基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面生长空穴传输层；在空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在空穴传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成PMOS器件。由于本发明专利技术的PMOS器件采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的PMOS器件中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点，即PMOS器件利用CH3NH3PbI3材料向沟道提供大量的空穴，形成的PMOS器件具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法。
技术介绍
随着技术日新月异的发展，集成电路的发展小规模、中规模、大规模到超大规模，不断地推动电子技术的进步。现代电子产品在性能提高、复杂度增大的同时，价格却一直呈下降趋势，并且产品更新换代的步伐也越来越快。1960年，Intel公司的戈登·摩尔提出了摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。早期生产的集成电路都是双极型的，1962年后出现了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管组成的MOS集成电路。MOS集成电路根据MOS管类型的不同，结构的不同，导电沟道的不同，分为NMOS、PMOS和CMOS集成电路。MOS集成电路具有输入阻抗高、抗干扰能力强、功耗小、集成度高的优点，因此进入超大规模集成电路时代以后，MOS集成电路成为集成电路的主流。PMOS器件是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS器件。有机/无机钙钛矿(CH3NH3PbI3)可以让有机/无机分子进行有序的组合，将二者的优点结合在一个分子复合物内，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件，其特征在于，所述PMOS器件包括Si衬底、栅介质层、空穴传输层、光吸收层、背电极和源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件，其特征在于，所述PMOS器件包括Si衬底、栅介质层、空穴传输层、光吸收层、背电极和源漏电极。2.根据权利要求1所述的基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件，其特征在于，所述栅介质层为SiO2材料；所述空穴传输层为Spiro-OMeTAD材料；所述光吸收层为CH3NH3PbI3材料；所述背电极为Al材料；所述源漏电极为Au材料。3.一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：选取Si衬底；在所述Si衬底表面生长栅介质层；在所述栅介质层表面生长空穴传输层；在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在所述Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在所述空穴传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成所述基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述Si衬底的选取为重掺杂Si衬底。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述栅介质层为利用热氧化工艺在所述Si衬底上表面生长SiO2材料形成。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述栅介质层表面生长空穴传输层，包括：利用旋涂工艺在所述栅介质层表面生长Spiro-OMeTAD材料形成空穴传输层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，利用旋涂工艺在所述栅介质层表面生长Spiro-OMeTAD材料形成空穴传输层，包括：配制浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD的氯苯溶液，加入520mg/mL锂盐的乙腈溶液、四叔丁基吡啶...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁需，汪钰成，厐体强，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61