本发明专利技术提供一种柔性薄膜晶体管及其制造方法，该柔性薄膜晶体管包括：柔性基板；栅极，设置于所述柔性基板之上；无机绝缘层，设置于所述栅极之上；有机导电层，设置于所述无机绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有机导电层之上。本发明专利技术的柔性薄膜晶体管可增强无机绝缘层的保护能力，有机导电层可有效起到缓冲的效应，避免栅极与源/漏电极间出现不正常导通，改善短路问题，从而提高柔性薄膜晶体管的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管，特别涉及一种。
技术介绍
TFT-IXD因其体积薄、重量轻、画面质量优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等 优点，在各种大、中、小尺寸的产品上广泛得到应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子 产品,如电视、电脑（台式和笔记本）、手机、PDA、GPS、车载显示、仪器仪表、公共显示和虚幻 显示等。由于全球投入了大量的人力、物力和财力，目前形成了巨大的市场规模。 薄膜晶体管是指在衬底上沉积一层半导体薄膜，通过光刻、刻蚀等技术制作出源、 漏极，栅极及管体而成，它由栅绝缘层、有源层、栅极、源/漏电极几个部分组成，栅极绝缘 层通常为无机绝缘层且设置于栅极与源/漏电极之间。柔性薄膜晶体管是使用柔性基板的 薄膜晶体管，经过弯曲、变形、卷曲成直径几厘米的圆筒而不影响和损坏其显示性能。柔性 薄膜晶体管应用范围很广，如移动电话、笔记本电脑、电子书、汽车仪表、电子海报、个人数 字助理、RF辨识系统、传感器。 现有的柔性薄膜晶体管中，由于柔性基板如聚酰亚胺基板材质质地上偏软，在制 作阵列处理后，外部机械压力如探针划过、手指按压等容易造成无机绝缘层的破损，从而导 致栅极与源/漏电极间不正常导通，甚至出现短路问题，进而影响柔性薄膜晶体管的稳定 性。
技术实现思路
针对现有柔性薄膜晶体管存在的缺陷，专利技术人经过长期的深入研究，通过在现有 的无机绝缘层之上加入有机导电层，起到有效地缓冲作用，从而增加绝缘层的保护能力，降 低无机绝缘层因外部压力造成破损的风险。 -方面，本专利技术提供一种柔性薄膜晶体管，该柔性薄膜晶体管包括： 柔性基板； 栅极，设置于所述柔性基板之上； 无机绝缘层，设置于所述栅极之上； 有机导电层，设置于所述无机绝缘层之上；以及 源/漏电极，设置于所述有机导电层之上。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的一个实施方式中，所述栅极包括至少一种从包括 铝、钇、锌、铪、钽、钛、铬和其合金的组中选择的材料。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述无机绝缘层包括至少一种 从包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的组中选择的材料。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述有机导电层为高分子导电 层或纳米银丝胶材。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述有机导电层的厚度为 2咖A，-. 200(祕。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述柔性薄膜晶体管还包括有 源半导体层，所述有源半导体层设置于所述无机绝缘层与所述有机导电层之间。 另一方面，本专利技术还提供一种柔性薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤： 提供一柔性基板； 在所述柔性基板上形成栅极； 在所述栅极上形成无机绝缘层； 在所述无机绝缘层上形成有机导电层；以及 在所述有机导电层上形成源/漏电极。 在本专利技术的制造方法的一个实施方式中，在形成所述无机绝缘层的步骤后，还包 括在所述无机绝缘层上形成有源半导体层。 在本专利技术的制造方法的另一个实施方式中，利用一第一掩膜来形成所述有机导电 层，并利用一第二掩膜来形成所述源/漏电极，所述第一掩膜与所述第二掩膜具有相同的 图案。 再一方面，本专利技术还提供一种柔性薄膜晶体管，包括： 柔性基板； 缓冲层，设置于所述柔性基板之上； 栅极，设置于所述缓冲层之上； 无机绝缘层，设置于所述栅极之上； 有源半导体层，设置于所述无机绝缘层之上； 刻蚀阻挡层，设置于所述有源半导体层之上； 有机导电层，设置于所述刻蚀阻挡层之上； 源/漏电极，设置于所述有机导电层之上； 钝化层，设置于所述刻蚀阻挡层之上并包覆所述源/漏电极； 有机平坦层，设置于所述钝化层之上； 反射层，设置于所述有机平坦层之上并通过一接触孔与所述源/漏电极连接；以 及 像素定义层，设置于所述有机平坦层之上并部分覆盖所述反射层。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的一个实施方式中，所述栅极包括至少一种从包括 铝、钇、锌、铪、钽、钛、铬和其合金的组中选择的材料。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述无机绝缘层包括至少一种 从包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的组中选择的材料。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述有机导电层为高分子导电 层或纳米银丝胶材。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述有机导电层的厚度为 2000A~20000A。 在本专利技术的柔性薄膜晶体管的另一个实施方式中，所述源/漏电极和所述有机导 电层的形状相同。 本专利技术的柔性薄膜晶体管可增强无机绝缘层的保护能力，有机导电层可有效起到 缓冲的效应，避免栅极与源/漏电极间出现不正常导通，改善短路问题，从而提高柔性薄膜 晶体管的稳定性。【附图说明】 图1为本专利技术的柔性薄膜晶体管的结构示意图； 图2为根据本专利技术一个实施方式的柔性薄膜晶体管的结构示意图。 其中，附图标记说明如下： 101 柔性基板 102栅极 103 无机绝缘层 104有机绝缘层 105 源/漏电极 201 玻璃基板 202柔性基板 203 缓冲层 204栅极绝缘层 205 栅极 206刻蚀阻挡层 207 有源半导体层208钝化层 209 源/漏电极 210有机平坦层211 像素定义层 212反射层 301 有机导电层【具体实施方式】 下面根据具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明。本专利技术的保护范围不限 于以下实施例，列举这些实例仅出于示例性目的而不以任何方式限制本专利技术。 图1为本专利技术的柔性薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，柔性薄膜晶体管包 括：柔性基板101;栅极102,设置于柔性基板101之上；无机绝缘层103,设置于栅极102之 上；有机导电层104,设置于无机绝缘层103之上；以及源/漏电极105,设置于有机导电层 104之上。但本专利技术的柔性薄膜晶体管不局限于上述结构，可包括公知的薄膜晶体管的其它 层如有源半导体层等。 图2示出了本专利技术的柔性薄膜晶体管的一个优选实施方式，如图2所示，柔性薄膜 晶体管具有玻璃基当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种柔性薄膜晶体管，其特征在于，该柔性薄膜晶体管包括：柔性基板；栅极，设置于所述柔性基板之上；无机绝缘层，设置于所述栅极之上；有机导电层，设置于所述无机绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有机导电层之上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈郁仁，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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