一种触控显示装置的制作方法，包括如下步骤：在第一基板的一侧形成触控图案层；在所述触控图案层远离所述第一基板的一侧形成氮化硅层；在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成彩膜基板；将所述彩膜基板与阵列基板进行对盒操作，得到所述触控显示装置。上述触控显示装置的制作方法，由于先形成触控图案层再完成对盒操作，生产良率较高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及触控显示领域，特别是涉及一种。
技术介绍
触摸屏又称为触控屏、触控面板，是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，当接触了屏幕上的图形按钮时，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置，可用以取代机械式的按钮面板，并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式，它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。On Cell触摸屏的制作是将触摸屏嵌入到液晶显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的一种工艺，随着显示器件向一体机的发展，On Cell触摸屏由于其技术相对比较简单，而深受目前世界知名手机厂商的青睐。目前，OnCell触控屏的制作工艺一般为:将制作好的彩色滤光片和TFT阵列基板完成对盒形成液晶显示模组后，再在液晶显示屏的彩色滤光片远离TFT阵列基板的一侧制作触控电极，但由于触控电极的过程中，需要采用较高的温度，且需要采用化学药液进行显影、刻蚀，这都可能对液晶显示模组造成损害，使On Cell触控屏的良率较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种，以提高生产良率。—种触控显示装置的制造方法，包括如下步骤:在第一基板的一侧形成触控图案层；在所述触控图案层远离所述第一基板的一侧形成氮化硅层；在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成彩膜基板；将所述彩膜基板与阵列基板进行对盒操作，得到所述触控显示装置。在其中一个实施例中，所述氮化娃层的厚度为200nm?400nm。在其中一个实施例中，采用沉积工艺形成所述氮化硅层，所述沉积温度大于200。。。在其中一个实施例中，所述氮化硅的铅笔硬度不小于6H。在其中一个实施例中，还包括对所述氮化硅层进行刻蚀，以露出所述触控图案层的绑定区域。在其中一个实施例中，还包括通过异向导电胶将柔性电路板贴附至所述绑定区域，所述触控图案层通过所述柔性电路板与用于控制触控电路层运行的驱动芯片连接。在其中一个实施例中，在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成彩膜基板，具体包括如下步骤:在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成黑色矩阵；在具有所述黑色矩阵的所述第一基板上形成光阻层；在所述黑色矩阵及所述光阻层上形成保护层；在所述保护层上形成多个隔垫物。 在其中一个实施例中，还包括在所述氮化硅层上形成偏光片层。在其中一个实施例中，还包括将盖板玻璃贴附于所述偏光片层远离所述氮化硅层的一侧。—种触控显示装置，采用上述任一所述的触控显示装置的制造方法制得。上述触控显示装置的制造方法，通过在基板的一侧形成触控图案层，并在触控图案层上形成氮化硅层，再在基板上形成彩膜基板，然后将彩膜基板与阵列基板进行对盒操作，与现有On Cell制程中，先完成彩膜基板与阵列基板的对盒操作后，再在彩膜基板远离阵列基板的一层形成触控图案层的制程相比，可以避免触控图案层形成过程中使用的化学药液可能对彩膜基板及阵列基板造成侵蚀，高温过程还可能对液晶造成损害，以此提高触控显示装置的生产良率，减少材料的浪费。而且，氮化硅层透湿性低，防护性能高，可以隔绝水汽侵入，以避免触控图案层进行保护发生腐蚀，从而延长触控显示装置在高温高湿中的使用寿命。此外，氮化硅层还具有高硬度耐刮伤等性能，可以提高触控显示装置的抗刮伤能力。【附图说明】图1为本专利技术一实施例中触控显示装置的制造方法流程示意图；图2?图8为本专利技术一实施例中触控显示装置在制作过程中各个阶段中的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。请参阅图1，其为本专利技术一实施例中触控显示装置的制造方法流程图，包括如下步骤:S110、在第一基板的一侧形成触控图案层。在本实施例中，第一基板可以采用玻璃基板、石英基板以及塑料基板等透明基板，优选的，第一基板为玻璃基板，并在将玻璃基板投入之前，对玻璃基板表面进行清洁处理，确保玻璃基板表面无异物。所述触控图案层的材料为ITO(氧化铟锡)。具体的，具体包括如下步骤:SI 11、在第一基板的一侧通过真空溅射形成ITO层；例如，所述ITO层的厚度为10?20nm，真空溅射的温度为240?300°C。S112、在所述ITO层远离所述第一基板的一侧涂布光刻胶层；例如，所述光刻胶层的厚度为2?10微米，均匀性在5%以内，预烘温度为70?90。。。S113、对所述光刻胶层进行曝光；例如，通过掩膜板(mask)曝光，使用正性光刻胶，曝光光源从基板方向透过基板对光刻胶进行曝光，曝光光源波长为365nm。S114、对曝光后的所述光学胶层进行显影并固化；例如，采用KOH或其他碱性溶液如四甲基氢氧化铵(TMAH)显影，采用加热方式使光学胶层固化，又如，加热温度为100?110°C。S115、对所述ITO层进行刻蚀，以形成触控电极。具体的，对所述ITO层上未被所述光刻胶覆盖的地方进行刻蚀，以形成触控图案层，其平面结构示意图请参阅图1，在本实施例中，触控图案层采用跳线结构。优选的，在刻蚀结束后，在200?250°C的温度范围内进行退火，通过该退火，非晶质的氧化铟锡多晶化，以提尚导电性能。S116、在所述第一基板的外周形成金属引线，使所述金属引线与所述触控电极电连接，并在金属引线远离所述触控电极的一端形成绑定区域，得到触控图案层。需要说明的是，所述触控图案层的材料并不局限于ΙΤ0，所述触控图案层还可以采用其他材料，例如，纳米银线、纳米铜线及碳纳米管等材料。S120、在所述触控图案层远离所述第一基板的一侧形成氮化硅层。例如，采用物理气相沉积(PVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在触控图案层远离所述第一基板的一侧形成氮化硅层，使所述氮化硅层覆盖触控图案层，优选的，氮化硅层的厚度为200?400nm，当氮化硅层的厚度小于200nm时，较难实现对触控图案层的保护作用，而当氮化硅层的厚度大于400nm时，所需的沉积时间较长，影响生产效率。为了使沉积得到的氮化硅层的结构较致密，例如，沉积温度大于200°C，以使沉积得到的氮化硅层的结构较致密，从而使得到的氮化硅层硬度较高。优选的，氮化硅层的铅笔硬度不小于6H。铅笔硬度是指基于JIS K5600-5-4规定的试验方法中记载的铅笔划痕值得到的数值。例如，通过在SiH4:280sccm、NH3:500sccm、N2:3000sccm 及温度 280°C 的条件下形成氮化娃层。S130、在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成彩膜基板。 具体的，包括如下步骤:S131、在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成黑色矩阵。具体的，先在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧涂覆黑色树脂层，再通过掩膜板对所述黑色树脂层进行曝光、显影、固化，以形成的黑色矩阵。其中，黑色矩阵的厚度根据实际生产需求设定，例如，黑色矩阵的厚度为1.0?1.5微米，又如，黑色矩阵的厚度为1.2微米。S132、在具有所述黑色矩阵的所述第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种触控显示装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一基板的一侧形成触控图案层；在所述触控图案层远离所述第一基板的一侧形成氮化硅层；在所述第一基板远离所述触控图案层的一侧形成彩膜基板；将所述彩膜基板与阵列基板进行对盒操作，得到所述触控显示装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王学雷，张辽，朱景河，黄伟东，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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