MEMS和CMOS集成芯片及传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子和机械结构层；在第一衬底上形成有第一CMOS结构，在第二衬底上形成有第二CMOS结构，机械结构层形成有第一MEMS结构，且第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在第一衬底中形成有至少一个第一过孔，第一过孔的一端与第一CMOS结构电性连接，且第一过孔的另一端与相应的连接端子电性连接，和/或，在第二衬底中形成有至少一个第二过孔，第二过孔的一端与第二CMOS结构电性连接，且第二过孔的另一端与相应的连接端子电性连接。上述方案有效的缩小了CMOS结构的占用集成芯片的面积，进而缩小了MEMS和CMOS集成芯片的面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微机电系统
，更为具体的说,涉及一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器。
技术介绍
微机电系统(Micro Electro Mechanical System, MEMS)是近年来高速发展的一项高新技术，采用先进的半导体工艺技术，将整个机械结构形成在一块芯片中，其在体积、重量、价格和功耗上具有十分明显的优势。其中，MEMS传感器因其体积小、成本低、集成性能高等优点，被广泛应用于智能手机、平板电脑等智能终端中。随着市场的不断发展，对更加便携和轻薄的智能终端的需求日益迫切，因此，更加小型化的MEMS传感器，已成为现今科研人员关注的焦点之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，通过优化设计，使得CMOS结构占用面积减小，使得MEMS和CMOS集成芯片的面积更加的小型化。下面为本专利技术提供的技术方案:一种MEMS和CMOS集成芯片，包括:第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，在所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第一 CMOS结构,在所述第二衬底朝向所述机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，在所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第一CMOS结构，在所述第二衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第二CMOS结构，所述机械结构层形成有第一MEMS结构，且所述第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在所述第一衬底中形成有至少一个第一过孔，所述第一过孔的一端与所述第一CMOS结构电性连接，且所述第一过孔的另一端与相应的所述连接端子电性连接，和/或，在所述第二衬底中形成有至少一个第二过孔，所述第二过孔的一端与所述第二CMOS结构...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付世，郭梅寒，
申请(专利权)人：深迪半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31