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本实用新型提供了一种复合高压半导体器件，其版图包括沿直线排布的直边部分，直边部分设置有增强型器件，增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱；第一场氧化层，位于第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于第一场氧化...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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