化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途技术

本发明专利技术涉及一种化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Ca2B5O9OH·H2O，分子量为313.23，晶体属于单斜晶系，空间群Cc，晶胞参数为a=10.780(3)Å，b=6.5110(19)Å，c=12.339(4)Å，β=115.057(19)°，V=784.6(4)Å3。采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法得到化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体，该晶体其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的2倍，其紫外截止边在190nm以下，可作为深紫外非线性光学晶体。该晶体具有操作简单，成本低，原料毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶 体的化学式为Ca2B5090H*H20,利用该晶体制作的非线性光学器件。本专利技术属于无机化学领 域，也属于材料科学领域和光学领域。
技术介绍
1961年，Franken首次发现了石英晶体激光倍频现象，该现象的发现，不仅标志着 非线性光学的诞生，而且有力促进了非线性光学晶体材料的迅速发展。因此，非线性光学是 继激光产生之后兴起的一门学科，它属于光电子学的一个分支，相应的非线性光学晶体材 料是光电材料的一个重要组成部分。随着非线性光学的深入研究和新型材料的不断发展， 非线性光学晶体材料在固体激光技术、红外技术、光通讯技术、图象处理、光信号处理及光 计算等众多领域都具有极为重要的作用和巨大的潜在应用，因此，寻找性能优异的新型非 线性光学晶体成为了功能材料研究中的一个热点。 紫外、深紫外光源在深紫外光谱学、微电子学、微机械、信息学等方面等有极为广 阔的应用前景，使用非线性光学晶体进行频率转换是获得紫外、深紫外相干光源的主要手 段之一。目前能用于紫外波段的非线性光学晶体主要为硼酸盐系列晶体。硼酸盐非线性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体，其特征在于该晶体的分子式为Ca2B5O9OH·H2O，分子量为313.23，属于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a = 10.780(3) Å，b = 6.5110(19) Å，c = 12.339(4) Å，β= 115.057(19)°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘世烈，蒋相站，韩健，董孝宇，王西安，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：新疆;65