一种用于光模块的静电防护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及光通信领域，提出了一种用于光模块的静电防护电路，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的：所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能；所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TVS的负极连接到所述光模块的电源接口，所述TVS的正极接地。本实用新型专利技术的静电防护电路，结构简单、易于实现，可以保证静电通过保护地以最短的路径泄放出去，从而提高了光模块的抗静电能力，保证了模块和光通信系统的正常运行。可以满足小尺寸封装对光模块在静电防护方面的高标准要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通信领域，尤其涉及一种用于光模块的静电防护电路。
技术介绍
静电放电(ESD)是指两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电感应而引起的两物体间静电电荷的转移。当静电能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象。因此，ESD保护无处不在，而ESD过压保护则成为各种电子设备设计的基本要求。随着光通信行业的快速发展，数据通信、IP通信、语音通信的三网融合加速，光模块的需求与日倶增。当前，各种网络中所需要的光收发一体模块种类越来越多，要求也越来越高。为了满足系统不断增长的需求，光模块正不断走向标准化、小型化、高可靠性发展。光模块都配备了高速数据接口、MCU和光组件，甚至有些光模块还具备温控电路。虽然增加了很多新的电路，但光模块尺寸仍在持续变小。众多电路汇聚在一个狭小空间内，导致光模块中的ESD问题变得更加严重。它可能会造成光模块工作异常、死机，甚至会损伤光模块。因此有必要设计一种用于光模块的静电防护电路，以克服上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种用于光模块的静电防护电路。本技术是这样实现的:本技术提供一种用于光模块的静电防护电路，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的:所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能；所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TVS的负极连接到所述光模块的电源接口，所述TVS的正极接地。优选的，所述光膜块具体为光收发模块T0SA，则所述电源接口具体为LD+/PD-接口，所述接地接口具体为Case接口。优选的，所述瞬态二极管具体为深槽TVS，其中瞬态二极管的P极按照预设厚度生成，瞬态二极管的N极以多针脚形式插入到所述P极中的深槽内。优选的，所述瞬态二极管TVS的承受电压为8_15kV。优选的，所述瞬态二极管具体为高速深槽TVS，其中，P型掺杂和低浓度掺杂的N型外延来形成一个P-N结D1，所述P-N结D1和TVS 二极管D2串联。本技术具有以下有益效果:本技术的静电防护电路，结构简单、易于实现，可以保证静电通过保护地以最短的路径泄放出去，从而提高了光模块的抗静电能力，保证了模块和光通信系统的正常运行。可以满足小尺寸封装对光模块在静电防护方面的高标准要求。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的一种用于光模块的静电防护电路的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种深槽瞬态二极管TVS的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种高速深槽瞬态二极管TVS的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。如图1，本技术实施例提供一种用于光模块的静电防护电路，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的: 所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能；所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TVS的负极连接到所述光模块的电源接口，所述TVS的正极接地。本技术的静电防护电路，结构简单、易于实现，可以保证静电通过保护地以最短的路径泄放出去，从而提高了光模块的抗静电能力，保证了模块和光通信系统的正常运行。可以满足小尺寸封装对光模块在静电防护方面的高标准要求。结合本实施例存在一种优选的方案，其中，所述光膜块具体为光收发模块T0SA，则所述电源接口具体为LD+/PD-接口，所述接地接口具体为Case接口。结合本实施例存在一种优选的方案，其中，所述瞬态二极管具体为深槽TVS，其中瞬态二极管的P极按照预设厚度生成，瞬态二极管的N极以多针脚形式插入到所述P极中的深槽内。普通的TVS 二极管都是平面二极管，流过器件的瞬态电流和结面积成正比，要想获得大的放电能力，需要很大的器件面积。深槽TVS则利用深槽的侧壁作为TVS 二极管的结，获得更大的结面积和放电能力，以节省芯片面积。图2是深槽TVS在结结构示意图，比之通常平面TVS，它有纵向和立体的结面积，其中，它的结面积取决于深槽的深度和密度。结合本实施例存在一种优选的方案，其中，其特征在于，所述瞬态二极管TVS的承受电压为8_15kV。在光模块的使用过程中，由于与人体频繁接触，端口必须至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2 标准)。结合本实施例存在一种优选的方案，其中，所述瞬态二极管具体为高速深槽TVS，其中，P型掺杂和低浓度掺杂的N型外延来形成一个P-N结D1，所述P-N结D1和TVS 二极管D2串联。如图2所示的深槽TVS由于P型衬底和深槽中N型P0LY的掺杂浓度很高，使得两者之间的P-N结即TVS P-N结电容很大，在电路使用中大大限制了其最高工作速度。图3是高速深槽TVS的结构示意图。通过引入P型掺杂和低浓度掺杂的N型外延来形成一个P-N结D1，此P-N结势皇电容很小，通过这个P-N结和TVS 二极管D2串联使用，使器件的整体电容减小，提高10接口的工作速度。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种用于光模块的静电防护电路，其特征在于，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的: 所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能； 所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TVS的负极连接到所述光模块的电源接口，所述TVS的正极接地。2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述光模块具体为光收发模块TOSA，则所述电源接口具体为LD+/PD-接口，所述接地接口具体为Case接口。3.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述瞬态二极管具体为深槽TVS，其中瞬态二极管的P极按照预设厚度生成，瞬态二极管的N极以多针脚形式插入到所述P极中的深槽内。4.根据权利要求1-3任一所述的静电防护电路，其特征在于，所述瞬态二极管TVS的承受电压为8-15kV。5.根据权利要求3所述的静电防护电路，其特征在于，所述瞬态二极管具体为高速深槽TVS，其中，P型掺杂和低浓度掺杂的N型外延来形成一个P-N结D1，所述P-N结D1和TVS二极管D2串联。【专利摘要】本技术涉及光通信领域，提出了一种用于光模块的静电防护电路，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的：所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能；所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TV本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光模块的静电防护电路，其特征在于，包括瞬态二极管TVS和光模块，具体的：所述光模块包括电源接口和接地接口，其中，所述电源接口用于连接工作电压，为所述光模块正常工作提供所需的电能；所述TVS并联在所述电源接口上，其中，所述TVS的负极连接到所述光模块的电源接口，所述TVS的正极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚丽，张品华，
申请(专利权)人：武汉恒泰通技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42