红外大功率COB监控灯光源制造技术

本实用新型专利技术公开一种红外大功率COB监控灯光源，包括波长为850nm的发光芯片、引出发光芯片正极的硅片以及铜基板，所述发光芯片为方形结构，发光芯片的正极焊点和负极焊点分别从发光芯片的底部和顶部引出，所述硅片由导电层和绝缘层构成，所述硅片的导电层与发光芯片底部的正极焊点表面相接触，所述硅片的绝缘层与铜基板相接触，正极导线从硅片上的导电层引出，负极导线从负极焊点引出，多块发光芯片通过正极导线与负极导线的适配串联连接构成大功率的灯珠串。通过在波长为850nm的发光芯片正极焊点面增设硅片，从而使得发光芯片的正极可以从硅片上引出，这样就能够实现发光芯片的串联，提高监控灯照射比普通的远20倍以上，监控信息也更清晰。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及监控灯光源的
，尤其涉及一种红外大功率C0B监控灯光源。
技术介绍
现有的监控灯光源一般都采用850nm的红外发光芯片，然而850nm的红外发光芯片由于其本身性质存在一定的局限性，其正极是从下面导电，负极是从上面导电，所以不能多颗芯片连接，只能做1W大功率光源，达不到安防监控的远程效果。
技术实现思路
针对上述技术中存在的不足之处，本技术提供一种通过设置硅片引出正极导线以实现发光芯片串联的红外大功率C0B监控灯光源。为了达到上述目的，本技术一种红外大功率C0B监控灯光源，包括波长为850nm的发光芯片、引出发光芯片正极的娃片以及铜基板，发光芯片的正极焊点从发光芯片的底部引出，发光芯片的负极焊点从发光芯片的顶部引出，所述硅片由导电层和绝缘层构成，所述硅片的导电层与发光芯片底部的正极焊点表面相接触，所述硅片的绝缘层与铜基板相接触，正极导线从硅片上的导电层引出，负极导线从负极焊点引出，多块发光芯片通过正极导线与负极导线的适配串联连接构成大功率的灯珠串。其中，该监控灯光源还包括正极引脚和负极引脚，多组灯珠串的正极端均与正极引脚相连，且多组灯珠串的负极端均与负极引脚相连，处于灯珠串正极端的硅片从导电层引出正极导线与正极引脚相连，处于灯珠串负极端的发光芯片从负极焊点引出负极导线与负极引脚相连。其中，处于灯珠串中间位置的硅片从导电层引出正极导线，并与前一块发光芯片的负极导线相连，且该中间位置硅片上的发光芯片从负极焊点引出负极导线，并与后一块硅片上引出的正极导线相连。其中，该监控灯光源还包括围胶支架以及表面硅胶，所述围胶支架固定在铜基板上，且发光芯片与硅片均容置在位角支架的芯片定位槽中，所述表面硅胶涂敷在发光芯片的外表面，并限制在定位槽的槽体内。其中，所述正极导线与负极导线均为金线，所述金线通过超声波键合的方式焊接在发光芯片与硅片上。其中，所述围胶支架上开设有多个第一定位孔，所述铜基板上开设有多个与第一定位孔相适配的第二定位孔，固定螺丝依次穿过第一定位孔和第二定位孔后，实现铜基板与围胶支架的固定连接。本技术的有益效果是:与现有技术相比，本技术的红外大功率C0B监控灯光源，通过在波长为850nm的发光芯片正极焊点面增设硅片，从而使得发光芯片的正极可以从硅片上引出，这样就能够实现发光芯片的串联，提高监控灯照射比普通的远20倍以上，监控信息也更清晰。本技术监控灯光源结构简单，易于实现，能够解决现有技术不能制作大功率COB监控灯的问题，以达到更佳监控效果。【附图说明】图1为本技术红外大功率C0B监控灯光源的俯视图；图2为本技术发光芯片与硅片的组合结构图。主要元件符号说明如下:10、发光芯片11、娃片12、铜基板13、围胶支架14、金线15、正极引脚16、负极引脚101、负极焊点111、导电层112、绝缘层。【具体实施方式】为了更清楚地表述本技术，下面结合附图对本技术作进一步地描述。参阅图1-2，本技术一种红外大功率C0B监控灯光源，包括波长为850nm的发光芯片10、引出发光芯片10正极的硅片11以及铜基板12，发光芯片10的正极焊点(图未示)从发光芯片10的底部引出，负极焊点101从发光芯片10的顶部引出，硅片11由导电层111和绝缘层112构成，硅片11的导电层111与发光芯片10底部的正极焊点表面相接触，硅片11的绝缘层112与铜基板12相接触，正极导线从硅片11上的导电层111引出，负极导线从负极焊点101引出，多块发光芯片10通过正极导线与负极导线的适配串联连接构成大功率的灯珠串。相较于现有技术，本技术的红外大功率C0B监控灯光源，通过在波长为850nm的发光芯片10正极焊点面增设硅片11，从而使得发光芯片10的正极可以从硅片11上引出，这样就能够实现发光芯片10的串联，提高监控灯照射比普通的远20倍以上，监控信息也更清晰。本技术监控灯光源结构简单，易于实现，能够解决现有技术不能制作大功率C0B监控灯的问题，以达到更佳监控效果。在本实施例中，该监控灯光源还包括正极引脚15和负极引脚16，多组灯珠串的正极端均与正极引脚15相连，且多组灯珠串的负极端均与负极引脚16相连，处于灯珠串正极端的硅片11从导电层111引出正极导线与正极引脚15相连，处于灯珠串负极端的发光芯片10从负极焊点101引出负极导线与负极引脚16相连。处于灯珠串中间位置的硅片11从导电层111引出正极导线，并与前一块发光芯片10的负极导线相连，且该中间位置硅片11上的发光芯片10从负极焊点101引出负极导线，并与后一块硅片11上引出的正极导线相连。在本实施例中，该监控灯光源还包括围胶支架13以及表面硅胶，围胶支架13固定在铜基板12上，且发光芯片10与硅片11均容置在位角支架的芯片定位槽中，表面硅胶涂敷在发光芯片10的外表面，并限制在定位槽的槽体内。表面硅胶只要是对发光芯片10进行一定的保护，围胶支架13主要是避免表面硅胶溢出。在本实施例中，正极导线与负极导线均为金线14，金线14通过超声波键合的方式焊接在发光芯片10与硅片11上。围胶支架13上开设有多个第一定位孔，铜基板12上开设有多个与第一定位孔相适配的第二定位孔，固定螺丝依次穿过第一定位孔和第二定位孔后，实现铜基板12与围胶支架13的固定连接。以上公开的仅为本技术的几个具体实施例，但是本技术并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本技术的保护范围。【主权项】1.一种红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，包括波长为850nm的发光芯片、引出发光芯片正极的硅片以及铜基板，发光芯片的正极焊点从发光芯片的底部引出，发光芯片的负极焊点从发光芯片的顶部引出，所述硅片由导电层和绝缘层构成，所述硅片的导电层与发光芯片底部的正极焊点表面相接触，所述硅片的绝缘层与铜基板相接触，正极导线从硅片上的导电层引出，负极导线从负极焊点引出，多块发光芯片通过正极导线与负极导线的适配串联连接构成大功率的灯珠串。2.根据权利要求1所述的红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，该监控灯光源还包括正极引脚和负极引脚，多组灯珠串的正极端均与正极引脚相连，且多组灯珠串的负极端均与负极引脚相连，处于灯珠串正极端的硅片从导电层引出正极导线与正极引脚相连，处于灯珠串负极端的发光芯片从负极焊点引出负极导线与负极引脚相连。3.根据权利要求2所述的红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，处于灯珠串中间位置的硅片从导电层引出正极导线，并与前一块发光芯片的负极导线相连，且该中间位置硅片上的发光芯片从负极焊点引出负极导线，并与后一块硅片上引出的正极导线相连。4.根据权利要求1所述的红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，该监控灯光源还包括围胶支架以及表面硅胶，所述围胶支架固定在铜基板上，且发光芯片与硅片均容置在位角支架的芯片定位槽中，所述表面硅胶涂敷在发光芯片的外表面，并限制在定位槽的槽体内。5.根据权利要求1所述的红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，所述正极导线与负极导线均为金线，所述金线通过超声波键合的方式焊接在发光芯片与硅片上。6.根据权利要求4所述的红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，所述围胶支架上开设有多个第一定位孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外大功率COB监控灯光源，其特征在于，包括波长为850nm的发光芯片、引出发光芯片正极的硅片以及铜基板，发光芯片的正极焊点从发光芯片的底部引出，发光芯片的负极焊点从发光芯片的顶部引出，所述硅片由导电层和绝缘层构成，所述硅片的导电层与发光芯片底部的正极焊点表面相接触，所述硅片的绝缘层与铜基板相接触，正极导线从硅片上的导电层引出，负极导线从负极焊点引出，多块发光芯片通过正极导线与负极导线的适配串联连接构成大功率的灯珠串。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖日阳，
申请(专利权)人：赖日阳，
类型：新型
国别省市：广东;44