本发明专利技术公开了一种带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器，包括输入端、输出端、放大电路和输出到输入反馈环路。其中放大电路用于从所述输入端接收射频信号并将其放大后输出至所述输出端。输出到输入反馈环路用于将经所述放大电路放大的信号反馈至所述输入端，其包括：第一NMOS晶体管，其漏端和栅端与所述放大电路的输出端相连，源端接地；第二NMOS晶体管，其漏端与所述输入端相连；以及电感，一端与所述第一NMOS晶体管的栅端相连，另一端与所述第二NMOS晶体管的源端相连。本发明专利技术的低噪声放大器可摆脱无源器件对频率的限制，实现宽带的频谱响应。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大 器。
技术介绍
低噪声放大器是射频收发机中的重要模块之一，主要用于通讯系统中将接收自天 线的信号放大，以便于后级的接收机电路处理。 由于来自天线的信号一般都非常微弱，低噪声放大器一般情况下均位于非常靠近 天线的部位以减小信号损耗。正是由于噪声放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级， 它的特性直接影响着整个接收机接收信号的质量。为了确保天线接收的信号能够在接收机 的最后一级被正确的恢复，一个好的低噪声放大器需要在放大信号的同时产生尽可能低的 噪音以及失真。 为了实现各种频段的兼容应用，通常需要一个放大器具备足够宽的宽带特性。因 此，在现代通信中需要宽带低噪声放大器来实现宽带信号低噪声放大。但是，通常的宽带低 噪声放大器结构复杂、需要很多片外无源器件，因此成本较高。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种宽带低噪声放大器。 为达成上述目的，本专利技术提供一种带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器，包 括输入端、输出端、放大电路和输出到输入反馈环路。其中放大电路用于从所述输入端接收 射频信号并将其放大后输出至所述宽带低噪声放大器的输出端。输出到输入反馈环路用于 将经所述放大电路放大的信号反馈至所述宽带低噪声放大器的输入端，其包括：第一NM0S 晶体管，其漏端和栅端与所述放大电路的输出端相连，源端接地；第二NM0S晶体管，其漏端 与所述宽带低噪声放大器的输入端相连；以及电感，一端与所述第一NM0S晶体管的栅端相 连，另一端与所述第二NM0S晶体管的源端相连。 优选的，所述放大电路为两级放大电路，其包括：第三NM0S晶体管，其栅端与所述 宽带低噪声放大器的输入端相连，源端接地，漏端通过第一负载接电源；第四NM0S晶体管， 其栅端与所述第三NM0S晶体管的漏端相连，源端作为所述放大电路的输出端与所述宽带 低噪声放大器的输出端相连，源端通过第二负载接电源。 优选的，所述第三NM0S晶体管的宽度为1~20nmm，长度为55nm;所述第四NM0S晶体管的宽度为1~20nm，长度为55nm〇 优选的，所述第一负载为第一电阻，所述第二负载为第二电阻。 优选的，所述第一电阻的电阻值为lk~10kOhm，所述第二电阻的电阻值为lk~ 10kOhm〇 优选的，所述第四NM0S晶体管的源端通过第三电阻与其栅端相连。 优选的，所述第三电阻的电阻值为lk~10kOhm。 优选的，所述宽带低噪声放大器还包括电容，其一端与所述放大电路的输出端连 接，一端接地，用以提供输出匹配。 优选的，所述电感的电感值范围为InH~8nH。 优选的，所述第一NM0S晶体管的宽度为lum~20um，长度为100nm;所述第二NM0S 晶体管的宽度为lum~20um，长度为20nm〇 本专利技术的宽带低噪声放大器通过输出到输入反馈环路的设计，能够摆脱无源器件 对频率的限制，实现宽带频谱响应，将可以应用于多种无线标准协议中，对整个低噪声放大 器和接收机的设计带来很大益处。【附图说明】图1为本专利技术一实施例带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器的电路示意图； 图2为本专利技术一实施例带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器的等效电路示 意图； 图3为本专利技术一实施例带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器的输入匹配参 数与频率关系的曲线图； 图4为本专利技术一实施例带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器的噪声系数与 频率关系的曲线图。【具体实施方式】 为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一 步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也 涵盖在本专利技术的保护范围内。 在本说明书中及在权利要求书中，应理解当一元件被称为"连接"到另一元件或与 另一元件"相连"时，其可直接连接，或可存在介入元件。 本专利技术的低噪声放大器包括输入端Input、放大电路、输出到输入反馈环路和输出 端Output。请参考图1，放大电路为两级放大电路，用于从输入端接收射频信号并将其放大 后输出至输出端。具体地，放大电路包括NM0S晶体管Ml和NM0S晶体管M2,其中NM0S晶 体管Ml的栅端与宽带低噪声放大器的输入端相连，源端接地，漏端通过第一负载接电源； NM0S管M2的栅端与NM0S晶体管Ml的漏端相连，源端作为放大电路的输出端与宽带低噪声 放大器的输出端相连，漏端通过第二负载接电源。其中，NM0S晶体管Ml的宽度为1~20um， 优选为l〇um，长度为55nm;NM0S晶体管M2的宽度为1~20um，优选为5um，长度为55nm。输 出到输入反馈环路用于将经放大电路放大的信号反馈至输入端。输出到输入反馈环路包括 NM0S晶体管M3和M4以及连接在这两个晶体管之间的无源电感L1。NM0S晶体管M3的漏端 和栅端与放大电路的输出端（即NM0S晶体管M2的源端）相连，源端接地；NM0S晶体管M4 的漏端与输入端相连。无源电感L1 一端与NM0S晶体管M3的栅端相连，另一端与NM0S晶体 管M4的源端相连。其中，NM0S晶体管M3的宽度为lum~20um，优选为5um，长度为100nm; NM0S晶体管M4的宽度为lum~20um，长度为20nm;无源电感L1的电感值为InH~8nH，优 选2nH。此外，宽带低噪声放大器的输出端还与一接地无源电容C1相连，该接地无源电容 C1用于提供输出匹配，其取值范围为0~20pF，优选为2pF。 接下来将就本专利技术宽带低噪声放大器的工作原理加以说明。 射频信号从NM0S晶体管Ml的栅端进入宽带低噪声放大器放大电路的第一级，信 号经过第一级放大后，从NM0S晶体管Ml的漏端输出后进入NM0S晶体管M2的栅端，由此进 入该宽带低噪声放大器放大电路的第二级，信号经过第二级放大后，从NM0S晶体管M2的源 端输当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：输入端；输出端；放大电路，用于从所述输入端接收射频信号并将其放大后输出至所述宽带低噪声放大器的输出端；输出到输入反馈环路，用于将经所述放大电路放大的信号反馈至所述宽带低噪声放大器的输入端，其包括：第一NMOS晶体管，其漏端和栅端与所述放大电路的输出端相连，源端接地；第二NMOS晶体管，其漏端与所述宽带低噪声放大器的输入端相连；以及电感，一端与所述第一NMOS晶体管的栅端相连，另一端与所述第二NMOS晶体管的源端相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李琛，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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