一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法及其应用技术

一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法及其应用，本发明专利技术涉及一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法及其应用，本发明专利技术目的是为了提供一种具有室温H2S敏感特性的Se掺杂O空位氧化钨多孔材料，以提升氧化钨材料的功能特性。本发明专利技术通过煅烧球形花状结构WSe2制备Se掺杂O空位氧化钨(Se‑WO3‑x)多孔材料。该材料具有多孔结构，有效增加活性表面；同时，Se掺杂引入大量的O空位，增加了活性位点。该制备方法具有工艺简单，重复性高等优点，可实现材料的批量化制备。合成的Se‑WO3‑x多孔材料展现出优异的室温H2S敏感特性，可用作H2S传感器敏感材料，本发明专利技术应用于先进材料技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法及其应用。

技术介绍

1、氧化钨半导体材料具有优异的物理化学性能，是重要的功能性材料，在光电催化、气体传感、能量存储等领域得到广泛应用。目前，通过电化学法、磁控溅射法、化学气象沉积、水热法、溶胶-凝胶法等物理化学法制备不同形貌的纳米氧化钨材料，如纳米球、纳米线、纳米花、纳米薄膜等，通过形貌调控制备的纳米氧化钨可显著提升其作为功能材料的性能。

2、目前，纳米氧化钨材料制备过程中存在团聚，减少有效表面，降低功能特性。同时，氧化钨材料功能特性受材料自身结构限制，制约其进一步提升功能特性。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提供一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法及其应用。

2、本专利技术一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法按以下步骤进行：

3、一、反应液制备：将六氯化钨和氧化硒依次加入到油基伯胺中，形成反应液；其中六氯化钨、氧化硒和油基伯胺的质量比为346～446：190～250:11000～15000；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：

2.根据权利要求1所述的一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤一中六氯化钨、氧化硒和油基伯胺溶液的质量比为396：220：13000。

3.根据权利要求1所述的一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤二中磁力搅拌5min。

4.根据权利要求1所述的一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤三中反应液溶液与无水乙醇的体积比为1～2：1～2。

5.根据权利要求1所述的一种Se掺杂O空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：

2.根据权利要求1所述的一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤一中六氯化钨、氧化硒和油基伯胺溶液的质量比为396：220：13000。

3.根据权利要求1所述的一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤二中磁力搅拌5min。

4.根据权利要求1所述的一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤三中反应液溶液与无水乙醇的体积比为1～2：1～2。

5.根据权利要求1所述的一种se掺杂o空位氧化钨多孔材料制备方法，其特征在于步骤三中所述离心是在10000转/min下离心15min。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：