一种涂层导体REBCO超导层的生长方法技术

技术编号:13011010 阅读:196 留言:0更新日期:2016-03-11 00:10
本发明专利技术提供一种涂层导体REBCO超导层的生长方法,具体涉及一种通过Gd离子或者Sm离子部分替代Y离子的方式在LAO基片上制备REBCO超导层的方法,有效克服YBCO超导层的厚度效应,提高超导载流能力。该制备方法利用有机金属溶液沉积技术。先按金属阳离子比为Y:RE:Ba:Cu:O=1-x:x:2:3.10进行前驱液的配置,然后用浸渍提拉机在铝酸镧基片上进行多次提拉镀膜,把镀好膜的样品进行热处理以及退火处理,得到在铝酸镧基片上生长的YBCO超导层。利用该方法能生产出厚度达到5μm的高载流能力的REBCO涂层导体,临界电流可达500A/cm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种涂层导体REBC0的制备方法,尤其涉及到用有机金属溶液沉积法在铝酸镧基片上生长REBC0超导层的方法,同时涉及到用该方法所产生的一种REBC0涂层导体。
技术介绍
当前,电力供应日趋紧张,然而大量电能却被浪费在传统电缆上。如果使用超导带材,不仅这些损耗完全可以避免,而且可以节约大量的金属材料。当今超导带材的研究热点在基于YBC0(钇钡铜氧)体系的第二代高温超导带材,但是基于YBC0体系的涂层导体存在厚度效应,即当其厚度大于一定值(约2 μπι)时,临界电流密度、甚至临界电流出现减少的现象,所以克服厚度效应成为突破的关键点。通过在传统的YBC0涂层导体中进行金属阳离子的掺杂能够有效地克服超导层的厚度效应。经过实验证明,通过在前驱液中用Gd替代部分Υ,利用脉冲激光沉积(PLD)方法制备的涂层导体,在比较厚时也可以保持良好的c轴取向生长,并且通过这种替代方式可以制备出厚度为2.8 μπι后且临界电流达到780A/cm的涂层导体。。因此,通过金属阳离子掺杂制备的涂层导体能有效的克服超导层的厚度效应,大大提高涂层导体的超导载流能力。虽然通过脉冲激光沉积(PLD)方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涂层导体REBCO超导层的生长方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:将乙酸钇与乙酸钆或者乙酸钐,再与乙酸钡以及乙酸铜按照金属阳离子浓度比:Y:RE:Ba:Cu:O=1‑x:x:2:3.10溶于去离子水得到阳离子浓度为1mol/L的溶液A,其中,RE为Gd或者Sm,x的值为0.1~0.5;步骤2:在溶液A加入过量丙酸,并且搅拌均匀充分反应,真空65℃~75℃条件下减压蒸馏得到溶液B;步骤3:在溶液B中加入甲醇,调整溶液中的金属阳离子浓度到1.5mol/L~2mol/L,加入PVB作为增稠剂,增稠剂与溶液的质量比为1:10~1:20,搅拌均匀,得到胶体前驱液;步骤4:采用浸渍提拉机对铝酸镧基片...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘胜利何茂赟王海云
申请(专利权)人:南京大学苏州高新技术研究院
类型:发明
国别省市:江苏;32

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