用于成像模式的探测器阵列制造技术

提供了一种如在辐射成像模式中使用的探测器阵列。该探测器阵列包括具有第一闪烁体(402)的第一像素(302a)。第一闪烁体具有第一探测表面(408)和第一光发射表面(412)。第一探测表面沿第一探测表面平面延伸，并且第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸。探测器阵列包括具有第二闪烁体(420)的第二像素(302b)。第二闪烁体具有第二探测表面(426)和第二光发射表面(430)。第二探测表面沿第二探测表面平面延伸，并且第二光发射表面沿第二光发射表面平面延伸。其中，第一探测表面平面与第二探测表面平面不共面，并且/或者第一光发射表面平面与第二光发射表面平面不共面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及具有不同厚度或限定非平面表面的像素的红外探测器阵列。可以发现在例如医学、安保、和/或工业应用中利用计算机断层扫描(CT)成像领域中的特别应用。然而，本申请还涉及使用探测器阵列的其它辐射模式(modalities)。
技术介绍
如今，CT及其它成像模式(例如，乳腺X线摄影、数字X线摄影等等)用于提供对象在检查中的内部方面的信息、或者成像。通常，对象暴露在辐射(例如，x射线、伽马射线等等)中，基于由对象的内部方面吸收和/或衰减的辐射，或者而是能够通过对象的辐射光子的数量形成一个或多个图像。典型地，对象的高密度的方面(或者具有由更高的原子序数元素在双能量的情况下组成的组合物的对象)比低密度的方面吸收和/或衰减更多的辐射，因此当被诸如肌肉或衣服之类的较低密度的方面包围时，具有例如诸如骨骼或金属之类的更高密度(和/或更高原子序数元素)的方面将变得明显。另外，辐射成像模式通常包括：一个或多个辐射源(例如，x射线源、伽马射线源等等)和探测器阵列，探测器阵列由多个分别配置为将已经穿过对象的辐射转换成可以经处理产生图像的信号的像素组成。当对象通过辐射源和探测器阵列之间所限定的检查区域时，对象吸收和/或衰减辐射，在由探测器阵列所探测的辐射的数量/能量中引起变化。如果不是全部的话，需要探测通过对象的大多数辐射(例如，产生更高保真度的图像)。然而，由于在探测器阵列的相邻闪烁体之间存在串扰抑制(cross-talk inhibiting)发射材料，所以通过探测器阵列只能探测到或测量到一部分通过对象的x射线剂量，在那里未探测到或未测量到冲击(impinge)到发射材料的辐射。通过对象的25％至35％的辐射冲击到发射材料(例如，代替活性/闪烁体材料)是很常见的，因此未探测到。此外，在一些应用中(例如安保)，它还有利于通过辐射系统扫描获得对象的有效原子序数(Zeff)。Zeff为允许从良性材料中区分有威胁的材料的材料特性(例如，通过提供度量标准来区别具有相似密度特征的对象)。具有不止一个不同的x射线谱(例如，对应于不止一个不同的光子能量)的X射线用于测量Zeff(例如，通过相同的材料将不同能量的光子进行不同地衰减以产生一种材料特性指标)。然而一些诸如实施光子计数技术和/或夹层修复技术(例如，具有闪烁体材料的多个层)之类的探测器阵列配置为探测两个不同的光子能量，这种探测器阵列通常成本高和/或复杂度高。
技术实现思路
本申请的一个方面解决了上述问题以及其它问题。根据一个方面，提供探测器阵列用于探测辐射光子。探测器阵列包括第一像素，第一像素包括配置为将第一辐射光子转换成第一光能量的第一闪烁体。第一闪烁体包括第一探测表面和第一光发射表面，第一辐射光子通过第一探测表面进入第一闪烁体，第一光能量通过第一光发射表面离开第一闪烁体。第一探测平面沿第一探测表面平面延伸，第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸。探测器阵列包括第二像素，第二像素包括配置为将第二辐射光子转换成第二光能量的第二闪烁体。第二闪烁体包括第二探测表面和第二光发射表面，第二辐射光子通过第二探测表面进入第二闪烁体，第二光能量通过第二光发射表面离开第二闪烁体。第二探测表面沿第二探测表面平面延伸，第二光发射表面沿第二光发射表面平面延伸。其中，第一探测表面平面与第二探测表面平面不共面，并且/或者第一光发射表面平面与与第二光发射表面平面不共面。根据另一个方面，用于探测辐射光子的探测器阵列包括配置为将第一辐射光子转换成第一光能的第一闪烁体。第一闪烁体包括第一探测表面和第一光发射表面。第一辐射光子通过第一探测表面进入第一闪烁体，第一光能通过第一光发射表面离开第一闪烁体。第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸。探测器阵列包括配置为将第二辐射光子转换成第二光能的第二闪烁体。第二闪烁体包括第二探测表面和第二光发射表面，第二辐射光子通过第二探测表面进入第二闪烁体，第二光能通过第二光发射表面进入第二闪烁体。第二探测表面沿第二探测表面平面延伸。第一光发射表面平面与第二闪烁体不相交，第二探测表面平面与第一闪烁体不相交。根据另一方面，用于探测辐射光子的探测器阵列包括配置为将辐射光子转换成第一光能的第一闪烁体。第一闪烁体包括第一探测表面和第一光发射表面，第一辐射光子通过第一探测表面进入第一闪烁体，第一光能通过第一光发射表面离开第一闪烁体。第一闪烁体在第一探测表面和第一光发射表面之间具有第一闪烁体厚度。探测器阵列包括配置为将第二辐射光子转换成第二光能的第二闪烁体。第二闪烁体包括第二探测表面和第二光发射表面，第二辐射光子通过第二探测表面进入第二闪烁体，第二光能通过第二光发射表面离开第二闪烁体。第二闪烁体在第二探测表面和第二光发射表面之间具有第二闪烁体厚度。第二闪烁体厚度与第一闪烁体厚度不同。根据另一方面，配置为探测辐射光子的探测器阵列包括第一像素，第一像素包括配置为将第一辐射光子转换成第一电荷的第一直接转换材料。第一直接转换材料包括第一探测表面和第一发射表面，第一辐射光子通过第一探测表面进入第一直接转换材料，第一电荷通过第一发射表面离开第一直接转换材料。第一探测平面沿第一探测表面平面延伸，第一发射表面沿第一发射表面平面延伸。探测器阵列还包括第二像素。第二像素包括配置为将第二辐射光子转换成第二电荷的第二直接转换材料的。第二直接转换材料包括第二探测表面和第二发射表面，第二辐射光子通过第二探测表面进入第二直接转换材料，第二电荷通过第二发射表面离开第二直接转换材料。第二探测表面沿第二探测表面平面延伸，第二发射表面沿第二发射表面平面延伸。其中，第一探测表面平面与第二探测表面平面不共面，并且/或者第一发射表面平面与与第二发射表面平面不共面。对于本领域技术人员而言，通过阅读和理解所附说明，可以理解本申请仍然存在其它方面。附图说明本申请通过示例的方式但不限于附图中的图示来说明，在附图中，同样的标记通常指同样的元件，其中：图1示出了成像模式的示例环境。图2示出了螺旋CT成像模式的功能图。图3示出了示例探测器阵列一部分的自顶向下的视图。图4a示出了示例探测器阵列的一部分的自顶向下的立体分解图。图4b示出了示例探测器阵列的一部分的自顶向下的侧视图。图5a示出了示例探测器阵列的一部分的自顶向下的立体分解图。图5b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图6示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图7示出了示例探测器阵列一部分的自顶向下的视图。图8a示出了示例探测器阵列的一部分的立体分解图。图8b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图9a示出了示例探测器阵列的一部分的立体分解图。图9b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图10a示出了示例探测器阵列的一部分的立体分解图。图10b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图11a示出了示例探测器阵列的一部分的立体分解图。图11b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图12a示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图12b示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。图13示出了示例探测器阵列的一部分的侧视图。具体实施方式现在将参照附图来描述要求保护的主题，在附图中，全文中同样的附图标记通常用来指同样的元件。在以下描述中，出于解释的目的，为了提供对要求保护的主题的全面理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配置为探测辐射光子的探测器阵列，所述探测器阵列包括：第一像素，其包括：配置为将第一辐射光子转换成第一光能的第一闪烁体，所述第一闪烁体包括第一探测表面和第一光发射表面，所述第一辐射光子通过所述第一探测表面进入所述第一闪烁体，所述第一光能通过所述第一光发射表面离开所述第一闪烁体，所述第一探测表面沿第一探测表面平面延伸并且所述第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸；以及第二像素，其包括：配置为将第二辐射光子转换成第二光能的第二闪烁体，所述第二闪烁体包括第二探测表面和第二光发射表面，所述第二辐射光子通过所述第二探测表面进入所述第二闪烁体，所述第二光能通过所述第二光发射表面离开所述第二闪烁体，所述第二探测表面沿第二探测表面平面延伸并且所述第二光发射表面沿第二光发射表面平面延伸；其中，所述第一探测表面平面与所述第二探测表面平面不共面；并且/或者所述第一光发射表面平面与所述第二光发射表面平面不共面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种配置为探测辐射光子的探测器阵列，所述探测器阵列包括：第一像素，其包括：配置为将第一辐射光子转换成第一光能的第一闪烁体，所述第一闪烁体包括第一探测表面和第一光发射表面，所述第一辐射光子通过所述第一探测表面进入所述第一闪烁体，所述第一光能通过所述第一光发射表面离开所述第一闪烁体，所述第一探测表面沿第一探测表面平面延伸并且所述第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸；以及第二像素，其包括：配置为将第二辐射光子转换成第二光能的第二闪烁体，所述第二闪烁体包括第二探测表面和第二光发射表面，所述第二辐射光子通过所述第二探测表面进入所述第二闪烁体，所述第二光能通过所述第二光发射表面离开所述第二闪烁体，所述第二探测表面沿第二探测表面平面延伸并且所述第二光发射表面沿第二光发射表面平面延伸；其中，所述第一探测表面平面与所述第二探测表面平面不共面；并且/或者所述第一光发射表面平面与所述第二光发射表面平面不共面。2.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述探测器阵列在平面内旋转，并且其中，所述第一像素和第二像素被布置成一列，所述列垂直于所述平面延伸。3.根据权利要求1所述的探测器阵列，所述第一光发射表面平面与所述第二闪烁体不相交，并且所述第二探测平面表面与所述第一闪烁体不相交。4.根据权利要求1所述的探测器阵列，所述第一像素包括配置为将所述第一光能转换成电能的第一光电探测器。5.根据权利要求4所述的探测器阵列，其中，所述第一光电探测器与所述第一光发射表面相邻。6.根据权利要求4所述的探测器阵列，所述第一像素包括光载体，所述光载体位于所述第一光发射表面和所述第一光电探测器之间并配置为在所述第一闪烁体和所述第一光电探测器之间运载所述第一光能。7.根据权利要求1所述的探测器阵列，所述第一像素包括第一光电探测器并且所述第二像素包括第二光电探测器，所述第一光电探测器和所述第一闪烁体间隔第一距离并且所述第二光电探测器和所述第二闪烁体间隔第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。8.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述第一像素包括第一光电探测器；所述第二像素包括与所述第一光电探测器不相邻的第二光电探测器；并且所述第一像素与所述第二像素相邻。9.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述第一探测表面平面与所述第二探测表面平面共面，并且所述第一光发射表面平面与所述第二光发射表面平面不共面。10.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述第一探测表面平面与所述第二探测表面平面不共面，并且所述第一光发射表面平面与所述第二光发射表面平面共面。11.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述第一闪烁体在所述第一探测表面和所述第一光发射表面之间具有第一闪烁体厚度，并且所述第二闪烁体在所述第二探测表面和所述第二光发射表面之间具有第二闪烁体厚度，所述第二闪烁体厚度与所述第一闪烁体厚度不同。12.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述第一闪烁体配置为测量具有第一能量谱的辐射光子，并且所述第二闪烁体配置为测量具有与所述第一能量谱不同的第二能量谱的辐射光子。13.根据权利要求1所述的探测器阵列，所述第二像素包括滤光器，并且所述第一像素不包括滤光器。14.根据权利要求1所述的探测器阵列，所述第一闪烁体具有第一组成，并且所述第二闪烁体具有与所述第一组成不同的第二组成。15.一种配置为探测辐射光子的探测器阵列，所述探测器阵列包括：配置为将第一辐射光子转换成第一光能的第一闪烁体，所述第一闪烁...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢尔盖·西马诺夫斯基，A·利特温，丹尼尔·阿卑宁，
申请(专利权)人：模拟技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US