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本发明公开了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子和机械结构层；在第一衬底上形成有第一CMOS结构，在第二衬底上形成有第二CMOS结构，机械结构层形成有第一MEMS结构，且第一CMOS结构、第二C...
该专利属于深迪半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深迪半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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