感放射线性树脂组合物、绝缘膜及显示元件制造技术

本发明专利技术提供一种能够简便地形成可以控制介电特性的绝缘膜的感放射线性树脂组合物，并提供一种使用所述感放射线性树脂组合物的绝缘膜及液晶显示元件。感放射线性树脂组合物包含：[A]聚合物、[B]感光剂、以及[C]包含钛氧化物、与选自由钡、锶、钙、镁、锆及铅所组成的组群的至少一种金属元素的化合物，[C]化合物的c/a轴比为1.0025～1.010。使用主动元件(8)与形成有机绝缘膜(12)的基板(4)，在有机绝缘膜(12)上形成共通电极(14)后，使用感放射线性树脂组合物形成绝缘膜(33)，在绝缘膜(33)上配置像素电极(9)而制造阵列基板(1)。使用阵列基板(1)构成液晶显示元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种感放射线性树脂组合物、绝缘膜及显示元件。
技术介绍
近年来，与以前的阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT)方式的显示装置相比，由 于谋求薄型化或轻量化等的优点等，而使用液晶的显示元件、即液晶显示元件的开发正在 积极地进行。 液晶显不兀件具有在一对基板间夹持液晶的结构。在所述基板的表面，为了控制 液晶的取向，可以设置取向膜。另外，所述一对基板例如由一对偏光板夹持。并且，若在基 板间施加电场，则在液晶中引起取向变化，而将光部分地透射、或遮蔽。在液晶显示元件中， 利用如此的特性显示图像，可以提供薄型且轻量的显示元件。 液晶显示元件通过对每像素设置用以切换的主动元件的主动矩阵（active matrix)方式的开发，而可以实现对比度比或响应性能优异的良好的画质。而且，液晶显示 元件也克服了高精细化、彩色化及视角扩大等的问题，最近，已用作智能手机（smartphone) 等便携电子设备的显示元件、或大型且薄型的电视用显示元件。 在液晶显示元件中，已知有液晶的初始取向状态或取向变化动作不同的各种液晶 模式。例如已知：扭转向列（Twisted Nematic，TN)、超扭转向列（Super Twisted Nematic， STN)、共面切换（In-Planes Switching，IPS)、边缘场切换（Fringe Field Switching， FFS)、垂直取向（Vertical Alignment，VA)或光学补偿弯曲（Optically Compensated Birefringence，OCB)等液晶模式。 在所述液晶模式中，IPS模式及作为所述IPS模式的一例的FFS模式，由于具有宽 的视角、快的响应速度及高的对比度比，因此是近年来特别受到关注的液晶模式。另外，在 本专利技术中所谓IPS模式，表示液晶在夹持其的基板的面内进行切换（取向变化）动作的液 晶模式。因此，只要不特别加以区别，是除了所谓的被称为横向电场方式的狭义的IPS模式 外，也包括使用斜向电场（边缘电场）使液晶在基板的面内进行切换的FFS模式的概念。 在包括FFS模式的IPS模式（以下有时简称为" IPS模式"）的液晶显示元件中，以 在一对基板间所夹持的液晶相对于基板而大致平行的方式，控制液晶的初始取向状态。通 过在配置于所述基板中的一个基板的像素电极与共通电极之间施加电压，而形成以与基板 平面平行的成分为主的电场（所谓的横向电场或斜向电场（边缘电场）），而具备介电各向 异性的液晶的取向状态发生变化。因此，在IPS模式中，由电压施加引起的液晶的取向变化 如其名称那样，在与基板平面平行的面内，液晶分子的旋转动作为主。 根据如上所述，IPS模式与TN模式等的平行取向的液晶通过电压施加而进行立起 动作的液晶模式不同，液晶相对于夹持液晶的基板的倾角的变化小。因此，在IPS模式的液 晶显示元件中，伴随着电压施加的延迟（retardation)的有效值的变化变小，可以实现视 角宽且高画质的图像的显示。 在如上所述的IPS模式的液晶显示元件中，正在进行如下的电极结构的开发：在 透明的整块状电极（例如共通电极）上积层包含无机材料的无机绝缘膜，在所述无机绝缘 膜上重叠梳齿状电极（例如像素电极）（例如参照专利文献1或专利文献2)。根据所述结 构，像素的开孔率提尚，并且实现尚壳度的图像显不。 日本专利特开2011-48394号公报 日本专利特开2011-59314号公报
技术实现思路
关于IPS模式的液晶显示元件，近年来为了应对电视、或智能手机等便携电子设 备的显示元件的高解析化及高画质化，而要求进一步的高画质化、特别是高精细化。 在IPS模式的液晶显示元件中，在夹持液晶的一对基板中的一个基板上，配置用 以薄膜电晶体（TFT :Thin Film Transister)等的切换的主动元件。并且，也配置像素电极、 共通电极、与所述电极连接的配线等，而构成阵列基板。因此，在IPS模式的液晶显示元件 中，配置在阵列基板上的构成构件变多，在阵列基板上的电极结构或配线的配置结构比TN 模式等其他液晶模式复杂。根据如上所述，若欲进行进一步的高精细化，则有如下的担忧： 像素内的像素电极的面积减少，像素的开孔率降低而使显示的亮度降低。 在专利文献2中揭示如下阵列基板，在所述基板中，介隔包含无机材料的层间绝 缘膜（以下也称为"无机层间绝缘膜"）而在整块状共通电极上配置具有形成为梳齿状的 部分的像素电极（以下也称为"梳齿状像素电极"）。并且，在专利文献2中揭示，在整块状 共通电极与其下层的配线之间，设置包含有机材料的绝缘膜（以下有时简称为"有机绝缘 膜"）的技术。通过设置所述有机绝缘膜，而可以期待抑制像素电极与配线之间的耦合电容 的增大，且提尚开孔率。 此时，在专利文献2所记载的以前的IPS模式的液晶显示元件中，在整块状共通电 极与梳齿状像素电极之间，设置致密的包含SiN(氮化硅）的无机层间绝缘膜，所述无机层 间绝缘膜用以确保所述电极之间的绝缘性。所述包含SiN的无机层间绝缘膜通常利用化学 气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD)形成。 因此，在以前的IPS模式的液晶显示元件中，在共通电极与梳齿状像素电极之间 形成无机层间绝缘膜时，必须设置CVD工艺，而制造装置变成大规模的制造装置。并且，为 了提高生产性，若欲使用大型的基板，则制造装置必需进一步大规模的制造装置。因此，在 以前的IPS模式的液晶显示元件中，无机层间绝缘膜的形成成为谋求生产性提高方面的一 个制约，并且成为高成本化的主要原因。 因此，在IPS模式的液晶显示元件中，要求简便地形成配置在共通电极与梳齿状 像素电极之间的层间绝缘膜的技术。即，要求无需使用用于CVD等的大规模的制造装置，便 可在大型基板上简便地形成的绝缘膜。并且，所述绝缘膜优选图案化性、透光特性及绝缘性 优异，且优选介电特性及折射率特性与以前的层间绝缘膜相同。特别优选以与以前的TFT 组合，而代替包含SiN的无机层间绝缘膜变得容易的方式，具备相同的介电特性。 本专利技术鉴于如以上的问题而成。即，本专利技术的目的在于提供一种用于形成可以控 制介电特性的绝缘膜的感放射线性树脂组合物。 另外，本专利技术的目的在于提供一种可以简便地形成且可以控制介电特性的绝缘 膜。 而且，本专利技术的目的在于提供一种包含可以简便地形成且可以控制介电特性的绝 缘膜的显示元件。 本专利技术的第1形态是关于一种感放射线性树脂组合物，包含 聚合物、 感光剂、以及 包含钛氧化物、与选自由钡、锶、钙、镁、锆及铅所组成的组群的至少一种金属 元素的化合物，且 化合物的c/a轴比为1. 0025~1. 010。 在本专利技术的第1形态中，优选聚合物为包含具有羧基的构成单元的聚合物。 在本专利技术的第1形态中，优选感光剂包含选自光自由基聚合起始剂及光酸产 生剂中的至少一种。 在本专利技术的第1形态中，优选化合物为钛酸钡。 在本专利技术的第1形态中，优选进一步包含选自由具有氨基甲酸酯键及酰胺键 中的至少一种的聚合物、与具有氨基甲酸酯键及酰胺键中的至少一种的（甲基）丙烯酸酯 化合物所组成的组群的至少一种。 在本专利技术的第1形态中，优选用于形成显示元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感放射线性树脂组合物，其特征在于包含：[A]聚合物、[B]感光剂、以及[C]包含钛氧化物、与选自由钡、锶、钙、镁、锆及铅所组成的组群的至少一种金属元素的化合物，且[C]化合物的c/a轴比为1.0025～1.010。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：清水政宏，奥田隆一，滨田谦一，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP