图像传感器及包括该图像传感器的电子装置制造方法及图纸

本公开提供了图像传感器及包括该图像传感器的电子装置。该图像传感器包括：半导体基板，集成有多个感光器件；以及纳米图案层，在半导体基板上，该纳米图案层具有多个纳米图案，其中该多个纳米图案中的单个纳米图案对应于该多个感光器件中的单个感光器件。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。
技术介绍
光电子器件利用光电效应将光转换成电信号，并可以包括光电二极管和/或光电晶体管。光电子器件可以应用于图像传感器和/或太阳能电池。包括光电二极管的图像传感器要求相对高的分辨率，并因此要求相对小的像素。目前，广泛地采用硅光电二极管，但是硅光电二极管具有灵敏度降低的问题，并由于相对小的像素而具有相对小的吸收面积。另一方面，当光进入图像传感器时，滤色器在每个像素中选择性地吸收给定的(或者可选地，预定的)波长区域中的光。红色滤色器、蓝色滤色器和绿色滤色器分别设置在红色像素、蓝色像素和绿色像素上并选择性地透射红光、蓝光和绿光，并且被选择性透射的光可以传输到每个像素的光电二极管。然而，滤色器不仅会自身吸收光并因此对传送到光电二极管的光引起相对大量的损失，而且还通过旋涂、UV曝光和/或湿蚀刻的工艺形成并因此在将图像传感器的像素尺寸减小为小于或等于给定的(或者可选地，预定的)尺寸上受到限制。
技术实现思路
示例实施例提供一种图像传感器，其能够提高每个像素的波长选择性，因此改善灵敏度和光效率以及将像素尺寸减小为小于或等于给定的(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：半导体基板，集成有多个感光器件；以及纳米图案层，在所述半导体基板上，所述纳米图案层具有多个纳米图案，其中所述多个纳米图案中的单个纳米图案对应于所述多个感光器件中的单个感光器件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李启滉，李光熙，林东晳，陈勇完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR