一种低功率损耗新型碳化硅二极管制造技术

技术编号:24735279 阅读:35 留言:0更新日期:2020-07-01 01:02
本实用新型专利技术公开一种低功率损耗新型碳化硅二极管,碳化硅二极管封装体将散热基体第一侧面上的晶片封装,散热基板第二侧面暴露于外部,散热顺畅。碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板,晶片工作时的热量传导至碳化硅二极管封装体上,再经条形散热板发散出去,条形散热板第一端与散热基板连接,散热基板上的热量还可从相邻两条形散热板之间的空位发散出去,增加散热有效面积,及时散热,降低功耗。条形散热板除用于散热,还可便于二极管的转运,相邻两二极管上的条形散热板相互插接插接即可拼接多个二极管,降低组装空间,方便批量转运二极管。

【技术实现步骤摘要】
一种低功率损耗新型碳化硅二极管
本技术涉及电子元器件
,特别涉及一种低功率损耗新型碳化硅二极管。
技术介绍
碳化硅材料具有宽带隙,高击穿场强,高热导率,高饱和电子迁移速率,以及极好的物理化学稳定性等特性,适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作,碳化硅制成的二极管常被用于功率电路中,例如功率因数校正(PFC)器件、DC-DC转换器、DC-AC逆变器、过电流过电压保护电路和电机驱动器。由于二极管安装于各种电器元件上,使用时产生大量的热,随着温度升高大量存储电荷,致使相邻器件中存在导通损耗,若不将工作时产生的热及时排出,二极管长时间处于高功耗下运转,会存在热失控的隐患,引起器件内部劣化。另外由于二极管的管脚多暴露在外,不便于二极管的有序摆放以及批量转运,转运过程中的磕碰容易折损管脚。
技术实现思路
本技术提出一种低功率损耗新型碳化硅二极管,旨在增加碳化硅二极管的有效散热面积,促进热量发散,降低功耗,并进一步优化二极管结构,方便二极管转运。为实现上述目的,本技术提出的低功率损耗新型碳化硅二极管,包括散热基体,所述散热基体第一侧面设有贴片区,且所述散热基体第一侧面与碳化硅二极管封装体镶嵌注塑成型,所述散热基体第二侧面暴露于外界,所述散热基体第一侧面与第二侧面相对设置,所述碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板,任一所述条形散热板均与所述散热基体垂直,且若干所述条形散热板沿所述散热基体长度方向均匀设置,相邻两所述条形散热板之间的间距与所述条形散热板宽度相等,所述条形散热板第一端面与所述散热基体连接,所述条形散热板第二端面设为平面,且所述条形散热板第二端面到所述碳化硅二极管封装体顶面的距离与所述散热基体厚度相等;所述散热基体上还设有若干安装通孔,所述碳化硅二极管封装体上设有与所述安装通孔适配的加强柱,所述加强柱表面与所述安装通孔内侧面贴合,且所述加强柱与所述碳化硅二极管封装体注塑为一体;所述碳化硅二极管封装体后端和所述散热基体后端同轴设有若干散热孔。优选地,二极管还包括管脚,所述贴片区上设有晶片,所述管脚第一端与所述晶片连接,所述碳化硅二极管封装体还包覆于所述管脚第一端。优选地,所述管脚第二端为直线状,并设于所述碳化硅二极管封装体中位线上。优选地,所述安装通孔直径沿所述散热基体第一侧面到第二侧面方向逐渐增大。优选地,所述散热孔包括一主散热孔,以及均匀设置于所述主散热孔外围的若干次散热孔,所述主散热孔直径大于所述次散热孔直径。优选地,所述散热基体设置为铜制散热基体或铝制散热基体。优选地,所述条形散热板与所述碳化硅二极管封装体设为一体。与现有技术相比,本技术的有益效果是:将晶片安装于铜质或铝制的散热基板上,散热基板第二侧面暴露于外部,散热顺畅。封装晶片的碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧设置若干条形散热板,传导至碳化硅二极管封装体上的热量再经条形散热板发散出去,条形散热板第一端与散热基板连接,散热基板上的热量还可从相邻两条形散热板之间的空位发散出去,增加散热有效面积,及时将热量发散出去,降低功耗。条形散热板除用于散热,还可便于二极管的转运,翻转其中一二极管并使其条形散热板插接于另一二极管相邻两条形散热板之间,使条形散热板第二端面与散热基体表面贴合,即可批量拼接若干二极管,降低组装空间。条形散热板第一端的加强柱热熔注塑于散热基体上的安装通孔内,还可增加条形散热板与散热基体的连接稳定性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本实用低功率损耗新型碳化硅二极管立体结构示意图;图2为本技术散热基体立体结构示意图;图3为本技术条形散热板和加强柱组装结构示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。具体实施方式本技术提出一种低功率损耗新型碳化硅二极管,如图1和图2所示,包括散热基体1,所述散热基体1第一侧面11设有贴片区2,且所述散热基体1第一侧面11与碳化硅二极管封装体3镶嵌注塑成型,所述散热基体1第二侧面暴露于外界,所述散热基体1第一侧面11与第二侧面相对设置。所述碳化硅二极管封装体3第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板4,任一所述条形散热板4均与所述散热基体1垂直,且若干所述条形散热板4沿所述散热基体1长度方向均匀设置,相邻两所述条形散热板4之间的间距与所述条形散热板4宽度相等,所述条形散热板4第一端面41与所述散热基体1连接,所述条形散热板4第二端面42设为平面,且所述条形散热板4第二端面42到所述碳化硅二极管封装体3顶面31的距离与所述散热基体1厚度相等;所述散热基体1上还设有若干安装通孔7,所述碳化硅二极管封装体3上设有与所述安装通孔7适配的加强柱8,所述加强柱8表面与所述安装通孔7内侧面贴合,且所述加强柱8与所述碳化硅二极管封装体3注塑为一体;所述碳化硅二极管封装体3后端和所述散热基体1后端同轴设有若干散热孔9。所述散热基体1设置为铜制散热基体或铝制散热基体,晶片6工作时产生的热可直接扩散至散热基体1,由散热基体1发散出去。散热基体1的贴片区2与晶片6之间设有一层导热硅膏,使贴片区2与晶体贴合更紧密,促进导热。二极管还包括管脚5,所述贴片区2上设有晶片6,所述管脚5第一端与所述晶片6连接,晶片6工作时产生的热传导至碳化硅二极管封装体3,再辐射扩散至外界,发散热量。所述碳化硅二极管封装体3还包覆于所述管脚5第一端,所述管脚5第二端于所述碳化硅二极管封装体3前端伸出。所述碳化硅二极管封装体3后端和所述散热基体1后端同轴设置的若干散热孔9包括一主散热孔91,以及均匀设置于所述主散热孔91外围的若干次散热孔92,增加散热面积,所述主散热孔91直径大于所述次散热孔92直径。若干次散热孔92可以主散热孔91为中心环绕安装,或沿散热基体1长度或宽度方向呈条形对称分布于主散热孔91外围,均匀散热。进一步地,所述条形散热板4与所述碳化硅二极管封装体3热熔注塑固定为一体,碳化硅二极管封装体3内的热量进一步扩散至条形散热板4,再经条形散热板4扩散至外界。条形散热板4第一端面41与所述散热基体1连接,散热基体1上的热量还可从相邻两条形散热板4之间的空位发散至外界,增加散热有效面积,及时将热量发散出去,降低功耗。条形散热板4除用于发散热量,还可便于二极管的转运。在运输二极管时,先取一二极管,使其散热基体1朝下,再取第二个二极管,翻转使其散热基体1朝上,将其中一二极管上的条形散热板4插接于另一二极管相邻两条形散热板4之间,并使条形散热板4第二端面42与散热基体1第一侧面11贴合,如此重复拼接多个二极管。条形散热板4第二端面42到碳化硅二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功率损耗新型碳化硅二极管,包括散热基体,所述散热基体第一侧面设有贴片区,且所述散热基体第一侧面与碳化硅二极管封装体镶嵌注塑成型,所述散热基体第二侧面暴露于外界,所述散热基体第一侧面与第二侧面相对设置,其特征在于,所述碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板,任一所述条形散热板均与所述散热基体垂直,且若干所述条形散热板沿所述散热基体长度方向均匀设置,相邻两所述条形散热板之间的间距与所述条形散热板宽度相等,所述条形散热板第一端面与所述散热基体连接,所述条形散热板第二端面设为平面,且所述条形散热板第二端面到所述碳化硅二极管封装体顶面的距离与所述散热基体厚度相等;所述散热基体上还设有若干安装通孔,所述碳化硅二极管封装体上设有与所述安装通孔适配的加强柱,所述加强柱表面与所述安装通孔内侧面贴合,且所述加强柱与所述碳化硅二极管封装体注塑为一体;所述碳化硅二极管封装体后端和所述散热基体后端同轴设有若干散热孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种低功率损耗新型碳化硅二极管,包括散热基体,所述散热基体第一侧面设有贴片区,且所述散热基体第一侧面与碳化硅二极管封装体镶嵌注塑成型,所述散热基体第二侧面暴露于外界,所述散热基体第一侧面与第二侧面相对设置,其特征在于,所述碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板,任一所述条形散热板均与所述散热基体垂直,且若干所述条形散热板沿所述散热基体长度方向均匀设置,相邻两所述条形散热板之间的间距与所述条形散热板宽度相等,所述条形散热板第一端面与所述散热基体连接,所述条形散热板第二端面设为平面,且所述条形散热板第二端面到所述碳化硅二极管封装体顶面的距离与所述散热基体厚度相等;所述散热基体上还设有若干安装通孔,所述碳化硅二极管封装体上设有与所述安装通孔适配的加强柱,所述加强柱表面与所述安装通孔内侧面贴合,且所述加强柱与所述碳化硅二极管封装体注塑为一体;所述碳化硅二极管封装体后端和所述散热基体后端同轴设有若干散热孔。


2.如权利要求1所述的低功率损耗新型碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵喜高
申请(专利权)人:深圳市可易亚半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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