【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种电源管理系统中的控制方法,尤其是涉及到关于一种实现电压控制的方法。
技术介绍
集成电路之电力供应的调整系利用上边界场效应晶体管(high-sideFET)与下边界场效应晶体管(low-sideFET)作为电压电流的开关控制电路设计。电流系由上边界场效应晶体管的源极与下边界场效应晶体管的漏极所相连之接面/节点处流动至负载。此负载系与电感器串接,且系有电容器与此负载并接。当周期开始时上边界场效应晶体管为导通,但下边界场效应晶体管为截止,电流系经由导通的上边界场效应晶体管流动至电感器、电容器与负载。此电流将使电容器所储存之电荷量上升。而当负载所横跨之电压到达目标水平时,将使得上边界场效应晶体管切换为截止,而下边界场效应晶体管切换为导通,此时电流将经由电容器放电。因此藉由上边界场效应晶体管与下边界场效应晶体管导通与截止的交互切换,以使输出电压将不随电感电流的上升或下降而有所变动。如第1图所示,传统技术的切换控制装置包含一个比较控制器10、一个上边界场效应晶体管(high-sideFET)12与一个下边界场效应晶体管(low-sideFET)14。此上边界场效应晶体管12之漏极电性连接于输入电压源VIN,且此上边界场效应晶体管12之源极系与此下边界场效应晶体管14之漏极电性连接。此下边界场效应晶体管14之源极系连接于接地端。而此上边界场效应晶体管12的栅极(或闸极)与此下边界场效应晶体管14的栅极(或闸 ...
【技术保护点】
一种电压控制方法,其特征在于,包含下列步骤:分压一负载上之负载电压,以产生一回授电压,且撷取一周期性三角波讯号之绝对值,以产生一正回授讯号;相加该回授电压与该正回授讯号,以产生一总和讯号;比较该总和讯号及一目标电压,并在该总和讯号小于该目标电压时,产生一控制讯号;以及接收该控制讯号,并据此利用一输入电压更新并稳定该负载电压。
【技术特征摘要】
1.一种电压控制方法,其特征在于,包含下列步骤:
分压一负载上之负载电压,以产生一回授电压,且撷取一周期性三角波讯号之绝对值,
以产生一正回授讯号;
相加该回授电压与该正回授讯号,以产生一总和讯号;
比较该总和讯号及一目标电压,并在该总和讯号小于该目标电压时,产生一控制讯号;
以及
接收该控制讯号,并据此利用一输入电压更新并稳定该负载电压。
2.如权利要求1所述的电压控制方法,其特征在于,该控制讯号为高准位讯号。
3.如权利要求1所述的电压控制方法,其特征在于,该负载连接一分压器,其系分
压该负载电压,以产生该回授电压。
4.如权利要求3所述的电压控制方法,其特征在于,该负载连接一第一电子开关与
一第二电子开关,该第二电子开关接地,该第一电子开关接收该控制讯号,并根据该控制
讯号利用该输入电压更新并稳定该负载电压。
5.如权利要求4所述的电压控制方法,其特征在于,该负载并联一电容。
6.如权利要求5所述的电压控制方法,其特征在于,该第二电子开关连接一绝对值
产生器,其与该分压器连接一加法器,该绝对值产生器接收横跨该第二电子开关的电压降,
并据此撷取该三角波讯号之该绝对值,以产生该正回授讯号给该加法器,该分压器传送该
回授电压给该加法器,该加法器相加该正回授讯号与该回授电压,以产生该总和讯号。
7.如权利要求6所述的电压控制方法,其特征在于,该加法器与一目标电压产生器
连接一比较控制器,该比较控制器连接该第一电子开关与该第二电子开关,该比较控制器
接收该目标电压产生器产生之该目标电压与该总和讯号,将其比较后,产生该控制讯号给
该第一电子开关,并驱动该第二电子开关。
8.如权利要求7所述的电压控制方法,其特征在于,该第一电子开关为开启时,该
\t第二电子开关为关闭,该第一电子开关为关闭时,该第二电子开关为开启。
9.一种电压控制方法,其特征在于,包含下列步骤:
分压一负载上之负载电压,以产生一回授电压;
相加该回授电压与一周期性三角波讯号,以产生一总和讯号;
将该总和讯号与该回授电压分别与一目标电压比较,并在该总和讯号与该回授电压皆
小于该目标电压时,分别产生一第一控制讯号与一第二控制讯号;以及
接收该第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄广顺,黄伟骐,吴建兴,
申请(专利权)人:万国半导体开曼股份有限公司,
类型:发明
国别省市:开曼群岛;KY
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