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本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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