【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体元器件
，具体涉及一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶丨同管。
技术介绍
如图1所示，其为现有技术中的横向双通道发射极关断晶闸管结构示意图，相比栅极关断晶闸管，正向电压低，并具有电流饱和特性，且因该电流饱和特性所致，发射极关断晶闸管同绝缘栅双极型晶体管(IGBT)—样，在晶闸管类型中，具有最优秀的安全工作区。发射极关断晶闸管的正向伏安特性为向栅极2加正电压时，阴极1的电子通过通道流入漂移区，流入的电子电流作为pnp晶体管的基极电流驱动晶体管，其结果空穴导通P+区与n+区交界面，触发晶闸管，然而，当阳极3电压持续升高时，空穴注入增多，流入存在于阴极区的P-基层的空穴增加，会导通结构性存在的寄生晶闸管。发射极关断晶闸管、BRT晶闸管以及IGBT等M0S控制型电源管理半导体的输入阻抗高，器件导通时，导通电阻小，因此功耗低。发射极关断晶闸管虽为M0S控制型晶闸管，但可采用与IGBT制备工艺相同的双重扩散方式，因此相比采用三重扩散工艺的M0S控制型晶闸管，制造工艺容易，而且双通道发射极晶闸管还具有由栅驱动引起的电流饱和特性以及可在宽安全工作区内...
【技术保护点】
一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，其特征在于：包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n‑漂移层、在n‑漂移层的正面形成阴极、双通道栅极和阳极、所述n‑漂移层上的阴极与双通道栅极之间形成的n+阴极区、p+基层及p‑基层，在所述双通道栅极与阳极之间有一层膜，形成n+浮空区与p‑基层，该膜与阴极之间形成p+区与n+缓冲区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵喜高，
申请(专利权)人：深圳市可易亚半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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