EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法技术

本发明专利技术公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明专利技术还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种极紫外光刻(EUV)中的设计规则、 光源、掩模联合优化方法以及极紫外光刻的成像建模方法。
技术介绍
光刻技术是芯片制造流程最重要的组成部分，由于光刻是唯一产生图形的工艺步 骤，因此它是摩尔定律的主要驱动力。目前，14nm节点的光刻工艺通过193nm浸没式光刻系 统结合双图形曝光技术实现，业界预期l〇nm及以下节点将采用多重曝光技术实现。但是双 图形曝光以及多重图形方法会带来设计规则繁琐、工艺复杂、生产成本剧增等问题，随着技 术节点的进一步推进，相关工艺的研发成本与难度也越来越高。这使得芯片中单个晶体管 成本不降反升，业界急需新的光刻技术降低先进节点集成电路生产成本。极紫外(Extreme Ultraviolet,EUV)光刻使用极紫外光作为光源，曝光波长降到13.5nm,由于成像分辨率与 曝光波长成反比，EUV光刻能够极大提高光刻分辨率，单次曝光的分辨率可满足先进节点 (7nm)的需求，从而能够取代多重图形技术，减少曝光次数并降低工艺的复杂度。业界普遍 认为，7nm节点将是EUV光刻技术介入的最好时机，届时将取代多重曝光技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭沫然，宋之洋，韦亚一，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11