一种全范围软开关的全桥移相电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电力电子技术领域，具体为一种全范围软开关的全桥移相电路，包括输入电源，输入电源两端之间连接有相互串接的第一、第二MOS管，第一MOS管的漏极与输入电源的正极相连，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第一电容和第一电感，第二MOS管的源极与输入电源的负极相连并接地，第一MOS管的漏极还连接至一第三MOS管的漏极，第三MOS管的源极与一源极接地的第四MOS管的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第二电容和第二电感，第一电感和第二电感短接后连接至一变压器的原边绕组并接地，变压器的副边绕组连接有输出电路，运行安全稳定、成本低、结构简单且损耗少、占空比丢失小。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力电子
，具体为一种全范围软开关的全桥移相电路。
技术介绍
软开关的全桥移相软电路由于可以利用MOS本身的寄生参数和变压器的漏感实现软开关，被广泛应用到各种大功率电源装置中，但是均存在一些重大问题，一是环流损耗大，二是加大了占空比的丢失，而为了把占空比丢失控制在一个合理的范围内的电路改进，又会导致了滞后臂无法全范围实现软开关，现有技术同样对其有改进的电路，但是这种电路需要加入辅助电路的器件较多，对于缩小体积，增加功率密度都有一定的阻碍，且增加了很多电路成本。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供一种运行安全稳定、成本低、结构简单且损耗少、占空比丢失小的可全范围实现软开关的全范围软开关的全桥移相电路。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种全范围软开关的全桥移相电路，包括输入电源，所述输入电源两端之间连接有相互串接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极与输入电源的正极相连，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第一电容和第一电感，第二MOS管的源极与输入电源的负极相连并接地，所述第一MOS管的漏极还连接至一第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的源极与一源极接地的第四MOS管的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第二电容和第二电感，所述第一电感和第二电感短接后连接至一变压器的原边绕组并接地，所述变压器的副边绕组连接有输出电路。上述技术方案中，该电路结构更加稳定、可靠，适用于大功率的开关电源，成本低、结构简单且可减小全桥移相软开关电源的环流损耗，与传统电路相比，它可降低了1／2的作为开关管的MOS管的环流能量损耗，并且能够在较宽的负载范围内实现滞后臂零电压开关和极小的占空比丢失，散热等其他物理性能均得到较大提升，可全范围实现软开关。作为对本技术的优选，输出电路包括副边绕组两端分别连接有导通方向均为远离副边绕组方向的第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管的负极端短接后串接一输出电感并以输出电感的另一端作为电压输出端且和副边绕组两端之间的中间端形成输出电压。作为对本技术的优选，电压输出端和副边绕组两端之间的中间端之间连接有并联设置的输出电容和输出电阻。作为对本技术的优选，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管的源极和漏极之间均连接有一辅助二极管且导通方向为各个MOS管的源极至漏极方向。作为对本技术的优选，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管的源极和漏极之间均连接有一辅助电容。作为对本技术的优选，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为NPN型管。本技术的有益效果：该电路结构更加稳定、可靠，适用于大功率的开关电源，成本低、结构简单，利于缩小体积和增加功率密度，且可减小全桥移相软开关电源的环流损耗，与传统电路相比，它可降低了1／2的作为开关管的MOS管的环流能量损耗，并且能够在较宽的负载范围内实现滞后臂零电压开关和极小的占空比丢失，散热等其他物理性能均得到较大提升，可全范围实现软开关。附图说明图1是本技术实施例的结构示意图。图中：1、输入电源，11、第一MOS管，12、第二MOS管，13、第三MOS管，14、第四MOS管，21、第一电容，31、第一电感，22、第二电容，32、第二电感，2、变压器，41、第一二极管，42、第二二极管，5、输出电感，6、输出电容，7、输出电阻，81、辅助二极管，82、辅助电容。具体实施方式以下具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。实施例，如图1所示，一种全范围软开关的全桥移相电路，包括输入电源1，所述输入电源1两端之间连接有相互串接的第一MOS管11和第二MOS管12，所述第一MOS管11的漏极与输入电源1的正极相连，第一MOS管11的源极和第二MOS管12的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第一电容21和第一电感31，第二MOS管12的源极与输入电源1的负极相连并接地，所述第一MOS管11的漏极还连接至一第三MOS管13的漏极，所述第三MOS管13的源极与一源极接地的第四MOS管14的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第二电容22和第二电感32，所述第一电感31和第二电感32短接后连接至一变压器2的原边绕组并接地，所述变压器2的副边绕组连接有输出电路。输出电路包括副边绕组两端分别连接有导通方向均为远离副边绕组方向的第一二极管41和第二二极管42，第一二极管41和第二二极管42的负极端短接后串接一输出电感5并以输出电感5的另一端作为电压输出端且和副边绕组两端之间的中间端形成输出电压。电压输出端和副边绕组两端之间的中间端之间连接有并联设置的输出电容6和输出电阻7。第一MOS管11、第二MOS管12、第三MOS管13和第四MOS管14的源极和漏极之间均连接有一辅助二极管81且导通方向为各个MOS管的源极至漏极方向。第一MOS管11、第二MOS管12、第三MOS管13和第四MOS管14的源极和漏极之间均连接有一辅助电容82。第一MOS管11、第二MOS管12、第三MOS管13和第四MOS管14均为NPN型管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全范围软开关的全桥移相电路，其特征在于：包括输入电源（1），所述输入电源（1）两端之间连接有相互串接的第一MOS管（11）和第二MOS管（12），所述第一MOS管（11）的漏极与输入电源（1）的正极相连，第一MOS管（11）的源极和第二MOS管（12）的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第一电容（21）和第一电感（31），第二MOS管（12）的源极与输入电源（1）的负极相连并接地，所述第一MOS管（11）的漏极还连接至一第三MOS管（13）的漏极，所述第三MOS管（13）的源极与一源极接地的第四MOS管（14）的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第二电容（22）和第二电感（32），所述第一电感（31）和第二电感（32）短接后连接至一变压器（2）的原边绕组并接地，所述变压器（2）的副边绕组连接有输出电路。

【技术特征摘要】
1.一种全范围软开关的全桥移相电路，其特征在于：包括输入电源（1），所述输入电源（1）两端之间连接有相互串接的第一MOS管（11）和第二MOS管（12），所述第一MOS管（11）的漏极与输入电源（1）的正极相连，第一MOS管（11）的源极和第二MOS管（12）的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第一电容（21）和第一电感（31），第二MOS管（12）的源极与输入电源（1）的负极相连并接地，所述第一MOS管（11）的漏极还连接至一第三MOS管（13）的漏极，所述第三MOS管（13）的源极与一源极接地的第四MOS管（14）的漏极相连并在连接处连接有依次串接的第二电容（22）和第二电感（32），所述第一电感（31）和第二电感（32）短接后连接至一变压器（2）的原边绕组并接地，所述变压器（2）的副边绕组连接有输出电路。
2.根据权利要求1所述的一种全范围软开关的全桥移相电路，其特征在于：输出电路包括副边绕组两端分别连接有导通方向均为远离副边绕组方向的第一二极管（41）和第二二极管（42），第一二极管（41）和第二二极管（...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚晓武，张昌运，
申请(专利权)人：浙江亚能能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33