本发明专利技术提供一种仙人掌结构的银枝晶/硅针尖纳米复合材料的制备方法，将硅衬底转入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中制得银枝晶；在银枝晶表面溅射金膜；将溅射完金膜的银枝晶转移到等离子体增强化学气相沉积反应腔内退火，退火后会形成合金液滴，并作为气相沉积的催化剂催化诱导硅针尖的生长；本发明专利技术过程简单，行之有效，便于降低生产成本，适合于大尺度的工业化生产；所制备的仙人掌结构的银枝晶/硅针尖纳米复合材料具有独特的三维结构，较大的比表面积，且能负载大量活性的贵金属纳米颗粒，因而在SERS传感、催化、医疗诊断以及吸附材料等领域具有广泛的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
贵金属纳米材料因其在光学、电学、催化和传感等方面具有优良的性能，而越来越受到人们的关注。自上世纪70年代科学家们发现吸附在粗糙银电极表面的吡啶分子具有增强的拉曼散射以来，银纳米材料在制备、修饰、改性以及表面增强拉曼散射(SurfaceEnhanced Raman Scattering, SERS)等方面得到了快速的发展。银枝晶作为一种结构独特的贵金属材料，由于其特殊的分级结构、较大的比表面积、良好的催化及光学特性，从而在SERS传感、催化、医学诊断及成像等领域有着广泛的应用。研究表明，虽然银枝晶能够直接作为一种增强的SERS基底应用，但其产生的增强效果往往不够突出，且信号可重现性较差，此外，其疏水的表面也不利于水体中亲水性探针分子的检测。近来，新兴的纳米学科研究表明，空间三维的分层纳米结构具有大量的分支脚手架，从而导致其比表面积显著增大，能够吸附更多的目标分子。同时这些分层次的分支脚手架具有良好的负载能力，能够负载数目可观的活性纳米颗粒。根据活性纳米颗粒的不同，它们能被运用于不用的领域，特别是在纳米传感检测方面，其被广泛地应用于痕量有机小分子的灵敏检测。目前，银枝晶表面嫁接或生长分支结构主要方法有水热反应法、晶种生长法、模板法、激光刻蚀法等等。但这些方法大多需要昂贵的设备、操作复杂、生产成本高、且不便于工业化生产。此外，所制备的银枝晶纳米复合结构无法获得大量高密度的针尖，其表面嫁接生长的分支结构多为短小的凸起结构或柱状分支。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种。为达到上述目的，本专利技术采用了以下技术方案:将硅衬底置入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中，并通过无电沉积在硅衬底表面制备银枝晶；在银枝晶表面溅射金膜、铜膜或者镍膜，然后通过退火在银枝晶表面形成用于等离子体增强化学气相沉积的合金催化液滴，然后以硅烷作为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积在银枝晶表面嫁接生长硅针尖。所述硅衬底选自Si (100)、Si (111)、热氧化硅片或石英玻璃片。所述氢氟酸和硝酸银的混合溶液为50mM?2.4M氢氟酸与1mM?10mM硝酸银水溶液按照1:1的体积比组成的混合物，所述无电沉积在室温下进行，沉积时间为0.3?I小时，所述银枝晶的主干长为10?20 μ m，所述主干直径为450?670nm，银枝晶的分支长为I?4 μ m，所述分支直径为150?300nm。在利用等离子体增强化学气相沉积嫁接生长硅针尖之前，在所述银枝晶表面溅射金膜，将溅射有金膜的银枝晶移到等离子体增强化学气相沉积反应腔内退火，所述退火的条件为:控制所述反应腔内本底真空度小于等于IX 10 4Pa,然后在20?30min内从室温升温至600?800 °C并保温30?45min。所述金膜的厚度为5?10nm，所述金膜的溅射方式为离子溅射法，所述离子溅射法以大气作为起辉气体，本底气压为2?lOPa，溅射温度为室温，溅射电流为10mA，溅射时间为30?90s。所述金膜退火后形成合金催化液滴(合金催化液滴由银枝晶与金膜形成)，接着向所述反应腔内通入20?eOsccm经氢气稀释的硅烷气体，并在所述反应腔内温度为600°C、反应压力为16?48Pa，以及射频功率为30?60W的条件下持续反应lh，反应完成后随炉冷却至室温。所述氢气稀释的娃烧气体中娃烧的体积分数为10%。所述硅针尖的长度为0.4?1.2 μπι，底部(与针尖相对的另一端)直径为70?110nm，娃针尖的顶端含有残余的金纳米颗粒。所述银枝晶表面的硅针尖以气-液-固(Vapor-Liquid-Solid，VLS)生长模式生长。所述制备方法具体包括以下步骤:I)在室温下将清洗后的硅衬底置入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中，然后静置I小时，得到沉积有银枝晶的硅衬底，所述氢氟酸和硝酸银的混合溶液为50mM?2.4M氢氟酸与1mM?10mM硝酸银水溶液按照1:1的体积比组成的混合物；2)将硅衬底上沉积的银枝晶用去离子水漂洗后干燥，然后将沉积有银枝晶的硅衬底转入离子溅射仪内，并在银枝晶上溅射一层厚度为5?1nm的金膜；3)经过步骤2)后，将所述沉积有银枝晶的硅衬底转移到等离子体增强化学气相沉积反应腔内，控制所述反应腔内本底真空度小于等于I X 14Pa,然后将所述反应腔内温度于30min内从室温升温至600 °C并保温30min ；4)经过步骤3)后，向所述反应腔内通入20sCCm经氢气稀释的硅烷气体，并在所述反应腔内温度为600°C、反应压力为20Pa，以及射频功率控制在30W下持续反应lh，反应后随炉冷却至室温，所述氢气稀释的硅烷气体中硅烷的体积分数为10%。本专利技术的有益效果体现在:本专利技术所述，通过室温条件下的无电沉积技术，即可快速获得大量的银枝晶。该过程操作简便、反应条件温和、且不要昂贵的设备，适合于批量生产。本专利技术中可以采用小型离子溅射仪，在所制备的银枝晶表面溅射催化剂金膜，该过程操作简便、溅射时间短。对溅射完金膜的银枝晶作退火处理，形成了合金催化液滴，并作为等离子体气相沉积的催化剂诱导硅针尖生长(采用金的效果最佳，也可采用其它具有催化活性的过渡金属，如铜或镍等)。当气相中的硅晶在合金液滴中达到饱和后，硅针尖会逐渐析出生长。由于合金液滴中金的消耗会导致其体积逐渐缩小，因此其催化诱导生长的硅材料直径沿长度方向逐渐缩小而成为针尖状，采用这种方式可以快速获得大量高密度的具有分层结构的硅针尖，同时该方法也可拓展应用于其它三维分层纳米结构的制备。通过等离子体增强的作用能够降低反应温度，提高硅晶的析出生长速率，同时由于等离子体促进了催化剂合金液滴的扩散和消耗，最终将导致硅针尖的形成。本专利技术具有反应温度相对较低、生长速率快、能诱导生长高密度的硅针尖的特点，适合于大尺度工业化生产。同时，该方法可靠性强，具有一定的通用性，也适合于嫁接或制备其他类似结构的针尖材料。本专利技术结合了室温条件下的无电沉积技术和等离子体增强化学气相沉积技术，在银枝晶表面催化嫁接制备了三维的具有分层结构的高密度硅针尖。该专利技术制备的银枝晶主干长10?20 μ m，直径450?670nm，分支结构长I?4 μ m，分支直径150?300nm。在所制备的银枝晶表面修饰催化剂金后，能够生长高密度针尖脚手架，所生长制备的硅针尖长0.4?1.2 μ m，底部直径70?llOnm，硅针尖的顶端含有具有SERS活性的金纳米颗粒，该结构能够提供一种SERS增强天线效应。这种三维分层结构的硅针尖具有较高的负载能力，不仅能吸附大量的探针分子，而且方便装载和修饰大量的银纳米颗粒，具有潜在的SERS应用前景。此外，针尖硅与负载的银纳米颗粒能够相互地协同作用，提高SERS增强能力，极大地提高了该复合材料对有机物小分子的检测灵敏度。由于仙人掌结构的银枝晶/硅针尖纳米复合材料具有大量三维的分支结构，大的比表面积，以及良好的负载能力，除SERS传感外，该材料也能够应用于催化、吸附材料、电池电极、医疗诊断等领域。【附图说明】图1为利用硅烷作为反应前驱体气体在银枝晶表面嫁接生长硅针尖的原理示意图。图1中，步骤(I):银枝晶表面溅射沉积金膜；步骤(2):退火后形成合金液滴催化剂；步骤(3):气-液-固生长，催化剂逐渐消耗后形成硅针尖。图2为利用本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种仙人掌结构的银枝晶/硅针尖纳米复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将硅衬底置入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中，并通过无电沉积在硅衬底表面制备银枝晶；在银枝晶表面溅射金膜、铜膜或者镍膜，然后通过退火在银枝晶表面形成用于等离子体增强化学气相沉积的合金催化液滴，然后以硅烷作为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积在银枝晶表面嫁接生长硅针尖。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永席，马大衍，黄剑，徐可为，陈锋，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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