【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于动压传感器
,具体涉及一种压力传感芯片。
技术介绍
动态压力的测量对于计算导弹发射速度、监测压力装置疲劳程度或强噪声的幅值等具有重要意义。在某些应用场所,要求进行动态压力传感器具有耐高温、抗强电磁、良好的动态特性。对于动态压力检测目前主要有三类传感器:即压电式、电容式和硅压阻式。其中压电式工作温度高,最高温度为260°C,但体积大,加速度效应大;电容式应用电路复杂,成本较高,且一般耐受的工作温度不高;硅压阻式具有体积小、性能稳定、抗振动及冲击、工作温度范围优于驻极体传声器等特点,但当温度超过125°C时,由于应变电阻与衬底间的p-n结漏电加剧,并且本证激发导致p-n结失效等因素致使传感器不能满足实际应用需要。因此目前动态压力传感器在测量领域存在工作温度不覆盖、测量范围不满足实际需要等问题。为了克服上述不足,本专利技术提供一种动态压力传感芯片,具有体积小、功耗低、频率响应好等特点,为恶劣环境下动态压力检测领域提供了有效的技术手段。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过采用带流体孔道的硅片或SOI片与玻璃基片静电键合或采用硅片或SOI片与 ...
【技术保护点】
一种动态压力传感芯片,其特征是:它包括压力敏感芯片(1)和玻璃基片(2),压力敏感芯片(1)的键合面静电密封粘接在玻璃基片(2)的键合面上;在压力敏感芯片(1)与玻璃基片(2)的连接位置处,压力敏感芯片(1)键合面的四面或玻璃基片(2)键合面的四面对称均布开有微型流体孔道(3)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:史鑫,王伟,吴亚林,徐兴烨,曹永海,王世宁,桂永雷,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十九研究所,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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