硫化镉气相合成装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硫化镉气相合成装置，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0～90°。本发明专利技术的硫化镉气相合成装置反应装置具体使得气态硫和气态镉不采用相对的方向进入合成室，从而避免了两股反应气之间的对流并避免了因反应气之间接触不充分而导致的反应不充分、合成率低的问题。本发明专利技术通过在合成室中增加挡板组件，使得合成室空间得到了有效减小，同时使得反应相对充分，大大提高了合成率，可达到85～90％。

【技术实现步骤摘要】
硫化镉气相合成装置
本专利技术涉及硫化镉制备的
，更具体地讲，本专利技术涉及一种硫化镉气相合成装置。
技术介绍
硫化镉(CdS)是直接带隙宽禁带的半导体材料，其禁带宽度Eg为2.42ev，分子量为144.46，无放射性，微溶于水和乙醇，溶于酸且极易溶于氨水。CdS纳米薄膜具有良好的光电转化特性，能很好地匹配太阳能光谱可见光区且对可见光有非常好的透射率，通常使用CdS纳米薄膜充当窗口层与P型半导体材料一起构成异质结太阳能电池。另外，由于在实验研究中发现CdS异质结太阳能电池具有高转化率、低成本和工艺简单等优点，因此，硫化镉将是未来廉价、高效率太阳能电池发展的主要研究方向，起到促进太阳能利用推广的作用，给地球带来洁净、环保、高效的能源，解决现在以及以后的能源危机。目前，硫化镉一般从水溶液中沉淀制取或利用组分单质直接熔融合成。例如公开号为CN101125680A的中国专利申请公开了一种高纯硫化镉的制备方法，其公开了一种在水溶液中通过沉淀方式制备硫化镉的方法，具体公开了加工5N镉溶于优级纯盐酸中，经蒸发脱酸得到氯化镉水溶液，然后将氯化镉水溶液装入硫化镉沉淀池中，将5N硫磺装入石墨舟中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫化镉气相合成装置，其特征在于，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0～90°。

【技术特征摘要】
1.一种硫化镉气相合成装置，其特征在于，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角大于0°且小于或等于90°，其中，所述合成管中设置有用于改变气态镉与气态硫的移动路径的挡板组件，所述挡板组件包括挡板固定杆和多块挡板，所述挡板固定杆沿着合成管的长度方向固定在合成管中，所述多块挡板间隔地设置在挡板固定杆上并且所述挡板与合成管的内壁之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的硫化镉气相合成装置，其特征在于，镉蒸汽从镉蒸发管进入合成管的方向与硫蒸汽从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0～45°。3.根据权利要求1所述的硫化镉气相合成装置，其特征在于，所述镉蒸发管具有固态镉转化为气态镉的镉蒸发室...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹昌威，詹科，张程，种娜，杨旭，雷聪，
申请(专利权)人：峨嵋半导体材料研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51