一种在OVD沉积过程中保护喷灯导轨的装置制造方法及图纸

技术编号:13106797 阅读:78 留言:0更新日期:2016-03-31 12:44
本实用新型专利技术提供了一种在OVD沉积过程中保护喷灯导轨的装置,包括L型气封结构、挡板、滑动模块和喷灯基座;挡板设置在所述喷灯导轨一侧;L型气封结构短立臂设置在喷灯导轨异于挡板的一侧,其长卧臂朝挡板方向横穿入喷灯基座;长卧臂朝向挡板的一端设有一排气封端面小孔,在挡板朝向所述L型气封结构的一侧对应气封端面小孔的位置设有一排挡板端面小孔;挡板与长卧臂间留有气帘间隙;气封端面小孔均与L型气封结构上设置的气封氮气接口连通;挡板端面小孔均与挡板上设置的挡板氮气接口连通;喷灯基座内设有与喷灯连通的气体管路。本实用新型专利技术能保护喷灯导轨不被腐蚀,保证喷灯导轨精度,减少产品的不合格率或报废率,提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光纤预制棒生产制造
,尤其是涉及一种在0VD沉积过程中保护喷灯导轨的装置。
技术介绍
由于使用大直径光纤预制棒拉丝,能够大大的提高光纤的生产效率,有效的降低光纤的生产成本,在大直径光纤预制棒生产上,0VD技术作为生产预制棒包层的工艺具有得天独厚的技术优势,因此,0VD技术必将受到越来越多的企业家们的关注和青睐。0VD技术的工艺原理是火焰水解反应,所谓火焰水解反应,是指四氯化硅(SiC14)、四氯化锗(GeC14)蒸汽与氢氧焰发生水解反应,生成玻璃微粒,其化学反应方程式如公式1、公式2所示:SiC14+2H2+02—Si02+4HCl1.....................公式 1GeC14+2H2+02—Ge02+4HCl1.....................公式 2OVD技术的工艺过程如下:四氯化硅(SiC14)、四氯化锗(GeC14)蒸汽通过喷灯喷出,与喷灯口的氢氧焰发生水解反应,生成Si02微粒;控制喷灯沿喷灯导轨来回运动,从而将Si02微粒逐层均匀的沉积在匀速旋转的母棒表面;通过控制光纤预制棒中每一层二氧化锗(Ge02)的含量,实现光纤预制棒折射率剖面分布的控制。由于0VD技术生产光纤预制棒时,是喷灯沿着喷灯导轨来回运动,将Si02颗粒沉积在母棒表面的,因此,光纤预制棒的以下几个性能受喷灯导轨精度的影响:(1)光纤预制棒的外径波动:喷灯导轨精度达不到要求,喷灯导轨表面不平整,在0VD沉积过程中,喷灯沿喷灯导轨来回运动时不稳定,导致部分位置沉积时间长,部分位置沉积时间短,使生产的光纤预制棒外径不均匀;(2)芯包同心度:喷灯导轨精度达不到要求,喷灯导轨轴向准直不合格,在0VD沉积过程中,喷灯沿喷灯导轨来回运动时,呈微小的“S”型运动,导致沉积的光纤预制棒芯包同心度不合格;(3)光纤预制棒的光学性能:喷灯导轨精度达不到要求,在0VD沉积过程中,喷灯沿喷灯导轨来回运动时不稳定,导致光纤预制棒每一层不均匀,影响光纤预制棒的折射率剖面分布,这必将影响到光纤预制棒的光学性能。由上可知,为保证光纤预制棒的质量,需要喷灯导轨的精度达到很高的要求,一般在5μπι/πι以内,因此,喷灯导轨的材质一般都是不锈钢。然而,传统0VD沉积设备的喷灯导轨是裸露在沉积腔内,其结构如图1所示,只有导轨表面的一层润滑油用作防护,但是,由公式1、公式2可知,0VD沉积腔内是强酸性和高温环境,因此,在使用一段时间后,喷灯导轨会被腐蚀,一方面,喷灯导轨被腐蚀后,将破坏喷灯导轨的精度,同时,喷灯导轨被酸性气体腐蚀产生的铁离子,在高温条件下挥发,会被气流携带渗进光纤预制棒中,这些都将影响到光纤预制棒的质量,导致光纤预制棒不合格,使得报废率升高,增加光纤预制棒的生产成本。另一方面,喷灯导轨被腐蚀后,需停止生产,更换喷灯导轨,势必影响设备的生产效率,同时,喷灯导轨价格昂贵,较高频次更换喷灯导轨,会大大的增加光纤预制棒的生产成本。
技术实现思路
有鉴于此,本技术旨在提出一种在0VD沉积过程中保护喷灯导轨的装置,能够有效对保护喷灯导轨不被腐蚀或生长锈斑。为达到上述目的,本技术的技术方案是这样实现的:—种在0VD沉积过程中保护喷灯导轨的装置,包括L型气封结构、挡板、以及滑动安装在喷灯导轨上的滑动模块、以及安装在滑动模块上的喷灯基座;所述挡板设置在所述喷灯导轨一侧;所述L型气封结构的短立臂设置在所述喷灯导轨异于设置有挡板的一侧,其长卧臂朝所述挡板方向横穿入所述喷灯基座的凹槽内;所述长卧臂朝向挡板的一端设有一排气封端面小孔,在所述挡板朝向所述L型气封结构的一侧对应气封端面小孔的位置设有一排挡板端面小孔;所述挡板与所述长卧臂之间留有气帘间隙;所述气封端面小孔均与所述L型气封结构上设置的气封氮气接口连通;所述挡板端面小孔均与所述挡板上设置的挡板氮气接口连通;所述喷灯基座内设有与所述喷灯连通的气体管路。进一步,所述喷灯基座上的气体管路与喷灯的主管路采用软管连接。进一步,所述L型气封结构为具有气封空腔的中空结构,其上的所述气封氮气接口及气封端面小孔均与所述气封空腔连通。进一步,所述挡板为具有挡板空腔的中空结构,其上的所述挡板氮气接口及挡板端面小孔均与所述挡板空腔连通。进一步,所述挡板与所述长卧臂之间的气帘间隙为2cm?2.5cm。相对于现有技术,本技术具有以下优势:将喷灯导轨与0VD沉积腔内的强酸性、高温环境隔绝,保护喷灯导轨不被腐蚀或生长锈斑,不仅能大大的延长喷灯导轨的使用寿命,减少设备的停机时间,降低生产成本,而且,也能在较长的时间内,保证喷灯导轨的精度,从而,确保0VD沉积工艺环境的稳定性,减少广品的不合格率或报废率,提尚广品质量。【附图说明】构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1为喷灯导轨裸露在沉积腔内的传统OVD沉积设备结构示意图;图2为本技术的立体结构不意图;图3为本技术的结构剖视图。附图标记说明:1-喷灯导轨,2-滑动模块,3-喷灯基座,4-喷灯,5-L型气封结构,6_气封氮气接口,7_挡板,8-挡板氮气接口,9-气体管路,10-气封端面小孔,11-保护腔体,12-挡板端面小孔,13-挡板空腔,14-气封空腔,15-短立臂,16-长卧臂,17-凹槽,18-气帘间隙。【具体实施方式】需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。一种在0VD沉积过程中保护喷灯导轨的装置,如图2和图3所示,包括L型气封结构5、挡板7、以及滑动安装在喷灯导轨1上的滑动模块2、以及安装在滑动模块2上的喷灯基座3;所述挡板7设置在所述喷灯导轨1 一侧;所述L型气封结构5的短立臂15设置在所述喷灯导轨1异于设置有挡板7的一侧,其长卧臂16朝所述挡板7方向横穿入所述喷灯基座3的凹槽17内;所述长卧臂16朝向挡板7的一端设有一排气封端面小孔10,在所述挡板7朝向所述L型气封结构5的一侧对应气封端面小孔10的位置设有一排挡板端面小孔12;所述挡板7与所述长卧臂16之间留有气帘间隙18;所述气封端面小孔10均与所述L型气封结构5上设置的气封氮气接口6连通;所述挡板端面小孔12均与所述挡板7上设置的挡板氮气接口8连通;所述喷灯基座3内设有与所述喷灯4连通的气体管路9。需要指出的是,挡板7与喷灯基座3之间、以及L型气封结构5的长卧臂16与喷灯基座3之间均有一定间隙,会由通入的氮气隔绝0VD沉积时的强酸性、高温环境。当前第1页1 2 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种在OVD沉积过程中保护喷灯导轨的装置,其特征在于:包括L型气封结构、挡板、以及滑动安装在喷灯导轨上的滑动模块、以及安装在滑动模块上的喷灯基座;所述挡板设置在所述喷灯导轨一侧;所述L型气封结构的短立臂设置在所述喷灯导轨异于设置有挡板的一侧,其长卧臂朝所述挡板方向横穿入所述喷灯基座的凹槽内;所述长卧臂朝向挡板的一端设有一排气封端面小孔,在所述挡板朝向所述L型气封结构的一侧对应所述气封端面小孔的位置设有一排挡板端面小孔;所述挡板与所述长卧臂之间留有气帘间隙;所述气封端面小孔均与所述L型气封结构上设置的气封氮气接口连通;所述挡板端面小孔均与所述挡板上设置的挡板氮气接口连通;所述喷灯基座内设有与所述喷灯连通的气体管路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈小平何炳向德成钱昆田锦成贺程程
申请(专利权)人:江苏通鼎光棒有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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