高电压金属氧化物半导体晶体管设备制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，包括：半导体基底；栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上的侧壁间隔物；漏极结构，位于所述半导体基底中；第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部分重叠；源极结构以及沟道区域。其中，所述源极结构包括：第二离子井；所述第二离子井位于所述第一离子井中，并且延伸至所述栅极下方，以与所述栅极部分重叠；其中，所述第一离子井和所述第二离子井具有相同的导电类型和不同的掺杂浓度；其中，所述沟道区域由所述第一离子井和所述栅极之间的重叠区域和所述第二离子井和所述栅极之间的重叠区域组成。本发明专利技术实施例，可以提高截止频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体晶体管设备
，尤其涉及一种提高了截止频率(Ft)的高电压金属氧化物半导体(high-voltage metal-oxi de-semi conductor, HVMOS)晶体管设备。
技术介绍
集成在硅基底上的高效功率半导体晶体管在诸如便携式设备(如移动电话)等中广泛使用，其中该高效功率半导体晶体管可以是用于射频功率应用的漏极延伸(drain-extens1n)型 M0S。—般地，HVM0S设备具有有限的截止频率。但是，有一些应用需要高的截止频率，例如通信中的应用，特别是无线设备中的应用。为了最大化截止频率Ft，需要最小化有效的栅沟道长度(Lgi(3ff)。众所周知，M0S晶体管的阈值电压(Vt)随着Lg，eff的减小而下降。当V ,下降过多时，关态(off-state)泄漏电流(Irff)变得过大，并且沟道长度不可接受。随着沟道长度的下降，Vt衰减(roll-off)现象变得更加明显。现有HVM0S设备使用井或多晶来做光对准(photo alignment)，以控制设备的沟道长度。但是，这需要忍受差的工艺控制和更糟的1衰减，从而限制最小的Lg本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，包括：半导体基底；栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；侧壁间隔物，位于所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上；漏极结构，位于所述半导体基底中；第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部分重叠；源极结构，位于所述半导体基底中，并且远离所述漏极结构；以及沟道区域；其中，所述源极结构包括：第二离子井，位于所述第一离子井中并延伸至所述栅极下方以与所述栅极部分重叠；所述第一离子井和所述第二离子井具有相同的导电类型和不同的掺杂浓度；其中，所述沟道区域由所述第一离子井和所述栅极之间的重叠区域和所述第二离子井和所述栅极之间的重叠区域组成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔣柏煜，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71