本发明专利技术提供一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内，本发明专利技术制备工艺简单、费用低廉，制备的薄膜样品连续致密、与衬底的附着性好且成像质量良好，不仅可以克服传统的闪烁块材体积大、空间分辨率低的缺陷，还为闪烁成像探测器的集成化提供了一种有效手段。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪烁屏领域，特别涉及一种具有良好光学性能的X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯(Cs1: T1)薄膜闪烁屏的制备方法。
技术介绍
随着光电子显示技术及计算机技术的发展，尤其平板显示技术及CCD器件的成熟，数字X射线成像(DR)技术随之得到快速发展并以其成像质量高、对辐射剂量要求低以及数据化存储图像方面的优势成为了 X射线成像领域的发展趋势。DR技术在医学、安检、工业检测及科研等领域都有着极大的应用前景，并在国内拥有巨大的市场前景。数字X射线成像探测系统根据X射线闪烁屛与入射的X射线相互作用方式的不同分为直接探测系统和间接探测系统，直接探测系统可将X射线直接转换为电荷信号；间接探测系统则利用闪烁屏将入射的X射线转换为可见光信号，再由光电探测器件转换为电荷信号。相较于直接探测系统对射线计量的要求，间接探测系统不仅对射线计量的要求不高还可以有效利用现已成熟的光电转换器件。间接探测系统主要由闪烁屏和光电探测器件组成，这类探测系统的研究是目前射线探测领域的研究热点，如中国专利CN00135759.X0“用于CT的二维X射线探测器阵列”、中国专利CN200910086628.7“基于高灵敏线阵列探测器的便携式X射线探测仪”、中国专利〇似00910060113.乂“仏1(1'1)晶体薄膜直接集成(^0的乂射线阵列探测器”、中国专利CN201010240524.8“一种X射线探测器的制造方法”、中国专利CN201280056214.X“X射线探测装置”、中国专利CN201310583992.0“X射线探测元件”和中国专利CN201410291013.9“一种X射线探测基板及其制备方法、X射线探测设备”都是针对间接探测系统的研究。作为间接探测系统的关键元件，闪烁屏的性能是决定成像质量的关键因素，因此，闪烁屏是间接射线探测领域的研究重点，如中国专利CN97112901.0“基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法”、中国专利CN200910060112.5 “掺铊碘化铯(Csl: T1)薄膜的一种制备方法”、中国专利C N2 01010 2 0 3 410.8 “铈离子激活的X射线探测用闪烁发光材料及其制备方法”、中国专利CN201110442455.5 “微柱结构Cs I (T1) X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用”、中国专利CN201310191231.0 “Ce3+激活的X射线探测用发光材料及制备方法”和中国专利CN201410703108.7“一种二价铕离子激活的X射线探测用闪烁发光材料及其制备方法”。掺铊碘化铯(Csl:T1)是研究及应用都较成熟的一种制备闪烁屏的无机闪烁材料，具有良好的光转换效率及空间分辨率的Cs1:Tl闪烁屏是闪烁成像探测器高成像质量的保障。随着X射线闪烁成像探测器的集成化和便携化，Csl:T1闪烁屏也趋于薄膜化，因此，研究具有良好连续性且光学性能的Csl:T1薄膜闪烁屏的制备工艺对实现X射线闪烁成像探测器的集成化和便携化具有很重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述情况，提供一种连续致密且光学性能良好的X射线成像探测用微米级Cs1:Tl薄膜闪烁屏的制备方法。本专利技术技术方案如下:—种X射线成像探测用微米级Csl:T1薄膜闪烁屏的制备方法，采用真空热蒸镀工艺制备微米级Cs1:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤:(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级Csl:T1薄膜闪烁屏:将洗净备用的光学玻璃衬底固定在离蒸发源10?15cm处的工件盘上，待真空室的真空度抽至3 X 10—4Pa时充入氩气，调整氩气的流速使真空度维持在6.0 X10一4Pa?9.0X 10—4Pa范围内，工件盘以30?35r/m的转速匀速旋转，利用电阻丝加热衬底并使温度维持在95?105°C，然后打开蒸发电源制备薄膜闪烁屛，并用膜厚监控仪实时监控薄膜厚度，先将蒸发电流调至110?120mA，待Csl:T1薄膜生长至300?350nm厚时，再将蒸发电流调至90?95mA，直至薄膜闪烁屛的厚度在6?10微米后，关闭电阻丝和蒸发源的电源；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10?12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内。作为优选方式，步骤(a)中利用超声波清洗器清洗衬底。作为优选方式，步骤(a)中使用NaOH溶液、无水乙醇、去离子水作为清洗液清洗衬底。作为优选方式，步骤(a)中所述热风循环干燥箱的温度为50°C。作为优选方式，步骤(a)中所述热风循环干燥箱的鼓风功率为370W，利用鼓风系统驱动箱内氮气循环形成稳定的氮气环境。作为优选方式，步骤(b)中蒸发源采用钼舟。作为优选方式，制备Csl:T1薄膜的原料选取纯度99.99 %、T1含量约为1.0mol %的Cs1:Tl块材切片。迄今为止，对具有良好成像效果的Cs1:Tl薄膜闪烁屏的研究中，闪烁屏厚度都在几百微米甚至几千微米的厚度，还没有几个微米厚度的Csl:T1薄膜闪烁屏可呈现良好成像效果的研究先例。本专利技术制备工艺简单、费用低廉，制备的薄膜样品连续致密、与衬底的附着性好且成像质量良好，不仅可以克服传统的闪烁块材体积大、空间分辨率低的缺陷，还为闪烁成像探测器的集成化提供了一种有效手段。【附图说明】图1为本专利技术的工艺流程图；图2为微米级Csl:T1薄膜闪烁屏的表面及侧面结构SEM图；图3为实物图及微米级Cs1:Tl薄膜闪烁屏对实物的成像结果。【具体实施方式】以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。本专利技术是是提供一种用于X射线成像探测技术的微米级Csl:T1薄膜闪烁屏，利用真空热蒸镀方式制备闪烁屏，实现连续致密、光学性能良好的微米级Cs 1: T1薄膜闪烁屏的制备。实施例如图1所示，一种X射线成像探测用微米级Csl:T1当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏：将洗净备用的光学玻璃衬底固定在离蒸发源10～15cm处的工件盘上，待真空室的真空度抽至3×10‑4Pa时充入氩气，调整氩气的流速使真空度维持在6.0×10‑4Pa～9.0×10‑4Pa范围内，工件盘以30～35r/m的转速匀速旋转，利用电阻丝加热衬底并使温度维持在95～105℃，然后打开蒸发电源制备薄膜闪烁屏，并用膜厚监控仪实时监控薄膜厚度，先将蒸发电流调至为110～120mA，待CsI:Tl薄膜生长至300～350nm厚时，再将蒸发电流调至90～95mA，直至薄膜闪烁屛的厚度在6～10微米后，关闭电阻丝和蒸发源的电源；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘爽，郭丽娜，谢翼骏，马世俊，王天钰，熊流锋，钟智勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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