一种封装结构的加速度传感器及其制备方法技术

技术编号:12571156 阅读:78 留言:0更新日期:2015-12-23 12:59
本发明专利技术公开了一种封装结构的加速度传感器及其制备方法,底层玻璃、硅片和顶层玻璃依次键合形成层状气密结构,所述中间层设置于硅片和顶层玻璃之间;硅片上通过背腔腐蚀设置微悬臂梁和质量块,所述微悬臂梁的一端固定在硅片上,另一端悬空,所述质量块设置于微悬臂梁的悬空端;所述微悬臂梁和/或质量块上通过淡硼掺杂工艺设有四个压敏电阻,钝化层覆盖在压敏电阻之上,金属互连线及电极焊盘设置于钝化层之上,压敏电阻和金属互连线及电极焊盘之间通过浓硼区域实现欧姆接触。本发明专利技术采用两次键合方法实现玻璃-硅-玻璃三层封装结构,构成气密性能优异的真空腔体,为加速度传感器中微悬臂梁和质量块提供了更为可靠的工作环境。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种封装结构的加速度传感器,其特征在于,包括底层玻璃、硅片、顶层玻璃、中间层、钝化层和金属互连线及电极焊盘;所述底层玻璃、硅片和顶层玻璃依次键合形成层状气密结构,所述层状气密结构的内部形成真空腔,所述中间层设置于硅片和顶层玻璃之间;所述硅片上通过背腔腐蚀设置微悬臂梁和质量块,所述微悬臂梁的一端固定在硅片上,另一端悬空,所述质量块设置于微悬臂梁的悬空端;所述微悬臂梁和/或质量块上通过淡硼掺杂工艺设有四个压敏电阻,所述压敏电阻构成惠斯通全桥结构;所述钝化层覆盖在压敏电阻之上,金属互连线及电极焊盘设置于钝化层之上,所述硅片上通过重掺杂形成浓硼区域,压敏电阻和金属互连线及电极焊盘之间通过浓硼区域实现欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曾鸿江胡国俊刘莹盛文军
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第三十八研究所
类型:发明
国别省市:安徽;34

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