本实用新型专利技术公开了一种用于光通信的1490纳米通带滤光片，包括基板、以交替的五氧化二钽和二氧化硅为镀膜材料的第一镀膜层与第二镀膜层，所述基板位于所述第一镀膜层和第二镀膜层之间；第一镀膜层由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共87层，其中包括43层五氧化二钽层与44层二氧化硅层；第二镀膜层由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共30层，其中包括15层五氧化二钽层与15层二氧化硅层。该实用新型专利技术中心波长的精度为1490nm±5nm，偏差在0.3％以内；透过率高，可达到0.3dB以上；截止带截止深，范围宽；成品率高。
【技术实现步骤摘要】
本技术设及一种滤光片，特别设及一种用于光通信的1490纳米通带滤光片。
技术介绍
光通信用窄带干设滤光片是实现波分复用的关键器件，该产品的出现使通信领域 的输出信号由单路变成多路，是快速发展光通信行业中具有不可替代作用的高利润、高附 加值产品。运种光通信关键元件，对中国光通信系统的国产化及其国内相关技术发展有极 大的促进作用。 为了适应实际需求，窄带干设滤光片的优化结构及其设计、分析和修正技术，实现 了滤光片主膜系锻制工艺技术的突破，实现了全部锻膜材料的国产化，掌握了高致密性、低 损耗膜层的制备技术和高精度实时监控技术；但是，目前的用于光通信的1490纳米通带滤 光片，生产成本高，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种峰值透过率高，能极大的提高稳定 性的用于光通信的1490纳米通带滤光片，W满足低成本的市场发展需求。 阳0化]为达到上述目的，本技术的技术方案如下： -种用于光通信的1490纳米通带滤光片，包括： WBk7玻璃为原材料的基板、W交替的五氧化二粗和二氧化娃为锻膜材料的第一 锻膜层、W交替的五氧化二粗和二氧化娃为锻膜材料的第二锻膜层，所述基板位于所述第 一锻膜层和第二锻膜层之间； 所述第一锻膜层由内而外依次由五氧化二粗层与二氧化娃层交替沉积共87层， 其中包括43层五氧化二粗层与44层二氧化娃层，即最内层及最外层均为五氧化二粗层，最 内层的五氧化二粗层直接沉积在所述基板的一侧表面；所述第二锻膜层由内而外依次由五 氧化二粗层与二氧化娃层交替沉积共30层，其中包括15层五氧化二粗层与15层二氧化 娃层，即最内层为五氧化二粗层并直接沉积在所述基板的另一侧表面，最外层为二氧化娃 层。 其中，所述第一锻膜层由内而外的五氧化二粗层与二氧化娃层厚度依次为：五氧 化二粗层222皿、二氧化娃层221皿、五氧化二粗层174. 5皿、二氧化娃层1019. 7皿、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层509. 8nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化 二粗层174. 5nm、二氧化娃层1019. 7nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧 化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧 化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧 化二粗层174. 5nm、二氧化娃层1019. 7nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五 氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五 氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五 氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层1019. 7nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、 五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、 五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、 五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层1019. 7nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层 254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层 254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层 254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层509. 8nm、五氧化二粗层174,5nm、二氧化娃层 254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃 层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层254. 9nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃 层1019. 7nm、五氧化二粗层174. 5nm、二氧化娃层139.Inm、五氧化二粗层287. 9nm。 其中，所述第二饌膜层由内而外的五氧化二粗层与二氧化娃层厚度依次为：五氧 化二粗层125. 4nm、二氧化娃层142. 5nm、五氧化二粗层112. 8nm、二氧化娃层183. 4nm、五氧 化二粗层150. 2nm、二氧化娃层213nm、五氧化二粗层124. 3nm、二氧化娃层207. 2nm、五氧化 二粗层121. 3nm、二氧化娃层194.Inm、五氧化二粗层125. 3nm、二氧化娃层222. 27nm、五氧 化二粗层144.Inm、二氧化娃层203. 4nm、五氧化二粗层120. 7nm、二氧化娃层197. 15nm、五 氧化二粗层137. 4nm、二氧化娃层218. 3nm、五氧化二粗层124. 79nm、二氧化娃层191. 4nm、 五氧化二粗层134. 9nm、二氧化娃层215. 08nm、五氧化二粗层114nm、二氧化娃层220. 3nm、 五氧化二粗层145. 8nm、二氧化娃层168. 3nm、五氧化二粗层114nm、二氧化娃层180. 4nm、五 氧化二粗层148. 5nm、二氧化娃层331. 79nm。 其中，五氧化二粗和二氧化娃的沉积采用电子蒸发加WIAD离子辅助沉积，厚度 的控制方法采用极值法的直接监控，五氧化二粗的沉积速率小于4 A /S,二氧化娃的沉积 速率小于10 A /S，沉积时的真空度为1*10 2pa。 通过上述技术方案，本技术具有W下有益效果： 阳01引①中屯、波长的精度为1490皿±5皿，偏差在0.3%W内；透过率高，可达到0.3地W上；通带形状逼近矩形，通带波纹小； ②截止带截止深，范围宽； ③截止区1360-1600纳米透过率小于0. 1% ; 阳016] ④成品率高，大大提高生产的成功率，降低生产成本。 此外，上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专 利保护的范围，为等同关系。【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需 要使用的附图作简单地介绍。 图1为本技术实施例的整体结构示意图； 图2是本技术实施例的透过率实测曲线图。【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述。[00本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于光通信的1490纳米通带滤光片，其特征在于，包括：以Bk7玻璃为原材料的基板(1)、以交替的五氧化二钽和二氧化硅为镀膜材料的第一镀膜层(2)、以交替的五氧化二钽和二氧化硅为镀膜材料的第二镀膜层(3)，所述基板(1)位于所述第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间；所述第一镀膜层(2)由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共87层，其中包括43层五氧化二钽层与44层二氧化硅层，即最内层及最外层均为五氧化二钽层，最内层的五氧化二钽层直接沉积在所述基板(1)的一侧表面；所述第二镀膜层(3)由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共30层，其中包括15层五氧化二钽层与15层二氧化硅层，即最内层为五氧化二钽层并直接沉积在所述基板(1)的另一侧表面，最外层为二氧化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王明利，
申请(专利权)人：苏州奥科辉光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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