一种絮状结构纳米二氧化锰的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种絮状结构纳米二氧化锰的制备方法，其步骤：(1).将一定量的去离子水加入到光照反应器中，在光源照射下，将一定浓度的高锰酸钾溶液以一定的速度滴加到光照反应器，滴加后再光照反应一定时间，反应后放置数天，即得到悬浊液；(2).对上述步骤(1)所得的悬浊液洗涤数次，得到样品；(3).将上述步骤(2)所得样品冷冻干燥，即得所述的絮状结构纳米二氧化锰产品。本发明专利技术的方法可以利用各种实验室光源或者直接利用太阳光照得到不同大小和厚度的絮状结构纳米二氧化锰，其结构为片层结构，该片层结构能使二氧化锰的每个锰原子暴露在电解液中，提高材料的导电性。该方法具有工艺简单、操作简便、对环境友好、节能等突出优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料制备领域，具体涉及。
技术介绍
二氧化锰作为过渡金属氧化物，因其可变的氧化价态而具有优异的电容特性、环境友好和低成本等特点而广泛应用于电池、超级电容、吸附和降解材料、气体传感和催化等领域，其中，片层状二氧化锰材料因其具有比表面大、活性位暴露多等优点而备受关注。有研究表明，二氧化锰的理论电容高达1370F/g，但因其致密的结构使电解液无法高效渗透进材料的内层而导致实际电容值远低于理论值，这给实际应用带来了很大的局限性。目前，合成二氧化锰的方法有很多，如水热法、氧化还原法、微波法、溶胶凝胶法、共沉淀法等，以上方法各有优缺点，但是，这些方法很难对二氧化锰的片状结构进行有效控制，且影响二氧化锰材料的实际应用，因此对片状二氧化锰的制备方法还需进一步探索。
技术实现思路
本专利技术提供，该方法通过光照反应分解高锰酸钾获得絮状结构纳米二氧化锰，其片层结构，能使二氧化锰的每个锰原子暴露在电解液中，提高材料的导电性，该方法具有工艺简单、操作简便、对环境友好、节能优点。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案为: ，其包括以下步骤: (1).将一定量的去离子水加入到光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种絮状结构纳米二氧化锰的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：将一定量的去离子水加入到光照反应器中，在光源照射下，将一定浓度的高锰酸钾溶液以一定的速度滴加到光照反应器，滴加后再光照反应一定时间，反应后放置数天，即得到悬浊液；对上述步骤(1)所得的悬浊液洗涤数次，得到样品；将上述步骤(2)所得样品冷冻干燥，即得所述的絮状结构纳米二氧化锰产品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施利毅，黄垒，胡晓楠，张登松，张剑平，李红蕊，颜婷婷，
申请(专利权)人：上海大学，上海产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：上海;31