一种高精度的四氯化锗鼓泡装置制造方法及图纸

本申请涉及一种高精度的四氯化锗鼓泡装置，包括特气分配柜、蒸发设备控制组件、蒸发罐、喷灯、通风排气组件，以及向所述蒸发罐通入四氯化锗原料的第一管道和第二管道、向所述蒸发罐通入氩气的第三管道、由所述蒸发罐蒸发出蒸发气体的第四管道、连通所述第三管道和第四管道的第五管道、向所述喷灯通入蒸发气体的第六管道、向所述通风排气组件排气的第七管道和第八管道。本实用新型专利技术高精度的四氯化锗鼓泡装置通过借助可编程逻辑控制器、比例电磁阀、自动阀阀门等设备改进实现鼓泡气体压力、流量精确控制，避免光纤预制棒芯棒芯层出现气泡、开裂、光学参数超标等问题，极大提高了预制棒的产品质量，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度的四氯化锗鼓泡装置
本申请属于光纤预制棒芯棒制造
领域，尤其是涉及一种高精度的四氯化锗鼓泡装置。
技术介绍
在光纤预制棒制造过程中，主要通过“VAD(轴向气相沉积法)和OVD(棒外化学汽相沉积法)”两步法分别制取光纤预制棒芯棒和光纤预制棒。其中VAD法利用热泳原理将二氧化硅SiO2粉体沉积附着到旋转的石英靶棒表面，制造出VAD疏松体，VAD疏松体经高温1500℃进行玻璃化，最终制作出透明的光纤预制棒芯棒。光纤预制棒芯棒需要通过掺杂Gecl4(四氯化锗)提高芯层的光学折射率，Gecl4掺杂效果的稳定性直接影响到芯棒的光学性能，影响光纤预制棒的产品质量。通常，Gecl4掺杂工艺主要通过鼓泡法、直接高温蒸发法等方式进行。传统的VAD沉积采用鼓泡罐鼓泡Gecl4原料，主要利用热载气(氩气或者氮气等)通入低温Gecl4原料，气化携带Gecl4蒸气进入蒸汽管道，最终通过VAD喷灯与氢氧高温水解反应生成二氧化锗GeO2粉末。鼓泡效率主要受载气流量、Gecl4液位、液态面积、蒸发罐温度和载气气泡的分散度等因素共同影响。尤其蒸发罐内进行G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高精度的四氯化锗鼓泡装置，其特征在于，包括特气分配柜、蒸发设备控制组件、蒸发罐、喷灯、通风排气组件，以及向所述蒸发罐通入四氯化锗原料的第一管道和第二管道、向所述蒸发罐通入氩气和氮气的第三管道、由所述蒸发罐蒸发出蒸发气体的第四管道、连通所述第三管道和第四管道的第五管道、向所述喷灯通入蒸发气体的第六管道、向所述通风排气组件排气的第七管道和第八管道，所述第一管道和第二管道两端连接所述特气分配柜和蒸发罐，所述第三管道和第四管道一端与所述蒸发罐连接，所述第六管道两端连接所述喷灯和所述第四管道的另一端，所述第七管道和第八管道两端连接所述通风排气组件和第六管道。/n

【技术特征摘要】
1.一种高精度的四氯化锗鼓泡装置，其特征在于，包括特气分配柜、蒸发设备控制组件、蒸发罐、喷灯、通风排气组件，以及向所述蒸发罐通入四氯化锗原料的第一管道和第二管道、向所述蒸发罐通入氩气和氮气的第三管道、由所述蒸发罐蒸发出蒸发气体的第四管道、连通所述第三管道和第四管道的第五管道、向所述喷灯通入蒸发气体的第六管道、向所述通风排气组件排气的第七管道和第八管道，所述第一管道和第二管道两端连接所述特气分配柜和蒸发罐，所述第三管道和第四管道一端与所述蒸发罐连接，所述第六管道两端连接所述喷灯和所述第四管道的另一端，所述第七管道和第八管道两端连接所述通风排气组件和第六管道。


2.根据权利要求1所述的高精度的四氯化锗鼓泡装置，其特征在于，所述蒸发罐罐体上设置上、下两块液位窗口，位于上方的液位窗口用以标记液位一，位于下方的液位窗口用以标记液位二。


3.根据权利要求1所述的高精度的四氯化锗鼓泡装置，其特征在于，所述第一管道、第二管道、第三管道、第四管道、第五管道、第六管道和第八管道上分别设置有第三自动阀、第四自动阀、第五自动阀、第六自动阀、第七自动阀、第八自动阀和第九自动阀，所述第一管道上设置有第一调压阀，所述第二管道上设置有手动阀和第二调压阀，所述第七管道上设置有比例电磁阀。


4.根据权利要求3所述的高精度的四氯化锗鼓泡装置，其特征在于，还包括可编程逻辑控制器，所述特气分配柜和第三管道、第四管道上分别设有第一压力传感器、第二压力传感器和第三压力传感器，所述第一压力传感器、第三自动阀、第四自动阀与所述可编程逻辑控制器相连，所述第一压力传感器记录压力并反馈可编程逻辑控制器以调节所述第三自动阀、第四自动阀，所述第二压力传感器、第三压力传感器、比例电磁阀与所述可...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈小平，王兵钦，何炳，边志成，尹中南，范忠阔，陈苏，朱坤，
申请(专利权)人：江苏通鼎光棒有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32