一种全桥芯片植入式颅压传感器制造技术

一种全桥芯片植入式颅压传感器，包括敏感芯片，敏感芯片中的方形薄膜位于外壳顶部缺口的正下方，敏感芯片与外壳通过生物胶固粘，敏感芯片的中间布置有四个压阻条，构成惠斯通电桥，当脑颅压作用于传感器芯片时，压力作用于方形薄膜，进而使薄膜发生变形，压阻条在方形薄膜的应力作用下其阻值发生变化，惠斯通电桥失去平衡，输出一个与外界压力相对应的电信号，从而实现传感器芯片对脑颅压的测量，本发明专利技术具测量准确，尺寸小，创伤小，可靠性高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微机械电子
，具体涉及一种全桥芯片植入式颅压传感器。
技术介绍
现代临床医疗中，脑水肿、颅脑损伤、帕金森症的治疗过程中都需要掌握病人颅内压力的状况。卢页内压(Intracranial Pressure, ICP)是指卢页腔内容物对卢页腔壁上所产生的压力，又称脑压，是神经外科临床和科研的重要观察指标。颅内压增高是颅内疾病或颅内继发性病变的一种反映，如不能及时发现颅内压增高并采取有效的治疗措施，则可能导致严重后果，甚至危及生命。在临床工作中，单纯依靠观察神经系统症状或CT、MRI影像学资料判断颅内压是否增高，很难说明颅内压的实际水平，故采用持续的颅内压监测作为“早期报警系统”，有利于早期发现和及时处理颅内压增高和颅内疾病，并提高疗效。因此，颅内压作为神经外科临床和科研的重要指标一直受到神经外科临床和科研人员的重视，是神经外科临床和科研的重要观察指标。颅压传感器已有相关的研究和应用，如美国INTEGRANEUROSCIENCES公司 生产的型号为110-4L的CAMINO光纤颅内压力监测系统还有通过手术放置在硬脑膜下的无线电电子式颅内压力检测传感器等，但都存在以下问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全桥芯片植入式颅压传感器，包括外壳（1）、敏感芯片（2）、金丝引线（3）、生物胶（4）、电缆线（5）、后续电路（6），其特征在于：外壳（1）作为基座，其上通过生物胶（4）粘接有敏感芯片（）2，敏感芯片（2）中的方形薄膜位于外壳（1）顶部缺口的正下方，在敏感芯片（2）的方形薄膜上配有四个阻值相同的压阻条，四个压阻条构成惠斯通电桥，惠斯通电桥通过金丝引线（3）和电缆线（5）连接，通过电缆线（5）实现给传感器提供桥路电源和输出与压力相关的电压信号，电缆线（5）将电压信号提供给后续电路（6）处理。

【技术特征摘要】
1.一种全桥芯片植入式颅压传感器，包括外壳(I)、敏感芯片(2)、金丝引线(3)、生物胶(4)、电缆线(5)、后续电路(6)，其特征在于:外壳(I)作为基座，其上通过生物胶(4)粘接有敏感芯片()2，敏感芯片(2)中的方形薄膜位于外壳(I)顶部缺口的正下方，在敏感芯片(2)的方形薄膜上配有四个阻值相同的压阻条，四个压阻条构成惠斯通电桥，惠斯通电桥通过金丝引线(3 )和电缆线(5 )连接，通过电缆线(5 )实现给传感器提供桥路电源和输出与...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉龙，孟夏薇，赵友，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：