【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及耐热性硅烷交联树脂成型体及其制造方法、以及使用了耐热性硅烷交联树脂成型体的耐热性制品,特别是涉及具有优异的机械特性、绝缘电阻和阻燃性的耐热性硅烷交联树脂成型体及其制造方法、以及将耐热性硅烷交联树脂成型体用作电线的绝缘体或护皮等的耐热性制品。
技术介绍
对于在电气和电子设备的内部和外部配线中使用的绝缘电线、电缆、软线、光纤芯线和光纤软线,要求具有阻燃性、耐热性、机械特性(例如拉伸特性)、耐磨耗性、绝缘电阻等各种特性。作为用于这些配线材料的材料,通常使用大量混配了氢氧化镁、氢氧化铝、碳酸钙等无机填料的树脂组合物。另外,用于电气和电子设备的配线材料在长时间使用时有时会升温至80℃~105℃、进而125℃左右,有时要求对此具有耐热性。这种情况下,出于赋予配线材料以高耐热性的目的,采用了通过电子射线交联法、化学交联法等使被覆材料树脂交联(橋架け)(也称为交联(架橋))的方法。以往,作为使聚乙烯等聚烯烃树脂交联的方法,已知有:照射电子射线进行交联的电子射线交联法;在成型后施加热而使有机过氧化物等分解而进行交联反应的化学交联法;硅烷交联法。硅烷交联法是指下述方法:在有机过氧化物的存在下使具有不饱和基团的水解性硅烷偶联剂与聚合物进行接枝反应而得到硅烷接枝聚合物,之后在硅烷醇缩合催化剂的存在下与水分接触,从而得到交联成型体。在上述交联法中,特别是硅烷交联法由于大多不需要特殊的设备,因而能够在广 ...
【技术保护点】
一种耐热性硅烷交联树脂成型体的制造方法,其为具有下述工序(a)、工序(b)和工序(c)的耐热性硅烷交联树脂成型体的制造方法,工序(a):将树脂成分(A)100质量份、有机过氧化物(P)0.01质量份~0.6质量份、相对于包含表面处理无机填料(B)的无机填料(C)100质量份混合水解性硅烷偶联剂(q)0.5质量份~30.0质量份而成的硅烷偶联剂预混合无机填料(D)10质量份~150质量份、溴系阻燃剂(h1)15质量份~60质量份、和硅烷醇缩合催化剂(e1)0.001质量份~0.5质量份熔融混合的工序,工序(b):将所述工序(a)中得到的耐热性硅烷交联性树脂组合物(F)成型的工序,工序(c):使所述工序(b)中得到的成型物与水分接触、进行交联而制成成型体的工序;所述树脂成分(A)包含:(i)具有酸共聚成分或酸酯共聚成分的聚烯烃共聚物10质量%~90质量%、以及(ii)乙烯‑α‑烯烃共聚物10质量%~90质量%,所述工序(a)具有下述工序(a1)和工序(a3),在下述工序(a1)中将树脂成分(A)的一部分熔融混合的情况下进一步具有下述工序(a2),工序(a1):将所述树脂成分(A)的一部分或 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.03 JP 2013-1395511.一种耐热性硅烷交联树脂成型体的制造方法,其为具有下述工序(a)、工序(b)
和工序(c)的耐热性硅烷交联树脂成型体的制造方法,
工序(a):将树脂成分(A)100质量份、有机过氧化物(P)0.01质量份~0.6质量份、
相对于包含表面处理无机填料(B)的无机填料(C)100质量份混合水解性硅烷偶联剂
(q)0.5质量份~30.0质量份而成的硅烷偶联剂预混合无机填料(D)10质量份~150质量
份、溴系阻燃剂(h1)15质量份~60质量份、和硅烷醇缩合催化剂(e1)0.001质量份~
0.5质量份熔融混合的工序,
工序(b):将所述工序(a)中得到的耐热性硅烷交联性树脂组合物(F)成型的工序,
工序(c):使所述工序(b)中得到的成型物与水分接触、进行交联而制成成型体的
工序;
所述树脂成分(A)包含:(i)具有酸共聚成分或酸酯共聚成分的聚烯烃共聚物10质
量%~90质量%、以及(ii)乙烯-α-烯烃共聚物10质量%~90质量%,
所述工序(a)具有下述工序(a1)和工序(a3),在下述工序(a1)中将树脂成分(A)的一
部分熔融混合的情况下进一步具有下述工序(a2),
工序(a1):将所述树脂成分(A)的一部分或全部、所述有机过氧化物(P)、和所述
硅烷偶联剂预混合无机填料(D)在所述有机过氧化物(P)的分解温度以上熔融混合,制
备硅烷母料(Dx)的工序,
工序(a2):将作为载体树脂(e2)的所述树脂成分(A)的余部和硅烷醇缩合催化剂(e1)
熔融混合,制备催化剂母料(Ex)的工序,
工序(a3):将所述硅烷母料(Dx)和所述硅烷醇缩合催化剂(e1)、或者所述硅烷母料
(Dx)和所述催化剂母料(Ex)熔融混合的工序,
在所述工序(a1)和所述工序(a2)中的至少一个工序中混合所述溴系阻燃剂(h1)。
2.如权利要求1所述的耐热性硅烷交联...
【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤稔,西口雅己,松村有史,千叶宏树,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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