的脉冲电流。该磁保持继电器的驱动电路及其控制方法,采用模拟电路实现接近零功耗的脉冲电流驱动,电流切换响应速度快,电路结构简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及驱动电路
,尤其涉及。
技术介绍
现有麻醉机使用的继电器一般为常规继电器,常规继电器工作时需要一直维持供电,功耗大且会产生大量热量,从而缩短电子元器件的寿命。为了顺应电路系统发展的低功耗的要求,后续的麻醉机更倾向于使用磁保持继电器,磁保持继电器的常闭或常开状态完全是依赖永久磁钢的作用,其开关状态的转换是靠一定宽度的脉冲电信号触发而完成的,功耗低,所以磁保持继电器已成为今后继电器发展的潮流。但是,把磁保持继电器应用于具体电子设备,如麻醉机时,大部分的驱动电路设计都比较复杂,脉冲电流转换效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出,采用模拟电路实现接近零功耗的脉冲电流驱动,电流切换响应速度快,电路结构简单。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:第一方面,提供一种磁保持继电器的驱动电路,包括电阻R4、单刀双掷开关J1、H极管Q6、电阻R7、电容C2、电阻R6、三极管Q5、电阻R8、电容Cl、电阻R5、电阻R9、三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻R13、M0S管Q1、电阻R1、磁保持继电器L1、M0S管Q4、电阻R15、电阻R3 ;所述电阻R4的一端连接电源电压端,所述电阻R4的另一端连接单刀双掷开关Jl的动2端,所述单刀双掷开关Jl的动3端接地,所述单刀双掷开关Jl的不动I端连接三极管Q6的基极,所述三极管Q6的发射极接地,所述三极管Q6的集电极分别连接电阻R7的一端、电容C2的一端、电阻R6的一端,电阻R7的另一端连接供电电路的一端,电阻R6的另一端连接三极管Q5的基极,三极管Q5的发射极接地,三极管Q5的集电极分别连接电阻R8的一端、电容Cl的一端,电阻R8的另一端连接供电电路的一端,电容Cl的另一端连接电阻R9的一端,电阻R9的另一端连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极分别连接电阻Rl的一端、电阻R3的一端、MOS管Ql的漏极,MOS管Ql的源极连接供电电路的一端,MOS管Ql的栅极连接分别连接电阻R2的一端、电阻R13的一端,所述电阻R13的另一端连接供电电路的一端,电阻Rl的另一端连接磁保持继电器LI的一端,电阻R3的另一端分别连接电阻R15的一端、MOS管Q4的栅极,电阻R15的另一端连接供电电路的一端,MOS管Q4的源极连接供电电路的一端,MOS管Q4的漏极分别连接三极管Q3的集电极、磁保持继电器LI的另一端、电阻R2的另一端;电容C2的另一端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,供电电路的另一端接地。其中,所述电源电压端为5V电源电压端。其中,所述供电电路为蓄电池供电电路。其中,所述蓄电池供电电路为12V蓄电池供电电路。其中,所述磁保持继电器的驱动电路还包括过压保护电路,所述过压保护电路的一端连接电阻R9的另一端,所述过压保护电路的另一端连接电阻R5的另一端。其中,所述过压保护电路包括二极管D1、二极管D2、电阻RlO和电阻Rll ;所述二极管Dl的负极分别连接电阻R9的另一端、电阻RlO的一端,所述二极管D2的负极分别连接电阻R5的另一端、电阻Rll的一端,所述二极管Dl的正极、二极管D2的正极、电阻RlO的另一端和电阻Rll的另一端分别接地。第二方面,提供一种应用于上述磁保持继电器的驱动电路的控制方法,包括:通过调节电容Cl的电容值、电容C2的电容值、电阻R7的电阻值和电阻R8的电阻值,以调节通过磁保持继电器LI的脉冲电流。本专利技术的有益效果在于:,包括电阻R4、单刀双掷开关Jl、三极管Q6、电阻R7、电容C2、电阻R6、三极管Q5、电阻R8、电容Cl、电阻R5、电阻R9、三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻Rl3、MOS管Ql、电阻Rl、磁保持继电器1^1、]\?)3管04、电阻1?15、电阻1?3 ;通过调节电容Cl的电容值、电容C2的电容值、电阻R7的电阻值和电阻R8的电阻值,可以调节通过磁保持继电器LI的脉冲电流。该磁保持继电器的驱动电路及其控制方法,采用模拟电路实现接近零功耗的脉冲电流驱动,电流切换响应速度快,电路结构简单。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术提供的磁保持继电器的驱动电路的电路结构图。【具体实施方式】为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参考图1,其是本专利技术提供的磁保持继电器的驱动电路的电路结构图。一种磁保持继电器的驱动电路,包括电阻R4、单刀双掷开关J1、三极管Q6、电阻R7、电容C2、电阻R6、三极管Q5、电阻R8、电容Cl、电阻R5、电阻R9、三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻R13、M0S管Q1、电阻R1、磁保持继电器L1、M0S管Q4、电阻R15、电阻R3 ;所述电阻R4的一端连接电源电压端,所述电阻R4的另一端连接单刀双掷开关Jl的动2端,所述单刀双掷开关Jl的动3端接地,所述单刀双掷开关Jl的不动I端连接三极管Q6的基极,所述三极管Q6的发射极接地,所述三极管Q6的集电极分别连接电阻R7的一端、电容C2的一端、电阻R6的一端,电阻R7的另一端连接供电电路的一端,电阻R6的另一端连接三极管Q5的基极,三极管Q5的发射极接地,三极管Q5的集电极分别连接电阻R8的一端、电容Cl的一端,电阻R8的另一端连接供电电路的一端,电容Cl的另一端连接电阻R9的一端,电阻R9的另一端连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极分别连接电阻Rl的一端、电阻R3的一端、MOS管Ql的漏极,MOS管Ql的源极连接供电电路的一端,MOS管Ql的栅极连接分别连接电阻R2的一端、电阻R13的一端,所述电阻R13的另一端连接供电电路的一端,电阻Rl的另一端连接磁保持继电器LI的一端,电阻R3的另一端分别连接电阻R15的一端、MOS管Q4的栅极,电阻R15的另一端连接供电电路的一端,MOS管Q4的源极连接供电电路的一端,MOS管Q4的漏极分别连接三极管Q3的集电极、磁保持继电器LI的另一端、电阻R2的另一端;电容C2的另一端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,供电电路的另一端接地。当单刀双掷开关Jl接通高电平信号时,即当磁保持继电器的驱动电路输入Key =高电平时,三极管Q6导通,三极管Q5断开,电容Cl开始充电并导通,三极管Q2导通,磁保持继电器LlA端低电平,MOS管Q4导通,磁保持继电器Ll当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁保持继电器的驱动电路,其特征在于,包括电阻R4、单刀双掷开关J1、三极管Q6、电阻R7、电容C2、电阻R6、三极管Q5、电阻R8、电容C1、电阻R5、电阻R9、三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻R13、MOS管Q1、电阻R1、磁保持继电器L1、MOS管Q4、电阻R15、电阻R3;所述电阻R4的一端连接电源电压端,所述电阻R4的另一端连接单刀双掷开关J1的动2端,所述单刀双掷开关J1的动3端接地,所述单刀双掷开关J1的不动1端连接三极管Q6的基极,所述三极管Q6的发射极接地,所述三极管Q6的集电极分别连接电阻R7的一端、电容C2的一端、电阻R6的一端,电阻R7的另一端连接供电电路的一端,电阻R6的另一端连接三极管Q5的基极,三极管Q5的发射极接地,三极管Q5的集电极分别连接电阻R8的一端、电容C1的一端,电阻R8的另一端连接供电电路的一端,电容C1的另一端连接电阻R9的一端,电阻R9的另一端连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极分别连接电阻R1的一端、电阻R3的一端、MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极连接供电电路的一端,MOS管Q1的栅极连接分别连接电阻R2的一端、电阻R13的一端,所述电阻R13的另一端连接供电电路的一端,电阻R1的另一端连接磁保持继电器L1的一端,电阻R3的另一端分别连接电阻R15的一端、MOS管Q4的栅极,电阻R15的另一端连接供电电路的一端,MOS管Q4的源极连接供电电路的一端,MOS管Q4的漏极分别连接三极管Q3的集电极、磁保持继电器L1的另一端、电阻R2的另一端;电容C2的另一端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,供电电路的另一端接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:聂培军
申请(专利权)人:北京谊安医疗系统股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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