本实用新型公开了一种无人机使用的方便拼接式电路板，包括第一电路板、第二电路板、连接装置和排线，第一电路板一端设有第二电路板，第一电路板和第二电路板一端均固定有连接装置，且第一电路板上的连接装置和第二电路板上的连接装置通过排线电性连接，连...

本实用新型公开了一种便于安装防燃的集成电路板，包括安装基板、固定柱、螺纹柱、电路板、包边、固定孔、螺帽、定位柱、凹陷槽和加强板，安装基板上表面对称固定有固定柱，固定柱顶部固定有螺纹柱，安装基板上方设有电路板，电路板底部固定有加强板，加强...

本实用新型公开一种低功率损耗新型碳化硅二极管，碳化硅二极管封装体将散热基体第一侧面上的晶片封装，散热基板第二侧面暴露于外部，散热顺畅。碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板，晶片工作时的热量传导至碳化硅二极管封装体上，再...

本实用新型公开了一种高稳定性的MOS管封装结构，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，...

本实用新型公开一种无人机中使用且具备减震功能的功率设备，包括电机固定板和机架固定座,电机固定板和机架固定座通过减震球固定连接，固定螺栓A穿过电机固定板安装在减震球顶部，固定螺栓B穿过机架固定座安装在减震球底部，减震球内部安装弹性元件，上...

本实用新型提供一种方便安装的半导体晶体管，涉及半导体晶体管安装技术领域。实现了便于焊接半导体晶体管便于安装的效果。该方便安装的半导体晶体管，包括固定装置、引焊装置和卡扣装置，所述固定装置位于引焊装置和卡扣装置的顶部，所述卡扣装置位于引焊...

本实用新型提供一种具备散热功能的大功率稳压管，涉及离心泵技术领域。实现了防止稳压管引线断裂和提高散热性能的效果。该具备散热功能的大功率稳压管，包括陶瓷外壳、树脂、管体、散热片、螺旋液管、P半导体、一号金属接头、防护机构、二号金属接头和N...

本实用新型提供一种高导通效率的碳化硅二极管，涉及碳化硅二极管领域。实现了能够提高碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗的缺陷的效果。该高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极，一号电极的下端设置有金属上层，金属上层的下端设置有N型外延层，N型...

本实用新型提供一种高稳定性的半导体晶体管封装结构，涉及半导体晶体管封装结构技术领域。实现了封装后的半导体晶体管不会晃动，使半导体晶体管的稳定性高的效果。该高稳定性的半导体晶体管封装结构，包括底座、盖板、固定装置和卡帽装置。该高稳定性的半...

本实用新型实施方式涉及光感控制技术领域，特别是涉及一种光感控制系统。该光感控制系统包括：灯具；交流驱动电路，其输出端与灯具连接，交流驱动电路的输入端与外部的交流电源连接；光传感器，其用于采集光感控制系统周边环境的光亮信息；控制器，其分别...

本实用新型实施方式涉及照明技术领域，特别是涉及一种照明灯系统，该系统包括：灯具；交流驱动电路，其与灯具连接；第一开关，其与交流驱动电路连接；交流电检测器，其分别与第一开关和外部的交流电源连接；直流控制电路，其与灯具连接；其中，控制器分别...

本实用新型实施方式涉及红外控制领域，特别是涉及一种红外控制系统。该系统包括：灯具；交流驱动电路，其输出端与灯具连接；第一开关，其一端与交流驱动电路的输入端连接，第一开关的另一端连接至外部的交流电源；红外传感器，其用于获取红外控制系统周边...

本实用新型实施方式涉及照明技术领域，特别是涉及一种照明反馈系统。该照明反馈系统包括：灯具；交流驱动电路，其输出端与灯具连接；第一开关，其一端与交流驱动电路的输入端连接，第一开关的另一端连接至外部的交流电源；无线通信模块；控制器，其与交流...

本实用新型公开了一种碳化硅二极管，包括第一电极以及第二电极，该第一电极和第二电极之间设置碳化硅基部，该碳化硅基部包括依次形成的第一导电类型的衬底层、第一导电类型的外延层以及多晶硅层，在该外延层中靠近多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的...

本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：在有源区内形成氧化掩膜；在该氧化掩膜两侧形成第一注入窗口、第二注入窗口以及多晶硅栅极；通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成第一体区和第...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括步骤：形成p型半导体衬底；在所述p型衬底上生长埋氧层后，在所述埋氧层上形成n型外延层；在所述n型外延层的一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p-/p+基区；在所述n型外延层的另一侧注...

本实用新型公开了一种新型绝缘栅双极型晶体管，包括p型半导体衬底、形成于所述p型衬底上的埋氧层、形成于所述埋氧层上的n型外延层，所述n型外延层的一侧设有p型杂质离子形成的具有预定深度的p-/p+基区；所述n型外延层的另一侧设有p型杂质离子...

本实用新型公开了一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p型衬底上形成的n-漂移区；在所述n-漂移区上形成两个阳极、一个阴极和一个栅极；在所述两个阳极之间形成的p+漂移区和n+缓冲区，在所述阳极...

本发明公开了一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p型衬底上形成的n-漂移区；在所述n-漂移区上形成两个阳极、一个阴极和一个栅极；在所述两个阳极之间形成的p+漂移区和n+缓冲区，在所述阳极和阴...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底；在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成包括栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在所述...