无封装LED闪灯、其驱动芯片及制作方法技术

本发明专利技术提供一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯，其中，所述方法包括：提供形成有P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。使用上述方法制作的无封装LED闪灯驱动芯片，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
，尤其涉及一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯。
技术介绍
目前，有一类发光二极管(Lighting Emitting D1de,简称LED)闪灯产品是将几个LED灯和驱动芯片共同封装在透明的环氧树脂内，此类产品的驱动芯片外没有不透明树脂封装。此类产品的驱动芯片的制作方法，如图1所示，现有技术的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，包括:P型讲制作；N型金属氧化物半导体(Negative channel MetalOxide Semiconductor, NMOS)源漏制作；P 型金属氧化物半导体(positive channel MetalOxide Semiconductor, PM0S)源漏制作；引线孔制作；金属引线制作；护层制作。如图2所示，现有技术中图1所示制作方法中驱动芯片的护层制作的步骤，包括:护层沉积；护层光刻；护层刻蚀。此类LED闪灯产品在光照的环境下驱动芯片的漏电流会增大，导致部分驱动芯出现功能异常，由于漏电流增大，表现为LED灯出现关不断的常亮现象。
技术实现思路
针本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李如东，谭志辉，宋秀海，冶晓飞，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11