一种结构改良的石英晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术涉及石英晶体谐振器技术领域，具体涉及一种结构改良的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体的底部分别通过第一导电胶、第二导电胶与第一涂覆区域的顶部、第二涂覆区域的顶部粘接。本实用新型专利技术的石英晶体谐振器可大幅减少绝缘不良率52.6%以上，生产效益高、生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石英晶体谐振器
，具体涉及一种结构改良的石英晶体谐振器。
技术介绍
石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，随着科技的发展和生活水平的提高，人们对电子产品不断追求质量轻、体积小、外观美等优点的产品。而石英晶体谐振器的压电效应能够为电子产品提供稳定的时钟信号。为满足现工业生产要求，石英晶体谐振器自身体积也不断缩小，才能与智能化的电子产品完美结合。石英晶体谐振器在智能电子领域的作用如：1.手机的通话、摄像、卫星定位等功能；2.汽车的引擎控制；3.电子手表的计时功能等。从中体现出晶体扮演着不可缺少的重要角色。在石英晶体谐振器的制造工艺中，对于不同频点产品晶片厚度要求不一样，频率越高设计晶片厚度越薄。为使晶片更好结合不易掉落，现工艺要求为底胶+晶片+面胶→高温固化。当基座内腔高度较低时，面胶易高出基座，会出现微调不调，压封后面胶与LID接触造成绝缘不良。经计算，面胶高度不得超出34.7μm。现有技术中，为保证面胶不超过基座高度，则需降低针头，会出现压碎晶片、针头粘晶片和堵胶等现象，晶片搭载高度往下压易造成碎片。因此，针对现有技术中存在的问题，亟需提供一种解决方式，提高，并且对产品品质稳定性无影响，满足客户使用要求。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种结构改良的石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器可大幅减少绝缘不良，生产效益高、生产成本低。本技术的目的通过下述技术方案实现：一种结构改良的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体的底部分别通过第一导电胶、第二导电胶与第一涂覆区域的顶部、第二涂覆区域的顶部粘接。其中，所述第一导电胶、第二导电胶的外径均为0.17-0.21mm。其中，所述第一导电胶的中心与所述第一涂覆区域的顶边之间的距离、所述第二导电胶的中心与所述第二涂覆区域的顶边之间的距离均为0.08-0.12mm。其中，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为15-35μm。其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶均为硅酮类导电粘合剂制成的第一导电胶和第二导电胶。其中，所述上镀膜层、侧面镀膜层、下镀膜层均为镀银层，镀银层的厚度为3500-4500埃。其中，所述镀银层与所述晶片本体之间设置有镀铬层。其中，所述镀铬层的厚度为40-50埃。其中，所述上镀膜层中部开设有刻蚀层，刻蚀层的长边与所述上镀膜层的长边之间的距离为0.25-0.40mm，刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20-0.35mm。其中，所述晶片本体呈双凸形，晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。本技术的有益效果在于：本技术先在第一涂覆区域的顶部、第二涂覆区域分别点上第一导电胶、第二导电胶，然后将晶片本体放入基座内，使第一导电胶、第二导电胶与晶片本体接触，不在晶片本体的上方再次点胶，减少胶的使用成本。本技术的石英晶体谐振器可大幅减少绝缘不良率52.6%以上，生产效益高、生产成本低。附图说明图1是本技术实施例一的结构示意图。图2是本技术实施例一的局部结构示意图。图3是本技术实施例一所述晶片本体的剖视图。图4是本技术实施例二的结构示意图。图5是本技术实施例三所述晶片本体的俯视图。图6是本技术实施例三所述晶片本体的主视图。图7是本技术实施例三所述晶片本体的右视图。附图标记为：1—晶片本体、2—基座、11—上镀膜层、111—刻蚀层、12—侧面镀膜层、13—下镀膜层、14—镀铬层、141—第一导电胶涂覆区域、142—第二导电胶涂覆区域、151—第一导电胶、152—第二导电胶。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-7对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。如图1-3所示为本技术所述一种结构改良的石英晶体谐振器的实施例一，包括基座2和固定于基座2内的晶片本体1，晶片本体1的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层11、侧面镀膜层12和下镀膜层13，基座2内设置有第一涂覆区域141和第二涂覆区域142，第一涂覆区域141设置有第一导电胶151，第二涂覆区域142设置有第二导电胶152，晶片本体1的底部分别通过第一导电胶151、第二导电胶152与第一涂覆区域141的顶部、第二涂覆区域142的顶部粘接。所述第一导电胶151还可以涂布于第一涂覆区域141的右上角，第二导电胶152涂布于第二涂覆区域142的左上角；或者，所述第一导电胶151涂布于第一涂覆区域141靠近顶部的中心位置，第二导电胶152涂布于第二涂覆区域142靠近顶部的中心位置。本技术先在第一涂覆区域141的顶部、第二涂覆区域142分别点上第一导电胶151、第二导电胶152，然后将晶片本体1放入基座2内，使第一导电胶151、第二导电胶152与晶片本体1接触，不在晶片本体1的上方再次点胶，减少胶的使用成本。本技术的石英晶体谐振器可大幅减少绝缘不良率52.6%以上，生产效益高、生产成本低。本实施例中，所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.17-0.21mm。优选的，所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.18-0.20mm；更为优选的，所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.18mm；另一优选的，所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.19mm；另一优选的，所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.20mm。所述第一导电胶151、第二导电胶152的外径G均为0.17-0.21mm时可以确保第一导电胶151、第二导电胶152在第一涂覆区域141和第二涂覆区域142内，提高石英晶片的稳定性。本实施例中，所述第一导电胶151的中心与所述第一涂覆区域141的顶边之间的距离L、所述第二导电胶152的中心与所述第二涂覆区域142的顶边之间的距离L均为0.08-0.12mm。优选的，导电胶的中心与导电胶涂覆区域的顶边之间的距离L为0.09-0.11mm；更为优选的，导电胶的中心与导电胶涂覆区域的顶边之间的距离L为0.09mm；另一优选的，导电胶的中心与导电胶涂覆区域的顶边之间的距离L为0.10mm；另一优选的，导电胶的中心与导电胶涂覆区域的顶边之间的距离L为0.11mm。导电胶的中心与导电胶涂覆区域的顶边之间的距离L为0.08-0.12mm时，可以确保第一导电胶151、第二导电胶152在第一涂覆区域141和第二涂覆区域142内，提高石英晶片的稳定性。本实施例中，所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离I为1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构改良的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，其特征在于：基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体的底部分别通过第一导电胶、第二导电胶与第一涂覆区域的顶部、第二涂覆区域的顶部粘接。

【技术特征摘要】
1.一种结构改良的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，其特征在于：基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体的底部分别通过第一导电胶、第二导电胶与第一涂覆区域的顶部、第二涂覆区域的顶部粘接。
2.根据权利要求1所述的一种结构改良的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶、第二导电胶的外径均为0.17-0.21mm。
3.根据权利要求1所述的一种结构改良的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶的中心与所述第一涂覆区域的顶边之间的距离、所述第二导电胶的中心与所述第二涂覆区域的顶边之间的距离均为0.08-0.12mm。
4.根据权利要求1所述的一种结构改良的石英晶体谐振器，其特征在于：所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为15-35μm。
5.根据权利要求1所述的一种结构改良...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐振桓，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44