一种移相全桥变换电路及控制方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种移相全桥变换电路及控制方法
本专利技术涉及移相全桥变换
，特别涉及一种中大功率移相全桥变换电路及控制方法。
技术介绍
移相全桥变换拓扑是目前大功率DC/DC变换器中使用最为广泛的拓扑之一，也是研究较多的一种电路结构。其利用电感和电容之间的充放电谐振方式，使得全桥MOS管在开通时实现软开关以减小开关损耗，从而在不增加开关损耗的前提下提高开关频率和整机效率。但传统移相全桥电路存在诸多缺陷，参看附图1所示电路，主要问题有：1)轻载时谐振电感L1所储存的能量不足以抽完后桥MOS管(Q3、Q4)的漏源电容电荷，使得此时后桥工作在硬开关状态，导致开关损耗变大发热严重。2)变压器副边的整流二极管反向恢复严重，导致整机效率低下，传统移相全桥工作时后桥工作在ZVS状态导致副边整流二极管为硬关断，所以二极管存在反向恢复损耗，且随输出功率增加而增加。3)传统移相全桥变压器原边电流由正下冲到负或者由负上冲到正这段时间内，输出滤波电感L2的电流不能突变，所以变压器原边因输出二极管续流被“短路”，所以此时电源电压加在谐振电感上，而加在变压器上的电压为0V，造成占空比丢失。4)占空比...
【技术保护点】
一种移相全桥变换电路控制方法，其特征在于，将移相全桥变换电路的一个工作周期分为如下阶段：其中，G1、G2、G3、G4分别为MOS管一到MOS管四（Q1‑Q4）的外加栅极电压，iL为变压器一次侧谐振电感L1的电流, VL为该谐振电感L1的电压，VT为变压器T1一次侧的电压，Vin为输入的直流电压，Vo为输出的直流电压；T1阶段：G1和G4同时为高电平 ，此时Q1和Q4导通工作，变压器T1一次侧的电压VT被二次侧的电压钳位在nVo，此时加在谐振电感L1两端的电压恒定在Vin‑nVo，谐振电感L1的电流iL线性上升，变压器T1一次侧电流线性增加，同时向变压器T1的二次侧输出能量；...
【技术特征摘要】
1.一种移相全桥变换电路控制方法，其特征在于，移相全桥变换电路包括：一变压器T1；一超前桥臂，由MOS管一Q1和MOS管二Q2串接组成，这两个MOS管的连接点a依次通过电容C1和谐振电感L1与变压器T1一次侧的一端连接，所述电容C1和谐振电感L1串接在一起；一滞后桥臂，由MOS管三Q3和MOS管四Q4串接组成，这两个MOS管的连接点b与变压器T1一次侧的另一端连接；输入的直流电压Vin加在MOS管一Q1和MOS管三Q3的连接点与MOS管二Q2和MOS管四Q4的连接点之间；一输出电路，由四个整流二极管D1、D2、D3、D4和输出电容C2组成；所述输出电容C2的两端为输出的直流电压Vo；所述输出电路中，所述变压器T1二次侧的一端与整流二极管D1和整流二极管D2的连接点连接，所述变压器T1二次侧的另一端与整流二极管D3和整流二极管D4的连接点连接，所述整流二极管D1和D3的连接点与输出电容C2的一端连接，所述整流二极管D2和D4的连接点与输出电容C2的另一端连接；并且，1)变压器的一次侧为全桥结构且串接有电容和谐振电感，该全桥结构为4个MOS管组成；2)变压器的一次侧电压峰值取值为母线电压的一半；3)变压器的一次侧电压占空比小于50％；4)变压器的二次侧为二极管整流结构；将所述移相全桥变换电路的一个工作周期分为如下阶段：其中，G1、G2、G3、G4分别为MOS管一到MOS管四Q1-Q4的外加栅极电压，iL为变压器一次侧谐振电感L1的电流,VL为该谐振电感L1的电压，VT为变压器T1一次侧的电压，Vin为输入的直流电压，Vo为输出的直流电压；T1阶段：G1和G4同时为高电平，此时Q1和Q4导通工作，变压器T1一次侧的电压VT被二次侧的电压钳位在nVo，此时加在谐振电感L1两端的电压恒定在Vin-nVo，谐振电感L1的电流iL线性上升，变压器T1一次侧电流线性增加，同时向变压器T1的二次侧输出能量；T1阶段结束时，Q1关断，此时因谐振电感L1的电流不能变化，所以按原方向继续流动，Q2的漏源电容放电，Q1的漏源电容充电，当Q2的漏源电容放电至负压时，Q2导通，实现Q2的零电压导通，即实现ZVS，其中n为变压器原副边匝比；T2阶段:G2和G4同时为高电平，Q2和Q4导通，谐振电感L1的电流iL按原方向流动...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾帮远，
申请(专利权)人：成都芯通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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