一种显示面板，其包括第一基板、多个画素结构、第二基板、对向电极、显示介质以及至少一偏光片。每一画素结构包括扫描线、数据线、主动元件、画素电极以及保护层。主动元件位于第一基板上，且与扫描线以及数据线电性连接。画素电极位于第一基板上且与主动元件电性连接，其中画素电极具有至少一块状电极。保护层位于第一基板上且位于画素电极的下方，保护层包括一凹陷骨干部以及多个凹陷分支部。凹陷骨干部的宽度为大于0微米且小于或等于4微米，凹陷分支部沿着至少四个方向延伸，其中画素电极顺应性地覆盖凹陷骨干部以及凹陷分支部。偏光片位于第一基板以及第二基板至少其中之一，偏光片的吸收轴方向与保护层的凹陷分支部的四个延伸方向不相同。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有特殊画素结构的显示面板。
技术介绍
在平板显示器中，液晶显示器(IXD)已被广泛地使用。液晶显示器具有由基板构成的两个显示面板。在液晶显示器中，其基板上形成有诸如画素电极和共电极的场发生电极，而液晶层则配置于这两个显示面板之间。在液晶显示器中，透过将电压施加到场发生电极而在液晶层上产生电场，且藉由产生的电场来确定液晶层的液晶分子的取向和入射光的偏振，从而显示图案。在这些IXD中，又以具有高对比度与宽基准视角的竖直取向(verticalAlignment，VA)模式IXD更为备受关注。具体而言，竖直取向模式IXD在未施加电场的状态下，其液晶分子的主轴(长轴)垂直于显示面板的取向。特别地，在竖直取向(VA)模式LCD中，可以透过在一个画素电极上仅形成切口(例如微缝隙)的方式，在一个画素电极中形成包括不同取向方向的液晶分子的多个区域，进而形成宽基准视角。然而，在利用切口于画素电极中形成微小缝隙来形成多个分支电极的上述方式中，由于切口场发生电极中的液晶分子有轻微的扭转或倾斜不稳定的现象，故相对地减少了液晶显示器的液晶效率，进而导致透射率劣化。此外，上述方式更可能因液晶分子倾斜不稳定而产生暗态漏光现象。必需说明的是，画素电极中仅有多个分支电极，故画素电极不具有其他图案或形态的设计，此夕卜，画素电极与晶体管之间所隔绝的保护层也仅有让画素电极与晶体管连通的接触洞，而不具有其他图案或形态的设计。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板可具有良好的穿透率，且其所具有的画素结构可提高液晶倒向的稳定性并改善对比值的现象。本专利技术的显示面板包括第一基板、多个画素结构、第二基板、对向电极、显示介质以及至少一偏光片。每一画素结构包括扫描线、数据线、主动元件、画素电极以及保护层。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件位于第一基板上，且包括栅极、源极以及漏极，其中主动元件的栅极与扫描线电性连结且主动元件的源极与数据线电性连接。画素电极位于第一基板上且与主动元件的漏极电性连接，其中画素电极具有至少一块状电极。保护层位于第一基板上且位于画素电极的下方，其中保护层包括一凹陷骨干部以及多个凹陷分支部。凹陷骨干部的宽度为大于O微米(μ m)且小于或等于4微米(μ m)。凹陷分支部沿着至少四个方向延伸，其中画素电极顺应性地覆盖凹陷骨干部以及凹陷分支部。第二基板位于第一基板的对向侧。对向电极位于第二基板上。显示介质位于对向电极以及画素电极之间。至少一偏光片位于第一基板以及第二基板至少其中之一，其中偏光片的吸收轴方向与保护层的凹陷分支部的所述四个延伸方向不相同。基于上述，在本专利技术的显示面板的画素结构中，保护层具有凹陷骨干部与多个凹陷分支部，且画素电极具有至少一块状电极顺应性地覆盖凹陷骨干部以及凹陷分支部之上。藉由上述设置，除了可确保显示面板具有良好的穿透率(transmiss1n)以及液晶反应速率(response time)外，藉由本专利技术的画素结构具有所需的高低起伏的结构，从而避免液晶倒向不稳定的现象，改善对比值(contract rat1)以及暗态漏光的现象，以呈现出良好的显示效果。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【附图说明】图1为依照本专利技术的一实施例的显示面板的剖面示意图。图2为依照本专利技术的一实施例的画素阵列层的俯视示意图。图3为依照本专利技术的一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图4为图3中沿着切线A-A’的剖面示意图。图5为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图6为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图7为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图8为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图9为图8中沿着切线A-A’的剖面示意图。图10为依照本专利技术另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图11为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图12为图11中沿着切线A-A’的剖面示意图。图13为依照本专利技术另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图14为依照本专利技术另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图15为依照本专利技术另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图16为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图17为图16中沿着切线A-A’的剖面示意图。图18为图16中位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图19为图16中画素电极的俯视示意图。图20为依照本专利技术的另一实施例的画素结构中的画素电极以及位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图21为图20中位于画素电极下方的保护层的俯视示意图。图22为图20中画素电极的俯视示意图。图23A为传统显示面板的液晶倒向分布图。图23B至图23M分别为图3、图5至图8、图10至图11、图13至图16以及图20的实施例的显示面板的液晶倒向分布图。其中，附图标记10:第一基板12:画素阵列层20:第二基板22:对向电极30:显示介质40:偏光片100:画素结构120、120，、120”、PE:画素电极122:凹陷骨干电极图案124:凸起骨干电极图案125:块状电极126:凹陷分支电极图案127:外侧分支电极128:凸起分支电极图案129:电极狭缝图案140、140，:保护层142:凹陷骨干部142a:第一水平凹陷骨干部142b:第二水平凹陷骨干部142c、142c’:第一垂直凹陷骨干部142d、142d’:第二垂直凹陷骨干部1420、1420’、1420”:中央凹陷骨干部144:凸起骨干部1440:中央凸起骨干部146:凹陷分支部148:凸起分支部1000:显示面板AA’:切线d:深度D:漏极DL:数据线G:栅极S:源极SL:扫描线T:主动元件W、W1、W2:宽度【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本专利技术的目的、方案及功效，但并非作为本专利技术所附权利要求保护范围的限制。图1为依照本专利技术的一实施例的显示面板1000的剖面示意图。请参照图1，本专利技术的显示面板1000具有第一基板10、画素阵列层12、显示介质30、对向电极22、第二基板20以及至少一偏光片40。在本专利技术中，显示面板1000为液晶显示面板。第一基板10的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其类似材质。第一基板10上包括设置有画素阵列层12。画素阵列层12包括多个画素结构，详细的画素阵列层12的结构将于后续段落说明。第二基板20位于第一基板10的对向。第二基板20的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其类似材质。第二基板20面对第一基板10的一侧具有对向电极22。对向电极22的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、石墨烯本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，包括：一第一基板；多个画素结构，其中每一画素结构包括：一扫描线以及一数据线，位于该第一基板上；一主动元件，位于该第一基板上，且包括一栅极、一源极以及一漏极，该主动元件的栅极与该扫描线电性连接且该主动元件的源极与该数据线电性连接；一画素电极，位于该第一基板上且与该主动元件的漏极电性连接，其中该画素电极具有至少一块状电极；以及一保护层，位于该第一基板上且位于该画素电极的下方，该保护层包括一凹陷骨干部以及多个凹陷分支部，该凹陷骨干部的宽度为大于0微米且小于或等于4微米，该些凹陷分支部沿着至少四个方向延伸，其中该画素电极顺应性地覆盖该保护层的该凹陷骨干部以及该些凹陷分支部；一第二基板，位于该第一基板的对向侧；一对向电极，位于该第二基板上；一显示介质，位于该对向电极以及该画素电极之间；以及至少一偏光片，位于该第一基板以及该第二基板至少其中之一，其中该偏光片的一吸收轴方向与该保护层的该些凹陷分支部的所述四个延伸方向不相同。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶昭纬，郑伟成，李益志，林贞君，丁天伦，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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