复合高压半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种复合高压半导体器件，其版图包括沿直线排布的直边部分，直边部分设置有增强型器件，增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱；第一场氧化层，位于第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于第一场氧化层第一侧的第一高压阱内；第一源极欧姆接触区，位于第二高压阱内；第一栅极，至少覆盖第一源极欧姆接触区和第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，第一场氧化层的第一侧远离第二高压阱，第一场氧化层的第二侧靠近第二高压阱；其中，第二高压阱的掺杂浓度小于第一高压阱的掺杂浓度。本实用新型专利技术有利于提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种复合高压半导体器件。
技术介绍
B⑶(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作二极管(Bipolar )、互补金属氧化物半导体场效应管(CMOS)和双扩散金属氧化物半导体场效应管(DM0S)器件，因此简称为B⑶技术。高压BCD技术一般是指器件耐压在100V以上的BCD技术，高压BCD技术目前广泛应用在AC-DC电源、LED驱动等领域，通常要求功率器件的耐压达到500V到800V不等。LDM0S(lateral double diffus1n M0S)器件和LIGBT(Lateral Insulated GateBipolar)器件都属于高压横向半导体器件，在AC交流应用中一般作为后续模块的驱动器件。通常，LDM0S器件和LIGBT器件的所有电极都在器件表面，便于和低压电路部分集成设i+oRESURF(Reduce Surface Field)技术是应用于高压横向半导体器件的一种技术，此技术可以获得耐压和导通电阻之间很好的平衡和优化。D.R.Disney等在2001年提出了一种具有双导电通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合高压半导体器件，其特征在于，所述复合高压半导体器件的版图包括沿直线排布的直边部分，所述直边部分设置有增强型器件，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于所述半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱，所述第一高压阱和第二高压阱具有第一掺杂类型；第一场氧化层，位于所述第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于所述第一场氧化层第一侧的第一高压阱内，所述第一漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一源极欧姆接触区，位于所述第二高压阱内，所述第一源极欧姆接触区具有第一掺杂类型；第一栅极，至少覆盖所述第一源极欧姆接触区和所述第一场氧...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚国亮，张邵华，吴建兴，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33