显示基板及其制备方法、OLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种显示基板及其制备方法、OLED显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。本发明专利技术的显示基板，包括：位于OLED器件的出光面侧的基底；设置在基底与所述OLED器件之间的介质层；以及，设置在介质层中的至少一层金属颗粒层。由于本发明专利技术的显示基板的OLED器件的出光面侧设置有金属颗粒层，所以显示基板中的OLED器件的发光效率可以大大提高，同时提高显示基板的出光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体设及一种显示基板及其制备方法、OLm)显示面板 及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光器件(0LED)的基本结构包括：阳极层、阴极层、W及夹在阳极层和阴 极层之间的"发光层"，其中，发光层为一层或多层有机层。在外加电压作用下，电子和空穴 分别从阴极方向和阳极方向注入到有机层中，然后迁移并在"发光层"中相遇复合产生激 子，激子的能量W光的形式衰减，即福射出光。 有机电致发光器件按照出光方式可W分为顶发射型(Top emission)和底发射型 (Bottom emission)。其中，光从薄膜晶体管(TFT)和平坦化层(也即第一电极层)一侧出射 的为底发射型，其第一电极层应是透明的（如IT0即铜锡氧化物）电极;对于顶发射型，位于 平坦化层之上的第一电极层是非透明的反射电极(例如银、侣等反射性材料），而第二电极 层为透明材料，即出光方向。相对于顶发射的有机电致发光器件，底发射型的有机电致发光 器件受限于TFT的影响一般具有较小的开口率，而为了达到具备使用价值的发光亮度，虽然 可W通过提高电压等方式来提高有机电致发光器件的亮度，但是运往往对器件和材料的寿 命造成负面影响。因此对于底发射型的有机电致发光器件的制备，其材料的寿命和发光效 率等性能指标的要求就会更高。 在有机电致发光器件的发光过程中能量的损耗主要存在两个方面:第一方面是注 入载流子在发光层中禪合发光时，并不是所有的注入能量都转变为光子，一部分激子能量 经过晶格振动、深能级杂质跃迁等非福射跃迁过程被损耗掉，可W用内量子效率描述运个 过程。第二方面是发生在有机电致发光器件的阳极层与基底、基底与空气等界面全反射，发 生在有机电致发光器件的阳极层与发光层界面的波导模式W及金属电极附近的表面等离 子损失等，导致从发光层发出的光在经历上述多层结构之后，仅有大约20 %左右能透出器 件进入到空气中被我们看到。运个过程可W用外量子效率来描述，体现的是光从器件中被 提取出来的效率，即光提取效率或出光效率。其中，通过材料的性能改善，目前内量子效率 接近100%的器件理论上可W实现，但是材料种类非常有限；而通过在IT0电极上制造表面 微结构来减少波导模式损失，通过将光子晶体或微透镜阵列贴敷到玻璃基底上减少全内反 射，制造權皱的阴极W降低其表面等离子损失W及利用光学微腔结构等等，运些技术虽然 可W大幅度增加器件的出光效率，但是光子晶体W及在阴极上形成周期性或准周期性微结 构图形等方法，其往往采用纳米影印技术，制备工艺和难度较大。而微腔效应却容易造成发 光颜色的偏离和可视角度变窄等缺点。
技术实现思路
[000引本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的化抓器件存在的上述问题，提供一 种可W提高0L邸器件出光效率的显示基板及其制备方法、0L邸显示面板及其制备方法。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，所述显示基板包括： 位于0L邸器件的出光面侧的基底； 设置在基底与所述0L邸器件之间的介质层；W及， 设置在介质层中的至少一层金属颗粒层。 优选的是，所述显示基板包括多层所述金属颗粒层，所述介质层包括多个子介质 层;其中，所述子介质层与所述金属颗粒层交替设置。 进一步优选的是，所述子介质层的材料为二氧化娃或者氮化娃。 进一步优选的是，每一层所述子介质层的厚度为2至lOnm。 优选的是，所述金属颗粒层的材料为金、银、侣中任意一种，或金、银、侣中任意组 厶 1=1 〇 优选的是，所述金属颗粒层中金属颗粒的粒径为1至4nm。 优选的是，所述显示基板还包括设置在介质层上方的驱动晶体管，W及与驱动晶 体管漏极电性连接的0L邸器件;其中，所述0L邸器件为底发射型0L邸器件。 优选的是，所述显示基板为封装盖板。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种化抓显示面板包括相对设置的阵 列基板和封装盖板;其中，所述阵列基板和所述封装盖板中的一者包括上述的显示基板。 优选的是，所述阵列基板包括上述的显示基板，且所述阵列基板上包括设置在介 质层上方的驱动晶体管，W及与驱动晶体管漏极电性连接的OLm)器件;其中，所述0L邸器件 为底发射型0L邸器件。 优选的是，所述封装盖板包括上述的显示基板;所述阵列基板上包括设置在介质 层上方的驱动晶体管，W及与驱动晶体管漏极电性连接的0L抓器件;其中，所述化邸器件为 顶发射型0L邸器件。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，所述显示基 板为上述的显示基板，所述制备方法包括： 在基底上方形成介质层，W及在所述介质层中形成至少一层金属颗粒层的步骤。 优选的是，所述显示基板包括多层所述金属颗粒层，所述介质层包括多个子介质 层;其中，所述子介质层与所述金属颗粒层交替设置;所述在基底上方形成介质层，W及在 所述介质层中形成金属颗粒层的步骤，包括： 首先，在基底上形成子介质层和金属材料层，并重复多次； 之后，对完成上述步骤的基底进行退火，W使金属材料层中的金属原子团簇成金 属颗粒，形成金属颗粒层。进一步优选的是，所述退火的时间为5至30min;退火的溫度为300至500°C。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种化邸显示面板的制备方法，包括上 述的显示基板的制备方法。 本专利技术具有如下有益效果： 由于本专利技术的显示基板的OLm)器件的出光面侧设置有金属颗粒层，所W显示基板 中的0L邸器件的发光效率可W大大提高，同时提高显示基板的出光率。【附图说明】 图1为本专利技术实施例1和2的显示基板的结构示意图； 图2为本专利技术实施例1的0L邸显示面板的结构示意图； 图3为本专利技术实施例2的0L邸显示面板的结构示意图； 图4为本专利技术实施例3和4的显示基板的制备方法的示意图。 其中附图标记为：1、基底；11、子介质层;20、金属材料层；12、金属颗粒层;2、驱动 晶体管;3、0L邸器件。【具体实施方式】 为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方 式对本专利技术作进一步详细描述。[003引 实施例1: 结合图1所示，本实施例提供一种显示基板，该显示基板为阵列基板，其包括:基底 1和设置在化抓器件3,其中化抓器件3为底发射型化抓器件。特别的是，在实施例基底1与 0L邸器件3之间设置有介质层，且在介质层中设置有至少一层金属颗粒层12。 如图2所示，当化邸显示面板中的0L抓器件3为底发射型化邸器件3,其所发射的光 照射至基底1上的金属颗粒层12后，利用金属颗粒层12中的金属颗粒的表面等离子体共振 效应来增强有机电致发光器件的发光效率，从而增强显示基板的出光率。[003引需要说明的是，表面等离子体(surface plasmons;SPs)是指在金属表面存在的自 由振动的电当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：位于OLED器件的出光面侧的基底；设置在基底与所述OLED器件之间的介质层；以及，设置在介质层中的至少一层金属颗粒层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海东，文官印，盖人荣，马群，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11