基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法。主要解决现有硅材料光电二极管、光电三极管在探测可见光时容易受到红外波段光线干扰的缺点。本发明专利技术的晶体管结构包括衬底1、空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5，顶电极6、底电极7。空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5依次从衬底开始向上逐层沉积，形成多层结构的光电晶体管；所述的光吸收层3采用CH3NH3PbI3材料。本发明专利技术的晶体管使用旋涂工艺沉积1、空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5，具有制作成本低廉、制作工艺简单，抗红外波段光线干扰、光探测灵敏度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，更进一步涉及微电子器件
中的一种基于CH3NH3PbI3。本专利技术作为光电传感器件，用于可见光波段的光强度测量和光脉冲测量。
技术介绍
随着电子技术的蓬勃发展，市场对光电传感器件的需求与日倶增，并对器件性能不断提出更高更细致的要求。近年来，随着可见光无线通信技术的崛起，市场对可见光波段的光电传感器提出了新的要求。基于传统硅基材料的光电二极管、光电三极管的可见光波段探测器由于材料的带隙较窄，波长响应会延续到红外波段，容易受到红外光波段的干扰。此外硅光传感器使用时需要较高的偏置电压，功耗相对较高;硅光传感器制作时需要使用复杂的高温扩散等工艺，制作成本高。常州大学申请的专利“ 一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法”(申请号:201310650505.8，公开号:103700768A)中公开了一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法。该方法首先在FTO导电玻璃上沉积一层氧化钛或氧化锌η型致密层，然后再沉积氧化铝阻挡层，接着制备一层杂化钙钛矿结构CH3NH3PbI3，继续沉积氧化铝绝缘层，再然后沉积有机P型层，最后沉积金属电极层。该方法存在的不足之处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管，包括：衬底(1)、空穴传输层(2)、光吸收层(3)、电子传输层(4)、空穴传输层(5)，顶电极(6)、底电极(7)；其特征在于：所述的空穴传输层(2)、光吸收层(3)、电子传输层(4)、空穴传输层(5)依次从衬底(1)向上逐层沉积，形成多层结构的光电晶体管；所述的光吸收层(3)采用CH3NH3PbI3材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩根全，张春福，胡毓聪，孙旭，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61